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公开(公告)号：CN102809584A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210261847.6
申请日：2012-07-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种多孔氧化锡膜型室温气敏元件及其制备方法，该方法包括下述步骤：S1配制悬浮液：以丙酮或乙酰丙酮为溶剂将氧化锡纳米粉体配制成悬浮液，在悬浮液中加入碘溶液搅拌后进行超声分散；S2电泳沉积成膜：对超声分散后的悬浮液进行电泳沉积处理获得疏松多孔的纳米晶氧化锡膜；S3热处理：对氧化锡膜进行热处理；S4制作表面电极：在经热处理后的氧化锡膜表面制作电极获得气敏元件。本发明提供的方法利用电泳原理在直流电压下将SnO2纳米粉体均匀沉积在ITO导电玻璃上，形成稳定的疏松多孔的纳米晶SnO2膜；工艺简单、操作方便且重复性好，适合于大规模生产，弥补了常规工艺难以制备疏松多孔膜的不足，可以在室温下实现低浓度气体的检测。
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公开(公告)号：CN102509601A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110308260.1
申请日：2011-10-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01C17/30 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡PTC陶瓷的制备方法，①将下述化合物按摩尔组分比混合：BaCO3 99～101，TiO2 100，Y2O3 0.1～0.5，SiO2 0～0.01；②进行高能超细球磨，获得粒径500nm以下的粉体混合物；③将所得浆料进行烘干、预烧处理，合成均匀微量掺杂的钛酸钡粉体；④将所得粉体配制成流延浆料，流延出生坯膜片；⑤层压并印刷Ni内电极，制作成叠层片式结构；⑥切割成含有内电极的器件；⑦在还原气氛中烧结，然后在空气中进行再氧化，获得所需的叠层片式陶瓷电阻。本发明所制备的半导体陶瓷的瓷体晶粒大小可以达到2.0μm以下，室温电阻率在1～200Ω.cm之间，叠层器件升阻比达103以上。
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公开(公告)号：CN101750409B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910273200.3
申请日：2009-12-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量溴化铊材料中杂质含量的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤为：第1步以TlBr为原料，配制Tl(III)的母液，母液中含Tl(III)量为1～3mg/mL；第2步以母液1mL计，在1mL母液中加入10mL浓度为3.6～8.1mol/L的HBr和10～35mL的异丙醚，振荡均匀，静置分层后分离出水相；第3步利用电感耦合等离子体质谱仪测量水相中各杂质的含量。本发明方法可使溴化铊材料中的基体元素铊的含量达到ICP-MS的测试要求，检测出材料中的各杂质的含量。
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公开(公告)号：CN102432280A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110266252.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法。该陶瓷基板材料为硼酸锌陶瓷，其主晶相为3ZnO·B2O3。该陶瓷原料配方组成为ZnO和H3BO3，其中H3BO3的摩尔百分比为60～41.176％，或者其原料配方化学组成ZnO和B2O3，其中B2O3的摩尔百分比为42.857～25.926％。该陶瓷基板材料的制备方法为：先预烧合成3ZnO·B2O3粉体，再加入去离子水，球磨，烘干；然后造粒、压片烧结。本发明材料烧结温度低(950～1000℃)，微波介电性能优良：介电常数εr＝6.5～6.9，Q×f＝26400～44600GHz，和谐振频率温度系数＝-66～-94ppm/K，可以满足高频高速电路对基板材料的介电性能要求。
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公开(公告)号：CN101710642A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910273244.6
申请日：2009-12-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供的一种三频段低温共烧陶瓷手机天线，它包括第一层辐射单元、第二层辐射单元、金属过孔、调谐枝节、低温共烧陶瓷基板和接地终端；第一、第二层辐射单元分别是成矩形波形弯折的金属导体线，均埋置在低温共烧陶瓷基板中，且第二层辐射单元位于第一层辐射单元上方，并通过金属过孔连接；令低温共烧陶瓷基板的宽度方向为x方向，长度方向为y方向，第一层辐射单元的y方向各个间隙中均增加调谐枝节，第二层辐射单元的电长度小于第一层辐射单元的电长度，第二层辐射单元的y方向曲折线间距大于第一层辐射单元的y方向曲折线间距。该天线可以有效地满足手机等移动终端多频带的需求，并有效地降低天线剖面，提高天线的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101585709A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910062797.7
申请日：2009-06-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/468
Abstract: 一种钛酸锶钡半导体陶瓷的制备方法，属于正温度系数(PTC)陶瓷材料的制备方法，针对现有制备方法存在的问题，低温烧结制备PTCR效应较好的陶瓷材料。本发明包括：(1)Y-BaTiO 3 粉体制备步骤；(2)玻璃烧结助剂制备步骤；(3)PTCR陶瓷制备步骤。本发明配方中添加了玻璃烧结助剂，玻璃烧结助剂中添加了Mn(NO 3 ) 2 溶液，使锰的加入更加容易，有效改善了析出损失和混合不均等问题，既降低材料的烧结温度又增强材料的PTC效应，制备的PTCR陶瓷具有较低的室温电阻率，较高的升阻比，具有良好综合PTCR性能，且有利于叠层化，符合制作热敏电阻的要求。
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公开(公告)号：CN100516319C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710168947.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：(1)清洁圆柱形安瓿；(2)将溴化铊原料填充安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角15～35°、高度10～40mm的圆锥形；(3)将安瓿放入垂直管式炉，其圆锥端指向炉顶部，封闭管式炉，加热，使得垂直管式炉的上部温度为410～440℃、下部温度为480～540℃，中部温度梯度为8～13℃/cm，再保温120～160h；(4)安瓿随炉冷却至室温。本发明采用尖锥形设计的安瓿淘汰多余的晶核，并通过双温区垂直管式炉及其控温测温技术，制备出适合高能X、γ射线探测器用高质量的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN101290817A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810047908.2
申请日：2008-06-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温抗氧化无铅镍导体浆料，该浆料的组成包括重量百分比为50－70％的镍粉，1－5％的抗氧化保护剂，5－15％的无机粘结剂，15－30％的有机载体。将它们混合搅匀后研磨至粒度小于15μm、粘度65－75Pa·s，得到无铅镍导体浆料产品。其中，镍粉选用平均粒径为0.1－2.0μm的球形镍粉，抗氧化保护剂选用B、Cr、Y中的一种或几种，均为平均粒径小于1μm的球形微粉，无机粘结剂为无铅玻璃粉。本发明浆料产品具有良好的耐高温抗氧化性能，适于在大气条件下烧结，抗氧化温度在800－900℃间系列可调。其制备工艺简单，生产成本低廉，节约能源且利于环保。
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公开(公告)号：CN101260563A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710168947.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种无籽晶垂直气相生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：(1)清洁圆柱形安瓿；(2)将溴化铊原料填充安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角15～35°、高度10～40mm的圆锥形；(3)将安瓿放入垂直管式炉，其圆锥端指向炉顶部，封闭管式炉，加热，使得垂直管式炉的上部温度为410～440℃、下部温度为480～540℃，中部温度梯度为8～13℃/cm，再保温120～160h；(4)安瓿随炉冷却至室温。本发明采用尖锥形设计的安瓿淘汰多余的晶核，并通过双温区垂直管式炉及其控温测温技术，制备出适合高能X、γ射线探测器用高质量的溴化铊单晶。
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公开(公告)号：CN101260562A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710168946.9
申请日：2007-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种自发成核生长溴化铊单晶方法，具体步骤如下：1)将溴化铊原料装入直径为8－15mm的圆柱形安瓿，抽真空，密封，并将安瓿一端加工成锥角为15－45°的圆锥形；2)将安瓿放入垂直管式炉，安瓿的圆锥端指向炉底部，垂直管式炉加热，使得溴化铊原料尖锥处温度不低于溴化铊熔点，并且从尖锥处向上至溴化铊原料的顶部区域内的温度以1.0－1.5℃/mm的温度梯度增高，再保温；3)管式炉以1－5℃/h的速度缓慢降温到450－460℃；4)安瓿随炉冷却至室温。本发明无须移动加热器和安瓿，省去了复杂的机械传动装置，简化了工艺，降低了成本。安瓿及加热器均固定，温场稳定，晶体及熔融体内部热分布较均匀，较易获得凸形的生长界面，生长出相当尺寸的完整性较好的溴化铊单晶。
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