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    一种结晶铜粉的制备方法
    41.
    发明公开
    一种结晶铜粉的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN1541793A

    公开(公告)日：2004-11-03

    申请号：CN200310112029.0

    申请日：2003-11-05

    Applicant: 华南理工大学

    Inventor： 符小艺 ,  凌志远

    IPC: B22F9/24

    Abstract: 本发明涉及一种结晶铜粉的制备方法，包括以下步骤：将反应促进剂和分散剂溶于反应介质中，所述反应促进剂为氨基酸或其盐，分散剂是烷基季胺盐表面活性剂，反应介质为极性液相介质；加入反应起始物和还原剂，所述反应起始物为铜的氧化物或氢氧化物，还原剂为肼或其化合物；在40～100℃温度下反应，合成结晶铜粉；制得的结晶铜粉具有球形或多面体形状，分散性良好，平均粒径在0.5～5μm之间，颗粒尺寸分布窄。

    一种银-二氧化硅球形粉及其制备方法和应用
    44.
    发明公开
    一种银-二氧化硅球形粉及其制备方法和应用 有权

    公开(公告)号：CN115673336A

    公开(公告)日：2023-02-03

    申请号：CN202211258551.9

    申请日：2022-10-14

    Applicant: 华南理工大学

    Inventor： 胡星 ,  凌志远

    IPC: B22F9/30 ,  B22F1/065 ,  B22F1/12 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  C01B33/158 ,  C01B33/157

    Abstract: 本发明公开了一种银‑二氧化硅球形粉及其制备方法和应用。本发明的银‑二氧化硅球形粉的制备方法包括以下步骤：1)配制酸性硅溶胶；2)将硝酸银溶液和酸性硅溶胶混合制成待雾化溶液；3)将微孔金属膜与进行过极化的环形压电陶瓷片粘合，得到雾化片；4)将雾化片安装到超声波雾化器中，并将待雾化溶液加入超声波雾化器的储液箱中，再进行喷射雾化和自然沉降，得到球形凝胶；5)将球形凝胶进行热处理。本发明的银‑二氧化硅球形粉的球形度好、表面光洁、导电率可调、粒径大范围可调，且其制备方法简单、设备要求低、生产成本低，完全满足LTCC用导电银浆的应用要求，适合在电子工业领域进行大规模应用。

    一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法
    45.
    发明授权
    一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法 失效

    公开(公告)号：CN110066169B

    公开(公告)日：2022-01-18

    申请号：CN201910307083.1

    申请日：2019-04-17

    Applicant: 华南理工大学

    Inventor： 胡星 ,  黄新杰 ,  凌志远 ,  陈玉辉

    IPC: C04B35/453 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法，其化学组成的表达式为xZnO‑yAl2O3‑mSiO2‑nSrTiO3，其中38mol％≤x≤64mol％，6mol％≤y≤9mol％，26mol％≤m≤50mol％，0≤n≤7mol％，x+y+m+n＝1。其制备方法包括以下步骤：(1)陶瓷中间体粉料的制备；(2)xZnO‑yAl2O3‑mSiO2‑nSrTiO3陶瓷的制备。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为6.4～8.2，品质因数大于9,346GHz，谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。

    一种厚膜片式电阻器及其制造方法
    46.
    发明公开
    一种厚膜片式电阻器及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN113690003A

    公开(公告)日：2021-11-23

    申请号：CN202110782910.X

    申请日：2021-07-12

    Applicant: 华南理工大学

    Inventor： 凌志远 ,  廖云鹏

    IPC: H01C1/142 ,  H01C7/00 ,  H01C17/28

    Abstract: 本发明公开了一种厚膜片式电阻器及其制造方法，其中厚膜片式电阻器包括：氧化铝基片；正面小电极，设置在氧化铝基片的第一表面的两侧；背面电极，设置在氧化铝基片的第二表面的两侧；电阻体层，设置在氧化铝基片的第一表面上；一次保护层，设置在电阻体层上；正面大电极，设置在正面小电极上，且覆盖正面小电极；二次保护层，设置在一次保护层上；端电极层，设置在正面大电极和背面电极上；电镀镍层，设置在端电极层上；电镀锡层，设置在电镀镍层上。本发明通过引入正面大电极，对电阻表面进行包覆，避免点、线缺陷出现，阻止电阻体层与正面电极交界处银电极层出现硫化，提高厚膜片式电阻器的可靠性，可广泛应用于电子材料与元器件领域。

    一种低温烧结Li-Mg-P-O固体电解质陶瓷及其制备方法
    47.
    发明授权
    一种低温烧结Li-Mg-P-O固体电解质陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN108383517B

    公开(公告)日：2020-12-22

    申请号：CN201810287361.7

    申请日：2018-03-30

    Applicant: 华南理工大学

    Inventor： 胡星 ,  胡智超 ,  陈逸炼 ,  李屹 ,  凌志远

    IPC: C04B35/447 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

    Abstract: 本发明公开了一种低温烧结Li‑Mg‑P‑O固体电解质陶瓷及其制备方法。该方法首先将纯度99.5%以上的Li2CO3、聚磷酸铵、MgO原料按配方LiMg2+xP3O10+x(x=0‑0.1)的组成称量配料，混合行星球磨，烘干后在空气中预烧制得单相粉末，其晶体结构为单斜结构(P21/m)，其中锂离子位于镁氧八面体和磷氧四面体构成的通道内，预烧粉末然后再与酒精混合行星球磨，烘干过筛后的粉料，加入粘结剂造粒，通过单轴加压压出圆片生坯，最后在750~850℃空气气氛下烧结制备出陶瓷固体电解质。本发明采用固相合成法在空气气氛下制备固体电解质陶瓷，步骤少，方法简单，安全、环保，可实现大批量生产。

    一种场诱应变微位移致动器及其制备方法与应用
    48.
    发明公开
    一种场诱应变微位移致动器及其制备方法与应用 无效

    公开(公告)号：CN111908896A

    公开(公告)日：2020-11-10

    申请号：CN202010601945.4

    申请日：2020-06-29

    Applicant: 华南理工大学

    Inventor： 凌志远 ,  吴丽娟

    IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C04B37/02 ,  C04B41/88 ,  H02N2/04

    Abstract: 本发明公开了一种场诱应变微位移致动器及其制备方法与应用。所述场诱应变微位移致动器由方形压电陶瓷薄片作为位移元件、方形不锈钢金属薄片作为引出电极交替堆叠构成，所述方形压电陶瓷薄片的材料化学组成为Pb0.9625Sm0.025[(Mg1/3Nb2/3)1-xTix]O3，0.28≤x≤0.31。所述场诱应变微位移致动器的制备方法是以环氧树脂为粘结剂，方形压电陶瓷薄片与方形不锈钢金属薄片交替堆叠固化而成。本发明所制备的场诱应变微位移致动器具有大的位移输出、小的迟滞、良好的重复稳定性。在最优条件下，长度为26.24mm的致动器在室温1kV驱动电场下产生的位移量可达14.25μm，在精密定位领域具有广泛的用途。

    一种高横向谐振频率温度稳定性压电陶瓷及其制备方法与应用
    49.
    发明公开
    一种高横向谐振频率温度稳定性压电陶瓷及其制备方法与应用 失效

    公开(公告)号：CN111848164A

    公开(公告)日：2020-10-30

    申请号：CN202010572000.4

    申请日：2020-06-22

    Applicant: 华南理工大学

    Inventor： 凌志远 ,  肖长柳

    IPC: C04B35/493 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

    Abstract: 本发明公开了一种高横向谐振频率温度稳定性压电陶瓷及其制备方法与应用。所述压电陶瓷材料的化学组成为：0.1Pb(Yb0.5Nb0.5)O3-0.9Pb(Zr0.48Ti0.52)O3，以主晶相0.1Pb(Yb0.5Nb0.5)O3-0.9Pb(Zr0.48Ti0.52)O3总重为百分比，MnCO3掺入量为0.2～0.6wt％。以Pb3O4、TiO2、ZrO2、Yb2O3、Nb2O5和MnCO3粉末为原料，采用氧化物固相反应法制备样品，高温烧结得到铌镱锆钛酸铅基压电陶瓷，能满足中小功率压电陶瓷应用对横向谐振频率温度稳定性的要求。

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