-
公开(公告)号：CN104498904A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410844764.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565
Abstract: 一种用于MOCVD设备的喷淋头，属于气体喷淋装置，解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题，同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本发明包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管，顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、中间气腔和底层腔体；多根上层气管平行穿过上隔板、下隔板和底盖，多根下层气管平行穿过下隔板和底盖，各上层气管和下层气管下端分别装设有长喷嘴和短喷嘴；长喷嘴和短喷嘴在底盖下表面交错均匀排列。本发明通过对长、短喷嘴的分配方式，可以提高反应腔内气体均匀性，提高反应速率，抑制反应物在顶部避免沉积造成喷口堵塞的情况，能够提高晶体生长质量，显著提高晶体成品率，降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN115821220B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202211522481.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于磁控溅射薄膜沉积相关技术领域，其公开了一种用于多元素复合薄膜制备的磁控靶及溅射方法，磁控靶包括多元素拼接靶、冷却水系统及磁控系统，冷却水系统设置在多元素拼接靶与磁控系统之间；冷却水系统包括冷却水道及磁屏蔽百叶，磁屏蔽百叶设置在冷却水道内，其用于对多元素拼接靶的靶面进行选择性地磁屏蔽；磁屏蔽百叶与多元素拼接靶的位置相对应，且磁屏蔽百叶能够相对于冷却水道旋转及伸缩；磁控靶通过磁屏蔽百叶的旋转及伸缩来控制多元素拼接靶的靶面各个区域的磁场强弱，进而调节多元素拼接靶的各个区域相应元素的溅射强度。本发明实现了单个靶台同时或轮流溅射多种元素，解决了单个磁控靶无法制备复合材料和多层膜的问题。
-
公开(公告)号：CN112748100B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011544011.8
申请日：2020-12-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于飞秒CARS的MOCVD中甲烷光谱成分分析系统及方法，包括MOCVD腔体、激光入射口和激光出射口，激光入射口与飞秒CARS系统的信号输出线连接，所述激光出射口与飞秒CARS系统的信号接收线连接，所述MOCVD腔体中填充透射气相物质。本发明利用飞秒CARS信号测量甲烷分子的振动信息，由于CARS信号的强度通常比自发拉曼信号提高了104～105倍，因而该系统及方法测量精度高，同时采用飞秒激光器，激光脉冲在飞秒级别，响应时间短。同时光学回路布置简单，装置成本较低。
-
公开(公告)号：CN112921307B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110073652.8
申请日：2021-01-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学检测相关技术领域，并公开了一种用于提升MOCVD喷淋均匀性的光学检测装置。该装置包括生长反应单元和光学检测反馈调控单元，生长反应单元包括反应腔体、喷淋头、基座和加热器，气体从进气口进入喷淋头后，从喷淋头中喷出，在被加热后的基板上发生分解反应；光学检测反馈控制单元用于检测从喷淋头中喷出的气体的密度分布场，包括光源、相机和抛物面镜，检测中，打开光源，气体从喷淋头喷出后，气体分布较多的区域的光线被喷出的气体折射无法原路返回，在相机成像中形成较暗的区域，其它光线原路返回，在相机成像中形成较亮的区域，以此获得喷出气体的密度分布。通过本发明，解决喷淋不均匀、无法实时调控等问题。
-
公开(公告)号：CN111460719A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010262241.9
申请日：2020-04-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明属于流体力学仿真领域，并具体公开了适用于含自由界面大变形的多物理场的耦合方法及其应用。该方法包括对多物理场进行网格分散和粒子分散；利用网格算法对除流场以外的物理场进行求解；将除流场以外的物理场中影响流场运动的物理信息导出，利用SPH算法根据导出的物理信息求解流场，并通过对SPH粒子的追踪获得自由界面的复杂变形界面，以此更新流场；将更新后的流场的物理信息导出，并根据其更新除流场以外的物理场；根据更新后的除流场以外的物理场重复以上步骤，直至模拟时间达到结束时间。利用SPH算法求解复杂流场，并利用网格算法对已有物理模型的物理场进行计算，以此克服带有复杂流场界面变化的多物理场问题的仿真难题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110570910A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910763813.9
申请日：2019-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于图形衬底技术生长氮化镓薄膜的降低位错密度的方法及系统，属于氮化镓薄膜领域，该方法包括：根据爬坡弹性带理论和过渡状态理论，对氮化镓薄膜生长过程中原子扩散行为等进行分子动力学和动力学蒙特卡洛计算，模拟出不同衬底模型下原子表面扩散过程，得到扩散活化能矩阵，在以此为输入条件模拟不同温度、压强下薄膜形态、位错线的演化。从而解决目前氮化镓薄膜中位错密度影响其光、电学性能的问题，在此基础之上，进一步计算出低位错密度氮化镓薄膜的优化参数温度、压强及衬底类型等，对改善氮化镓薄膜的光、电学性能、提高其工业价值有着重要的意义。
-
公开(公告)号：CN106952872B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710345190.4
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于芯片封装领域，并公开了一种芯片封装前的预处理方法。其包括：(a)将待处理芯片划分为多个核心功能区，分别且同时加热各个核心功能区，使得各个核心功能区内部形成均匀的热应力；(b)将核心功能区从待处理芯片上分离得到所需待封装的部分，分离过程使得该部分的热应力得以释放，由此完成该待处理芯片封装前的预处理。通过本发明，有效控制芯片切割工艺产生的微裂纹以及其他影响芯片性能的晶体缺陷，提高芯片功能核心区的质量，显著提高芯片成品率和使用性能，降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN104611764B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510029789.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为1:9的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够进一步提高晶体生长的成品率。
-
公开(公告)号：CN104562185B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410829489.3
申请日：2014-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种提拉法晶体生长炉，属于提拉法单晶生长装置，解决现有提拉法晶体生长炉内由于冷却气的非对称流动引起的不稳定性和熔体内包裹体杂质在晶体中聚集的问题。本发明包括炉体、基座、内隔热层、电磁感应加热器、炉盖、坩埚、坩埚盖和籽晶杆；坩埚内固定有坩埚整流筒，坩埚整流筒下端具有沿圆周均布的矩形孔；籽晶杆下部通过径向呈辐射状均匀分布的肋条与隔热环连接，所述隔热环为圆环形，其外径与内隔热层的内径相适应。本发明设计简单可靠，能够有效的调节冷却气和熔体的流场，进而改善温度场，提高生长过程的稳定性，有利于提高高质量单晶的生长效率，节约成本，适用于各种不同温度梯度生长条件的晶体制备。
-
公开(公告)号：CN104514032B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410794501.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/20
Abstract: 本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室，生长室设置有坩埚，绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈，主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈，主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距，有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内，绝热外壳的顶部设置有气流出口，气流出口作为籽晶杆移动通道，绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整生长室局部温度的顶部辅助电阻加热器，所述可伸缩遮热板能调整伸入生长室的长度。本发明能有效的抑制晶体缺陷，提高晶体质量，也能显著的提高晶体成品率，降低生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
61
records
(took 0.024 seconds)
