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公开(公告)号：CN114300617A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111080160.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于有机/高分子信息存储器件领域，具体提供一种用于生物突触模拟和神经形态计算的聚(硫族紫精‑三苯胺)材料高分子忆阻器及其制备。该器件结构为经典的三明治结构，底电极为ITO，活性层为含有硫族元素(S,Se,Te)侨联的紫精和三苯胺氧化还原结构单元的PCVTPA薄膜(包括PSVTPA,PSeVTPA,PTeVTPA)，顶电极为Al。通过对该器件施加持续扫描的循环电压，其电流电压曲线表现出基于历史依赖的忆阻性能，可以用来模拟突触电位/抑制、人类的学习和记忆功能，从短期突触可塑性到长期可塑性的过渡，而且还可以进行十进制的算术功能。
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公开(公告)号：CN111834526A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010652703.8
申请日：2020-07-08
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体提供了一种基于聚苯胺修饰黑磷纳米片的多功能电子器件及其制备方法和应用，同时具备忆阻器性能和非易失性可擦写阻变存储性能。本发明中器件结构为经典的三明治结构，顶电极为Al，活性层为聚苯胺修饰的黑磷纳米片，底电极为ITO(氧化铟锡)。该器件在小电压窗口表现出忆阻器特性，且具有良好的线性关系；在大电压窗口则表现出双稳态非易失性可擦写行为，具有良好的保持性和耐受性。
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公开(公告)号：CN109841736B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201811394320.4
申请日：2018-11-21
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于信息存储器件技术领域，具体提供一种基于电化学方法精确构造有机异质结阻变存储器件及其应用。该器件有底电极，具有给体性质的活性层，具有受体性质的活性层以及点状顶电极组成，其中给体和受体活性层的都是基于电聚合方法进行可控制备的。对该有机异质结存储器件施加不同的电压时，该器件表现出不同的电阻状态，具有信息存储功能。得益于电化学方法的优势，使得给体活性层与底电极之间以及给体活性层与受体活性层之间的连接更加紧密，接触电阻更小，改善了器件工作时载流子的注入和传输。因此，存储器件具有低的开启电压，优异的可重复读写性和稳定性。本发明提供的利用电聚合的方法制备异质结，简单高效，成本低，可大面积制备。
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公开(公告)号：CN110844895A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910843187.4
申请日：2019-09-06
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于黑磷纳米片的多功能反应平台及其构建方法和应用。借鉴贻贝灵感化学，利用多巴胺能在弱碱性条件下发生自聚合的特性，在各种基底表面形成聚多巴胺薄膜涂层。聚多巴胺薄膜涂层表面拥有大量的邻苯二酚，吡啶和吡咯官能团，这使得许多功能性材料能够通过迈克尔加成反应和单电子自由基聚合反应等接枝到经聚多巴胺修饰后的黑磷纳米片表面，从而达到对黑磷纳米片功能性调控的目的，拓宽了基于黑磷材料的应用范围。本发明适用于4，4，4，4-四叔丁基氧钛酞菁(tBu4PcTiO)，氨基(多聚左旋赖氨酸)，巯基(甲氧基聚乙二醇巯基)，卤素(2-溴丙酰溴)等能与聚多巴胺反应的功能性材料。
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公开(公告)号：CN110804142A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911159712.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 华东理工大学
IPC: C08F292/00 , C08F220/32 , C08F4/00
Abstract: 本发明属于分子内含有酰氯基团的原子转移自由基聚合(ATRP)试剂通过共价修饰的方法对BP纳米片进行接枝，获得一种新型的基于黑磷的ATRP试剂的方法。该方法适用于各种分子内含有酰氯的ATRP试剂并且能够有效适用于一系列ATRP聚合的单体，为黑磷纳米片的修饰提供了一个平台，同时用该方法所述的材料进行聚合物修饰的黑磷纳米片材料相比纯黑磷纳米片还具有突出的溶解性以及电荷传输性质，这使其在光电器件方面有着广泛的应用前景。本发明适用于2-溴异丁酰溴(BIBB)、2-氯丙酰氯等分子内包含酰氯的ATRP试剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110699387A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911039158.9
申请日：2019-10-29
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明涉及到一种使用生物可降解有机酸催化剂的木质纤维素预处理方法，以及有机酸催化剂的完全生物降解方法。具体步骤为：(1)配置5～10％(w/v)的草酸溶液；(2)木质纤维素物料与草酸溶液以1:2-3:1的高固液比在预处理反应器中均匀混合；(3)在预处理反应器中喷射低压蒸汽；(4)对草酸及预处理过程中产生的抑制物使用特定微生物菌株进行生物降解。最终预处理物料中有机酸催化剂及抑制物无残余，物料含水量不超过60％，呈干固颗粒状，无游离废水产生。本发明固态草酸的运输、储存以及使用的安全性更高；高固液比实现过程中游离废水的零排放和蒸汽低用量；同时也基本排除了木质素残渣焚烧过程中的二氧化硫排放问题。
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公开(公告)号：CN110203916A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910402939.3
申请日：2019-05-15
Applicant: 华东理工大学
IPC: C01B32/194 , C08G61/12 , H01L45/00
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体提供了基于石墨烯复合材料制备柔性可拉伸存储器件的方法，还涉及一种电活性高分子共价修饰石墨烯复合材料及其制备方法。本发明中器件基底为PDMS(聚二甲基硅氧烷)、底电极为ITO(氧化铟锡)、中间活性层为GO-P3HT以及顶电极为Al。器件表现为非易失性可擦写存储性能，并且器件在向内弯曲，向外弯曲以及拉伸条件下能也能保持稳定的非易失性可擦除存储性能。
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公开(公告)号：CN110171820A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910402924.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 华东理工大学
IPC: C01B32/194 , H01L45/00
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种同时具有给体和受体基团的高分子共价修饰的石墨烯材料及其制法和应用。本发明还提供了基于石墨烯材料构造三态阻变存储器件的方法。本发明中器件由底电极，基于高分子修饰石墨烯材料的活性层以及顶点极构成，其中高分子具有给体和受体两种类型基团。对该存储器件施加不同的电压时，该器件表现出三种不同的电阻状态，具有存储功能。由于施加电压时存储器件表现为三种电阻态，相对于双稳态器件，该器件存储密度从2n提高到了3n，能够存储更多的信息。该器件具有良好的稳定性，制备过程简单，成本低，可大面积制备。
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公开(公告)号：CN110156962A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201811468462.0
申请日：2018-12-03
Applicant: 华东理工大学
IPC: C08G61/12 , C09K11/06 , C01B32/168
Abstract: 本发明属于有机发光材料及共价修饰碳纳米管技术领域，具体提供了一种具有聚集诱导发光特性的高分子和其共价修饰碳纳米管及制备方法。本发明的一种具有聚集诱导发光特性的高分子，是一种含有四苯基乙烯和芴官能团、通过Suzuki聚合反应制备的具有聚集诱导发光特性的高分子，并通过氮烯反应将其共价修饰到碳纳米管表面，所得的碳纳米管复合材料具有优异的溶解性，突出的光学性质以及电荷传输性质，这赋予其在光电器件方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109971462A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910290515.2
申请日：2019-04-11
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明属于化工材料技术领域，涉及到一种不对称四苯基卟啉重氮盐共价修饰MoS2量子点新型复合材料及其制备方法。本发明中使用不对称卟啉重氮盐直接对MoS2量子点进行共价修饰，具体还涉及一种不对称四苯基卟啉重氮盐的合成和MoS2量子点的制备。通过共价修饰，可有效改善材料溶解性和可加工性，防止再聚集，并且保留了MoS2的半导体特性，制备出的材料具有优良的光学和电学性质。为其今后在光电器件方面的应用提供可能。
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