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公开(公告)号：CN118068184A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410111158.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G01R31/34 , G01R31/52 , G01R31/72 , G06F18/2131
Abstract: 本发明提供一种同步调相机定子绕组匝间短路故障检测方法及装置，该方法包括：构建同步调相机定子绕组匝间短路故障模型；根据构建的同步调相机定子绕组匝间短路故障模型，将同步调相机运作在空载状态下，检测同步调相机定子电流；对定子电流进行谐波检测，将其与正常运行的同步调相机的定子绕组电流谐波含量比较，判断其是否发生定子绕组匝间短路故障。本发明在不停机运行的情况下对同步调相机定子绕组匝间短路故障进行检测，减少了故障检测所需要的时间，可在检测出故障后立刻准备更换所需材料，提高了维修效率。
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公开(公告)号：CN117825190A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311745712.1
申请日：2023-12-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于脉冲强磁场的冲击载荷试验平台，属于力学检测领域，其包括冲击单元和动力单元，其中，冲击单元用于固定待测试件并对其施加载荷；动力单元用于为冲击单元施加载荷提供动力，其包括分别设置在冲击单元上方和下方的涡流发生模块和磁场调节模块，涡流发生模块包括用于与交流变压电源连接的交流导电线圈，以在冲击单元中感应出涡流；磁场调节模块包括用于与直流电源连接的直流导电线圈，以形成垂直向上的磁场。本发明能够精准控制冲击单元的加载速率和荷载大小，实现准静态加载、载荷函数加载和脉冲加载等多种加载方式，荷载施加方式更加多样和精准，并且具有结构简单、制作周期短、环境友好、维护成本低等优势。
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公开(公告)号：CN117791628A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311680835.1
申请日：2023-12-08
Applicant: 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 一种机组调相化改造站址优选方法，包括步骤：建立机组调相化改造站址优选理论计算基本模型；利用站址优选理论计算基本模型，得到机组调相化改造后不同站址动态无功对电网电压的提升能力；建立机组调相化改造后状态方程；利用建立的状态方程，得到调相化改造机组暂态无功出力；根据高压直流输电工程，建立直流换相失败中逆变侧换相电压与换相电流、换相电抗及换相角度之间的关系，得到直流换相失败对应交流系统临界电压；根据调相化改造机组暂态无功出力，计算不同站址动态无功对直流受端电压的提升能力，利用直流换相失败对应交流系统临界电压，得到不同站址机组调相化改造对直流受端动态无功的支撑效果。提升大容量直流受端电网电压稳定水平。
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公开(公告)号：CN113285020B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110471425.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种单通道忆阻器及其制备方法，该单通道忆阻器包括由第一功能层(1)和第二功能层(2)堆叠形成的功能层；其中，第一功能层所采用的第一忆阻材料，与第二功能层所采用的第二忆阻材料之间，存在晶格失配，且晶格失配度不低于5％；由此基于电压作用，在第一功能层和第二功能层的界面上将能够形成导电丝，从而实现单通道忆阻功能。本发明设置第一功能层和第二功能层，利用界面不匹配的、接近完美晶格的忆阻材料界面处形成的空位、悬挂键等缺陷，构建导电细丝，从而将导电细丝限制在界面处，形成单通道的导电细丝，单通道的导电丝的形貌和通断位置相对固定，因此可以解决忆阻器件的一致性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113346015A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110529561.0
申请日：2021-05-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种实现导电细丝通道定型定位的忆阻器，器件包括上电极、功能层和下电极，功能层基于同一种金属氧化物忆阻材料，其中的氧含量呈梯度变化，且沿由下电极指向上电极的方向氧含量呈先增加、再减小的变化趋势，由于氧空位浓度的最小值出现在功能层的中部，从而能够使该忆阻器中的导电细丝通道的断裂位置定位在功能层的中部。本发明通过对忆阻器件功能层的细节结构及组成进行改进，得到的忆阻器可实现对导电细丝通路形貌的定型和导电细丝通路通断位置的定位，与现有的忆阻结构相比，有利于实现低功耗、高一致性，多阻态的忆阻性能，能够有效解决现有技术中忆阻器件导电丝的尺寸以及形成位置的随机性等问题。
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公开(公告)号：CN110160528B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201910464587.4
申请日：2019-05-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01C21/20
Abstract: 本发明属于移动对象的定位导航相关技术领域，并公开了一种基于角度特征识别的移动装置位姿定位方法，包括：直接采用固设在移动装置上的车载传感器实时采集周围的环境信息，并得到反映环境信息的多个轮廓离散点；对离散点进行排序，得到对应的有序坐标点集合，并采用差分求导进行比较的方式来判定是否出现了角度特征；使用记录的角度特征，将其与标准环境地图中所存储的参考角度特征进行匹配，由此得到移动装置相对于标准环境地图的位置方向数据。通过本发明，可在无需对周围环境进行特殊改造且不使用大量专门辅助工具的条件下，即可执行多种工况下的位姿定位过程，并实现高效、高精度的移动装置位姿实时测量过程。
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公开(公告)号：CN112826827A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110092383.X
申请日：2021-01-24
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
IPC: A61K31/714 , A61P39/02 , A61P25/00
Abstract: 本发明公开了甲钴胺在毒物诱导的脊髓变性样疾病中的应用，主要针对的毒物为六氯丁二烯，六氯丁二烯一般来源于芳烃溶剂油，其广泛应用于医药、化工、高分子材料、橡胶和油漆等行业；其用量为：每六个小时摄入的甲钴胺的剂量为0.5mg；用药方式为：服用0.5mg规格甲钴胺片每次一粒，每日三次，每次间隔六个小时，饭后服用，或1mg甲钴胺注射液肌肉注射，每日一次；用药量可根据病人的年龄和体重酌情递增或递减。通过上述设置甲钴胺应用在六氯丁二烯诱导的脊髓变性样疾病中，能够明显缓解疾病进程，改善了患者的生存和生活质量，相对于其他质量方法具有质量成本低，副作用小的优点。
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公开(公告)号：CN112268778A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011356072.1
申请日：2020-11-26
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
Abstract: 本发明公开了一种软组织肿瘤标本切开固定器及其吸盘的制备方法，包括收纳盒，收纳盒的一端为开口，且收纳盒的内部设置有可调节高度的网格托盘，收纳盒的内壁设置有凹槽，凹槽的内部竖直设置有连接杆，网格托盘位于凹槽处设置有连接头，连接头的中部设置有圆孔，连接头通过圆孔套在连接杆的表面，连接头与连接杆的连接处设置有紧固环；收纳盒的上表面设置有立柱，立柱的表面设置有与其转动连接的调节杆，调节杆的一端设置有吸盘；吸盘的制备方法包括：混料、捏合、开炼、一次硫化、二次硫化。该软组织肿瘤标本切开固定器设置了可升降的网格托盘，而且吸盘在调节杆的作用下能够进行调节，从而能够适用不同大小的软组织肿瘤标本，方便使用。
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公开(公告)号：CN110640585A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201911021371.7
申请日：2019-10-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于机器人加工测量技术领域，公开了一种叶片磨抛加工三维非接触式测量装置及方法。该装置包括工作台(1)，设于该工作台(1)上的直线导轨(2)，所述直线导轨(2)上设有叶片夹具(3)，设于所述工作台(1)一侧的六自由度机器人(6)，该六自由度机器人(6)包括机器人操作臂(7)，该机器人操作臂(7)末端设有线结构光视觉传感器(4)；以及控制系统。本发明的三维非接触式测量装置，采用线结构光视觉传感器对叶片磨抛加工后的表面以及几何轮廓进行扫描，再加上检测系统设计的图像优化技术分析处理，进而得到磨抛加工叶片的准确形状，解决了现有相关技术不能对叶片进行高精度三维非接触测量和检测问题。
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