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公开(公告)号：CN1749422A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510105685.7
申请日：2005-09-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: C22C1/04
Abstract: 本发明属于反应烧结技术领域。传统硬质合金生产流程工艺流程长，需消耗大量能源和水。SHS高温合成法存在成分纯度低、性能差的问题。本发明步骤：在重量百分比78％～80％的WO3和5.0％～8％Co3O4粉末中加入13.0％～15％的炭黑进行球磨，以无水乙醇为保护介质，粉末球磨后烘干，过－120目筛；过筛后的混合粉装入模具，用油压机压紧，放入放电等离子烧结设备烧结；抽真空到3～4Pa，预加10－15MPa压力，以100～120℃/min升温至1000～1100℃保温，真空度由最低点开始提高时，加压至30～50MPa，待真空度恢复到3～4Pa后，以70－80℃/min升温至1200～1300℃保温，保温2～3分钟后降温冷却。本发明工艺简单、操作便利，能降低能耗和成本，与传统方法制造的硬质合金组织、成分均相同。
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公开(公告)号：CN1693284A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510077234.7
申请日：2005-06-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/624
Abstract: 本发明属稀土难熔金属阴极材料领域。现有阴极材料无法满足较高阴极发射能力的电子管和磁控管的要求。本发明材料特征在于：含有占总重4－30％wt的稀土氧化物Ce2O3或Ce2O3、Y2O3的组合，其余为钼。其制备方法：在钼酸铵水溶液中加入稀土硝酸盐水溶液，用量按稀土氧化物占稀土钼粉总质量4－30％wt，然后加入柠檬酸溶液，60－90℃水浴后于100－150℃烘干形成凝胶；500－550℃、大气气氛下，去除胶体中的C和N元素；在氢气气氛下进行还原，第一步为500－550℃，保温2－4小时；第二步还原温度为900－1000℃，时间为1－2小时，获得稀土钼粉，然后用粉末冶金方法制备本发明材料。其次级发射系数高于含镧的阴极材料；最大次级发射系数对应的激活温度低于含镧阴极材料的最佳激活温度。
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公开(公告)号：CN1632897A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510002278.3
申请日：2005-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 稀土氧化物次级发射材料及其制备方法属电子发射材料领域。磁控管是应用广泛的真空微波器件，目前材料为ThO2，具有放射性。本发明以La2O3、Y2O3、Gd2O3单一稀土氧化物或者La2O3－Y2O3、La2O3－Gd2O3、Y2O3－Gd2O3、La2O3－Y2O3－Gd2O3复合稀土氧化物任意一种为原料，与硝酸纤维素、硝化棉有机溶液混合成悬浊液，浸入W、Mo或Ta的海绵体中制成氧化物海绵体阴极。其制备方法包括：以单一稀土氧化物或者复合稀土氧化物为原料磨后粉末与硝酸纤维素、硝化棉有机溶剂混合，制成悬浊液；在W、Mo或Ta薄片上制备W、Mo或Ta的海绵层，海绵层所用粉末颗粒粒径40－60μm，孔度控制在40－60％；将此悬浊液浸入W、Mo或Ta的海绵层，在氢气或真空气氛下进行烧结，烧结温度1800－2000℃。本发明材料次级发射性能优异，对环境友好。
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公开(公告)号：CN1176480C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02131345.8
申请日：2002-09-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于：它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1-10%，铼占1-5%，其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：在蓝钨中，以硝酸钪水溶液形式加入1-10%的氧化钪，同时以铼酸铵水溶液的形式加入1-5%的铼，在氢气气氛中，500-650℃下还原0.5-1.5小时，800-1000℃下还原保温1-3小时，得到掺杂氧化钪的钨粉；将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备烧结体；浸渍铝酸盐，超声波清洗和退火后，制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀，提高了耐高温、抗离子轰击能力，而且本发明的制备方法工艺重复性好。
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公开(公告)号：CN1131330C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN01139972.4
申请日：2001-11-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 二元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的二元稀土钼次级发射材料，其特征在于：它含有La2O3和Y2O3两种稀土氧化物，其稀土氧化物占钼的总重量为10-40%(重量百分比)，其中，La2O3∶Y2O3＝1∶3(重量比)。该二元稀土钼次级发射材料的制备方法是在钼的氧化物或钼粉中，以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的二元稀土氧化物La2O3和Y2O3，然后在500-550℃的氢气中处理1-5小时，经过800-1000℃的还原处理后，得到掺杂稀土氧化物的钼粉，然后采用粉末冶金的方法制备稀土钼次级发射材料。该材料次级发射系数大、发射稳定性好、易于加工、抗暴露大气能力好。该材料应用于磁控管次级发射材料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1124180C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN01134723.6
申请日：2001-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J32/00
Abstract: 本发明属于金属载体制备技术领域。本发明所提供的在金属载体表面制备活性氧化铝层的方法，其特征在于将稀土铁铬铝合金箔材在空气中加热预氧化，氧化温度870～930℃，氧化时间10～24h，然后将氧化后的金属合金箔材直接浸入Al(OH)3胶体溶液，控制Al(OH)3胶体溶液浓度为1.10～1.20g/ml，经过至少4次浸渍、加热分解过程，当金属合金箔材增重达10～20%(重量百分比)时，最终加热分解温度为520～580℃，时间2～4h。通过该方法在金属载体表面制备出的活性氧化铝层为多孔结构，与金属基体结合较好。该活性氧化铝层可用于金属载体表面催化剂的担载。
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公开(公告)号：CN1068953C
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN98102207.3
申请日：1998-06-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01F1/059
Abstract: 一种稀土-铁氮化物永磁材料的制各方法，属于磁性材料制造技术领域。该方法的步骤如下：将至少一种为纳米粉末的稀土元素R、Fe和M按一定比例混合，机械合金化1～16小时，在600～900℃晶化处理15～30分钟形成1∶12型化合物R(Fe，M)12，在350～550℃、1个大气压氮气中，氮化1～5小时，获得1∶12型结构的稀土-铁氮化物R(Fe，M)12Nx。该方法工艺简单，并且制备出R(Fe，M)12Nx永磁材料晶粒细小、纯度高、性能优良，可广泛应用于电器、电机及电子仪器中。
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公开(公告)号：CN1057569C
公开(公告)日：2000-10-18
申请号：CN98102852.7
申请日：1998-07-14
IPC: C22C27/04
Abstract: 本发明涉及一种稀土钨电极材料，材料中含有La2O3、Y2O3和CeO2三种稀土氧化物中的任何两种，每种稀土氧化物含量0.45～1.75%(重量)，稀土氧化物的总含量2～2.2%(重量)。经过还原、压型、预烧结、垂熔烧结和旋锻加工等工序制成各种规格的电极。该电极引弧性能好，使用寿命高于钍钨和铈钨电极，可用作惰性气体保护焊和等离子焊接、切割、喷涂、熔炼以及特殊电光源中。
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公开(公告)号：CN1235204A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN99107453.X
申请日：1999-05-21
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明涉及一种多晶织构银基带及其制备方法和应用,属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜的制备技术领域。本发明多晶织构银基带具有单组分{110}双轴织构或立方织构。对于单组分{110}双轴织构,采用冷轧及再结晶退火的方法,对于单组分立方织构,采用温轧及再结晶退火的方法,都可得到多晶织构银基带。不加过渡层,直接在多晶织构银基带上沉积超导薄膜,Jc值可达(2～6)×105A/cm2(77K,OT)。
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公开(公告)号：CN1204696A
公开(公告)日：1999-01-13
申请号：CN98102852.7
申请日：1998-07-14
IPC: C22C27/04
Abstract: 本发明涉及一种稀土钨电极材料,材料中含有La2O3、Y2O3和CeO2三种稀土氧化物中的任何两种,每种稀土氧化物含量0.45～1.75%(重量),稀土氧化物的总含量2～2.2%(重量)。经过还原、压型、预烧结、垂熔烧结和旋锻加工等工序制成各种规格的电极。该电极引弧性能好,使用寿命高于钍钨和铈钨电极,可用作惰性气体保护焊和等离子焊接、切割、喷涂、熔炼以及特殊电光源中。
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