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公开(公告)号：CN110034016B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201910228034.9
申请日：2019-03-25
Applicant: 华中科技大学 , 浙江正邦电子股份有限公司
IPC: H01L21/285 , C23C14/30 , C23C14/16 , C23C14/04
Abstract: 本发明属于双面散热半导体领域，更具体地，涉及一种半导体芯片正面铝层可焊化方法，特别涉及一种宽禁带垂直功率半导体器件的正面电极可焊化工艺方法。其通过首先采用湿法腐蚀去除芯片正面粘合性较差的自然氧化铝层，然后再依次蒸发镀金属Ti、Ni、Ag，该金属化方法不仅使得处理后的芯片具有良好的导电性，又使商用半导体芯片从单面可焊接改进为双面可焊接，有利于实现双面散热，提高半导体模块的功率密度的同时还可改善半导体封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN113189910A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110496860.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种微型可编程脉冲高压源，包括：MCU可编程控制模块、集成升压模块和取样反馈模块；MCU可编程控制模块用于对可编程目标电压信号进行运算处理后输出控制信号；集成升压模块用于根据控制信号输出可编程脉冲高压源信号；取样反馈模块用于对高压源输出信号进行取样并反馈给MCU可编程控制模块。本发明由于在集成升压模块中采用原边谐振逆变和倍压相结合的两级升压拓扑结构，使得整个模块逆变效率得到提高，降低了变压器的体积；同时采用多个集成升压单元的并联输入且串联输出的形式，能够实现较小的体积以及较高的电压输出；另外采用MCU作为控制核心，使得系统的输出电压可根据需求进行数字编程调节，使得通用性和灵活性加强。
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公开(公告)号：CN111381143B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010192405.5
申请日：2020-03-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于功率半导体器件特性测试领域，具体涉及一种RBDT动态特性测试装置及测试方法，装置包括：Marx发生器，包括待测RBDT的脉冲放电电路，充电器，第一限流电阻，第一二极管；充电器控制对Marx发生器和脉冲放电电路的充电；Marx发生器串联待测RBDT构成环路，在充电之后向待测RBDT输出不同的触发电压脉冲；第一限流电阻和第一二极管设置于Marx发生器和待测RBDT构成的环路上，防止待测RBDT的脉冲电路对Marx发生器的工作产生影响，同时保护Marx发生器上面的开关器件。本发明通过改变对Marx发生器控制方式输出不同动态特性的触发电压脉冲，准确地得到反应RBDT动态特性的波形参数。
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公开(公告)号：CN111443271B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010261923.8
申请日：2020-04-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种RSD时间抖动的测量方法及电路，包括：两个RSD、触发电路以及放电电路；所述两个RSD并联在两个支路，两个RSD共用一个触发电路，且共用一个放电电路；两个RSD型号相同；同时触发两个RSD，对比两个RSD输出电流脉冲上升沿的预设位置得到RSD的开通延迟时间差值；重复同时触发两个RSD N次，得到N个RSD的开通延迟时间差值；求所述N个RSD的开通延迟时间差值的标准差，最后利用该标准差得到RSD的时间抖动值。本发明由于两个RSD在同一电路中，且外部工作条件完全一致，因此得到的RSD的开通延迟时间差几乎可以去除掉外部元件的影响，可以确保得到的RSD时间抖动值更为精准。
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公开(公告)号：CN112071898A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010914778.9
申请日：2020-09-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/822
Abstract: 本发明属于脉冲功率半导体器件领域，更具体地，涉及一种快速离化器件及其制备方法。该快速离化器件包括依次相邻设置的金属化阴极、高掺杂n+区、阴极侧高掺杂p+短路点、p基区、n‑基区、n型促离化层、阳极侧高掺杂n+短路点、高掺杂p+区、金属化阳极。本发明通过在FID器件结构中引入较n‑基区更高的掺杂浓度的n型促离化层，通过限制n‑基区空间电荷区的扩展，进而限制了碰撞电离前沿需要穿越的区域宽度，减小了碰撞电离前沿穿越的范围，减少了碰撞电离前沿传播的时间，从而提高了器件的开通速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111898281A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010817389.4
申请日：2020-08-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种SiC IGBT器件行为模型建立方法，模拟给定栅射极电压任意集射极电压下的集电极电流值，定集射极电压任意栅射极电压下的集电极电流值，以及任意集射极电压和任意栅射极电压下的集电极电流值，和任意集射极电压、任意栅射极电压以及任意温度下的集电极电流值，并模拟寄生电容随集射极电压的变化和关断过程的集电极电流的下降和拖尾过程。本发明没有复杂和强耦合的物理关系，采用受控电流源的方式使得模型更加简单和容易实施；采用了插值方法和提取全阻断电压范围的寄生电容变化，保证了静态和动态仿真结果的准确性；本发明计算过程为一次或二次方程的求解过程，使得仿真速度更快且更容易收敛。
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公开(公告)号：CN106960788A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710207039.4
申请日：2017-03-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种漂移阶跃恢复二极管的制备方法及其产品，采用外延法，在掺砷N+型衬底上采用气相沉积法淀积掺磷N层、在掺磷N区上淀积掺硼P区、在掺硼P区上淀积掺硼P+区，并为N+区镀上Ni，为P+区镀上Ti/Ni层；本发明提供的制备方法通过控制主工艺气流H2的流量来控制外延层生长时衬底片表面的反应气体的浓度，从而保证外延层的均匀性，并抑制自掺杂现象和自稀释现象；并在外延层的生长期间控制掺杂分布，制备高纯度和结晶质量的各层，以及均匀的掺杂；解决了现有采用扩散法制备的漂移阶跃恢复二极管掺杂分布不均匀的问题，而且极大的缩短了制备耗时，所制备的漂移阶跃恢复二极管具有更快的开关速度和更长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN105185820A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510507491.3
申请日：2015-08-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/861 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/0684 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法，包括以下步骤：以碳化硅作为N+衬底，在其上依次外延生长掺磷的N基区、掺铝的P基区以及掺硼的重掺杂P+区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两种基于碳化硅的半导体断路开关；通过本发明提供的制备方法所制得的半导体断路开关，其泵浦、关断和开关特征之间具有更大的折衷空间，在降低高重频条件下的散热要求同时提高高温条件下的可靠性。
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公开(公告)号：CN103579141A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310513536.9
申请日：2013-10-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2924/00011 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01005 , H01L2224/45147
Abstract: 本发明涉及一种复合散热结构，其包括铜基板，所述铜基板包括两部分：上端（202）和下端（204），以及金属管（206）；所述上端（202）和下端（204）构成真空腔体，即形成微热管，在所述腔体的内壁部分（208）烧结一层铜，或者采用细铜丝编织的铜丝网，所述金属管（206）横穿所述真空腔体。由于铜基板内部有真空腔结构，采用蒸发冷凝循环来传递热量，热阻远远小于同类金属板，而且液冷管道的引入也可以提高冷却效率。在提高散热效率的同时，减少其他方式冷却所带来的体积过大问题，而且可以直接外接液冷管道，不需要拆卸之后再安装。本发明适用于大功率IGBT模块，也适用于SiC器件模组等其它领域。
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公开(公告)号：CN119716448A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411851079.9
申请日：2024-12-16
Applicant: 江阴市赛英电子股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本申请属于IGBT结温感知技术领域，具体公开了一种双弹簧针压接型IGBT及其结温感知方法。其中，IGBT芯片的发射极通过发射极钼片和发射极凸台，连接至功率发射极端子；发射极凸台的对角位置设置有缺角，在缺角位置放置发射极弹簧针；发射极弹簧针一端与IGBT芯片发射极接触，另一端与栅极印制电路板上裸漏的发射极焊盘接触，进而与开尔文发射极端子相连；开尔文发射极端子和功率发射极端子用于提取IGBT芯片开尔文发射极与功率发射极之间的寄生电感，以便获取芯片工作状态下的结温。通过本申请可以实现压接型IGBT芯片结温的感知。
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