-
公开(公告)号：CN113686763A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110818957.7
申请日：2021-07-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种抗硫化性能评价方法，包括如下步骤：将含银保护层的待测样品浸泡在硫脲溶液中，通过测试待测样品浸泡前后电性能的变化对所述待测样品的抗硫化性能进行评价。本发明克服了以硫化氢和硫磺为原料的电子元件银电极抗硫化性能评价方法存在的缺点，具有操作简便、所用原料毒性低、评价准确且快速等特点，特别适合厚膜片式电阻器、片式电容器和片式电感器的抗硫化性能的评价。
-
公开(公告)号：CN113690003B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110782910.X
申请日：2021-07-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种厚膜片式电阻器及其制造方法，其中厚膜片式电阻器包括：氧化铝基片；正面小电极，设置在氧化铝基片的第一表面的两侧；背面电极，设置在氧化铝基片的第二表面的两侧；电阻体层，设置在氧化铝基片的第一表面上；一次保护层，设置在电阻体层上；正面大电极，设置在正面小电极上，且覆盖正面小电极；二次保护层，设置在一次保护层上；端电极层，设置在正面大电极和背面电极上；电镀镍层，设置在端电极层上；电镀锡层，设置在电镀镍层上。本发明通过引入正面大电极，对电阻表面进行包覆，避免点、线缺陷出现，阻止电阻体层与正面电极交界处银电极层出现硫化，提高厚膜片式电阻器的可靠性，可广泛应用于电子材料与元器件领域。
-
公开(公告)号：CN113690003A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110782910.X
申请日：2021-07-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种厚膜片式电阻器及其制造方法，其中厚膜片式电阻器包括：氧化铝基片；正面小电极，设置在氧化铝基片的第一表面的两侧；背面电极，设置在氧化铝基片的第二表面的两侧；电阻体层，设置在氧化铝基片的第一表面上；一次保护层，设置在电阻体层上；正面大电极，设置在正面小电极上，且覆盖正面小电极；二次保护层，设置在一次保护层上；端电极层，设置在正面大电极和背面电极上；电镀镍层，设置在端电极层上；电镀锡层，设置在电镀镍层上。本发明通过引入正面大电极，对电阻表面进行包覆，避免点、线缺陷出现，阻止电阻体层与正面电极交界处银电极层出现硫化，提高厚膜片式电阻器的可靠性，可广泛应用于电子材料与元器件领域。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.016 seconds)
