红外吸收结构及基于该结构的非致冷红外探测器

    公开(公告)号:CN102226719B

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201110087562.0

    申请日:2011-04-08

    Inventor: 赖建军

    Abstract: 本发明公开了一种红外吸收结构和基于该结构的非致冷红外探测器。这种结构由依次叠置的底部高电导率红外反射层、第一绝缘层、红外敏感层、第二绝缘层和表面结构层组成,其中表面结构层为采用非金属导电材料制作的具有二维周期分布的圆形或方形岛点阵。基于该结构易于通过选择合适的表面导电特性来设计具有一定谱宽的高红外吸收结构,同时获得宽角度红外响应。基于这种红外吸收结构的红外探测器具有低热质量和热隔离空腔高度不限的特点,且对红外辐射入射角度不敏感,可广泛应用于红外生化传感器、红外光谱仪、非致冷红外热像仪等领域。

    红外吸收结构及基于该结构的非致冷红外探测器

    公开(公告)号:CN102226719A

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN201110087562.0

    申请日:2011-04-08

    Inventor: 赖建军

    Abstract: 本发明公开了一种红外吸收结构和基于该结构的非致冷红外探测器。这种结构由依次叠置的底部高电导率红外反射层、第一绝缘层、红外敏感层、第二绝缘层和表面结构层组成,其中表面结构层为采用非金属导电材料制作的具有二维周期分布的圆形或方形岛点阵。基于该结构易于通过选择合适的表面导电特性来设计具有一定谱宽的高红外吸收结构,同时获得宽角度红外响应。基于这种红外吸收结构的红外探测器具有低热质量和热隔离空腔高度不限的特点,且对红外辐射入射角度不敏感,可广泛应用于红外生化传感器、红外光谱仪、非致冷红外热像仪等领域。

    一种垂直谐振腔超窄带红外发射光源

    公开(公告)号:CN101626140A

    公开(公告)日:2010-01-13

    申请号:CN200910061698.7

    申请日:2009-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种垂直谐振腔超窄带红外发射光源,包括基底材料和在基底材料上制作的一维光子晶体,其特征在于:它还包括微桥结构和电源,在一维光子晶体和微桥结构之间有谐振腔,微桥结构与一维光子晶体相对的面为金属材料,微桥结构通过电极与电源相连。该红外发射光源可以减少介质光子晶体由于受热应力的影响而改变器件的热辐射光谱性能,其工作性能更稳定,并且具有更窄的发射谱线。

    一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101626047A

    公开(公告)日:2010-01-13

    申请号:CN200910061700.0

    申请日:2009-04-17

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法,可用于非致冷红外探测。该方法在沉积有Si 3 N 4 或者SiO 2 薄膜的硅衬底上,采用反应离子束溅射法沉积厚度为50-200nm的氧化钒薄膜;待自然冷却后,取出样片,再进行退火。本发明方法所制备薄膜具有平均晶粒5~20nm的纳米结构,在半导体区具有-5%/K~-7%/K电阻温度系数(TCR),合适的方块电阻,与常用微米结构二氧化钒相当的噪声电平的优点。是一种很有潜力的非致冷红外探测材料。

    一种集成模斑变换器的脊型波导偏振无关半导体光放大器

    公开(公告)号:CN1564406A

    公开(公告)日:2005-01-12

    申请号:CN200410012961.0

    申请日:2004-04-02

    Abstract: 本发明公开了一种集成模斑变换器的脊型波导偏振无关半导体光放大器,依次包括InP衬底、n型InP缓冲层、无源波导层、有源区、脊型波导,其顶层和低层设有电极,其特征在于:在无源波导层与有源区之间设有第二级宽脊波导,所述脊型波导为侧向锥形结构,与第二级宽脊波导共同使光束远场与光纤远场匹配。上述脊型波导分为三部分,脊宽分两级侧向减小。本发明不仅具有工艺简单可靠,器件成品率高的特点,而且其偏振灵敏度底,远场特性好,可得到近似圆形的远场光斑,与波导或光纤具有极高的耦合效率和耦合对准容差。本发明可以广泛应用于光网络、光子集成和光电子集成。

    一种阵列式激光扫描器
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103543526A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201310456195.6

    申请日:2013-09-29

    CPC classification number: G02B26/12 G01S7/4817 G01S7/4972 G01S17/42 G02B26/105

    Abstract: 本发明公开了一种阵列式激光扫描器,它包括成底座、控制驱动系统和阵列布置的若干个子镜;所述若干个子镜按照相同的朝向排列,均固定在底座上;各相邻子镜之间留有间距,使相邻子镜在倾斜时不相互碰到;所述控制驱动系统与所述N个子镜中的压电驱动器连接,用于实现对反射镜偏转角度的开环控制。本发明能够通过多光束扫描的方式将多个小扫描场拼接为大扫描场同时保证扫描角度和扫描频率,每个子镜也能独立扫描,实现多目标探测。本发明大幅度提高了空间利用率,提升扫描角度。具有驱动速度快,控制精度高,没有机械磨损,机构紧凑,空间利用率高,稳定性好的特点,并且体积小,重量轻,刚度高,特别适合卫星和无人机成像激光雷达应用。

    一种微型F-P腔可调谐滤波器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103293660A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201310215186.8

    申请日:2013-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种微型F-P腔可调谐滤波器及其制备方法,包括衬底,在衬底片的一面附着增透膜,另一面附着第一布拉格反射镜,在第一布拉格反射镜上附着第一电极和第二电极;在第一电极上附着四个金属桥墩,在四个金属桥墩上附着有桥面;桥面由四个悬臂梁和可动隔膜构成,每一个悬臂梁为L型,一个悬臂梁的一端与一个金属桥墩垂直固定连接,另一端与可动隔膜连接;可动隔膜为正方形且中心嵌有第二布拉格反射镜;第一布拉格反射镜与第二布拉格反射镜构成F-P腔的谐振腔;通电后,四个悬臂梁发生弹性形变并带动可动隔膜和第二布拉格反射镜在垂直于第一布拉格反射镜的方向移动,改变谐振腔的腔长,实现滤波器的可调谐功能,该滤波器能有大的调谐范围,响应速度快。

    一种二维快速控制反射镜
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102981243A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210434727.1

    申请日:2012-11-02

    Abstract: 本发明公开了二维快速控制反射镜,包括反射镜片,第一、第二支架,第一柔性铰链,第一至第三压电驱动器,一级倾斜平台,底座,以及控制驱动系统;二支架对称固定在底座的一条中轴线上,一级倾斜平台位于二支架之间的下方,三个压电驱动器依次排列在一级倾斜平台和第一支架、第二支架所包围的空间内,驱动器通过第一柔性铰链与一级倾斜平台顶部连接,反射镜片固定在第一柔性铰链上;控制驱动系统实现对反射镜片偏转角度的闭环控制。本发明具有驱动速度快,控制精度高,没有机械磨损,机构紧凑,空间利用率高,无轴间干扰,稳定性好的特点,并且体积小,重量轻,刚度高,可实现单镜面二维扫描。

    一种热辐射红外发射和探测集成器件

    公开(公告)号:CN101949836B

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN201010262500.4

    申请日:2010-08-25

    Inventor: 赖建军 叶红

    Abstract: 本发明公开了一种热辐射红外发射和探测集成器件,其结构为:带衬底绝缘层的硅衬底上开有至少一个热隔离空腔,热隔离空腔上悬浮有相邻并排设置的至少一个发射单元和至少一个探测单元,发射单元通过至少二条支撑臂与硅衬底相连,探测单元通过至少二条支撑臂与硅衬底相连。发射单元包括由下至上叠置的第一绝缘层、非金属导电层、第一介质层和第一表面导电层;探测单元包括由下至上叠置的第二绝缘层、金属导电层、隔离层、红外敏感层和光子晶体微结构层。该集成器件具有结构简单、高温稳定和波长可调的优点,并且可以获得比发射单元波长谱宽更窄的窄带吸收探测。本发明的集成器件可以用于红外气体传感器和红外光谱仪。

    一种局部键合后封装方法
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1585103A

    公开(公告)日:2005-02-23

    申请号:CN03153968.8

    申请日:2003-08-22

    Abstract: 一种局部键合后封装方法,包括:(1)将拟键合的二芯片清洗,二芯片一为在激光波长处透明的芯片(102),另一为在激光波长处具有较高吸收率的芯片(103);(2)将二芯片放在载片台(104、105)上,按键合位置对准,透明芯片(102)所处的载片台(104)也是透明的;加压,使二芯片紧密接触;(3)将激光从透明芯片(102)一侧穿透射入,并聚焦至所述的另一芯片(103)的表面,控制激光沿键合线扫描,使二芯片(102、103)熔融键合。还可为:在所述的步骤(2)中,所述的二载片台(104、105)是导电的;在所述的步骤(3)中,在所述的二载片台之间施以电压后,再行激光加热。其优点:(1)无热源污染;(2)热应力小,可靠性高;(3)键合速度高;(4)可用于裸片的键合,特别适用于芯片的后封装;(5)工序简单。

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