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公开(公告)号：CN114171666A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111353556.5
申请日：2021-11-16
Abstract: 本发明公开了一种双段热电单臂及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明以(Bi,Sb)2Te3基和GeTe基热电材料粉体、对应的金属化层粉体以及两端电极粉体为原料，按特定顺序装入模具，然后通过放电等离子烧结技术，一步制成高稳定性、在较宽范围内保持高转换效率的双段热电单臂，当冷端温度为300K，热端温度为723K时，该类双段热电单臂的热电转换效率可达5.8％以上。
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公开(公告)号：CN111116201B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010015676.3
申请日：2020-01-07
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 一种GeS基热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。本发明采用固相反应法(SSR)结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备，以Ge粉、S粉及掺杂元素A作为原料，所述A为Se或Te，按照化学通式GeS1‑xAx(0≤x≤0.05)进行配比，利用低温固相反应制备成分均匀的前驱体粉体，再结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备多晶GeS基热电材料块体。本发明制备的多晶GeS热电材料沿垂直SPS压力方向上的功率因子0.02‑4μWm‑1K‑2，热导率为1.3‑2.5Wm‑1K‑1。平行SPS压力方向的功率因子为0.01‑2μWm‑1K‑2，热导率为0.5‑1.5Wm‑1K‑1。利用固相反应法结合SPS法制备多晶GeS块体热电材料具有过程简单便易操作，对设备和制备环境要求低，烧结温度低等特点。制备的多晶GeS热电材料有可能在温差发电和热电制冷等领域得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN109794268B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910063896.0
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: B01J27/057 , B01J35/10 , C09K11/88 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 一种MoSe2纳米片包覆KNbO3纳米线异质结构光催化材料的制备方法，属于光催化领域。本发明以铌粉(Nb)、氢氧化钾(KOH)、钼酸钠(Na2MoO4·2H2O)、硒粉(Se)为原料，通过简单的水热法和溶剂热法，制得结晶性良好的KNbO3/MoSe2异质结构光催化材料。所述的水热法是用于合成KNbO3纳米线，所述的溶剂热法是用于合成KNbO3/MoSe2异质结构光催化材料。本发明提供的制备方法简单，实验条件易控，首次合成了KNbO3/MoSe2异质结构光催化材料。其显著提高的光催化性能归因于异质结构的协同效应和铁电体自发极化产生的內建电场促进电荷分离的作用。
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公开(公告)号：CN109449277B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201811239379.6
申请日：2018-10-23
Abstract: 一种双层/多层热电器件，属于热电转换技术领域。双层/多层热电器件至少包含对应两个不同温度段的热电分模块以及位于两者之前的绝缘材料层，至少一个热电分模块中包含一种低温电导率较低而高温电导率较，即高温ZT值比低温ZT值高10倍以上的热电材料；所述室温电导率较低而高温电导率较高的热电材料对应高温段热电分模块；每个热电分模块包含若干对n型和/或p型热电臂，每个热电臂的内部结构为五层，自上向下为:高熔点金属层，金属化层，热电材料，金属化层，高熔点金属层。所得双层/多层热电材料器件在即使温差只有300k以下时，仍然能保持最大转化效率ηmax不小于3％。本发明对烧结工艺的要求不高，对设备的要求更低，生产成本低廉，更加适合工业大规模生产的要求。
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公开(公告)号：CN111205076A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010140670.9
申请日：2020-03-03
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 一种铁酸铋-钛酸钡压电陶瓷的制备方法，属于无铅压电陶瓷制备技术领域。所述制备方法以Fe2O3、Bi2O3和BaTiO3为原料，将称好的原料置于行星式球磨机中进行球磨混料，将混合后的原料放置于干燥箱内烘干，获得原料粉。在原料粉中加入浓度为2wt％的聚乙烯醇(PVA)后充分研磨造粒，称量0.3～0.4g造粒粉料放入直径为10mm的金属模具中，用手动压片机压制成型，获得陶瓷坯体。将陶瓷坯体置于马弗炉中，升温至在300～600℃，并保温1～2h，进行排胶，然后升温至700～850℃，保温1～3h，最后在950～1000℃下烧结6～12h，制备所需陶瓷。本发明一步焙烧、烧结合成BiFeO3-BaTiO3陶瓷，相比于传统工艺，少了焙烧降温、二次球磨等工艺，制备方法简单，所需时间短，节约能耗；能制备结晶性良好、成分均匀、结构致密的BiFeO3-BaTiO3陶瓷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111116201A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010015676.3
申请日：2020-01-07
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 一种GeS基热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。本发明采用固相反应法(SSR)结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备，以Ge粉、S粉及掺杂元素A作为原料，所述A为Se或Te，按照化学通式GeS1-xAx(0≤x≤0.05)进行配比，利用低温固相反应制备成分均匀的前驱体粉体，再结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备多晶GeS基热电材料块体。本发明制备的多晶GeS热电材料沿垂直SPS压力方向上的功率因子0.02-4μWm-1K-2，热导率为1.3-2.5Wm-1K-1。平行SPS压力方向的功率因子为0.01-2μWm-1K-2，热导率为0.5-1.5Wm-1K-1。利用固相反应法结合SPS法制备多晶GeS块体热电材料具有过程简单便易操作，对设备和制备环境要求低，烧结温度低等特点。制备的多晶GeS热电材料有可能在温差发电和热电制冷等领域得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN108492993A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810205133.0
申请日：2018-03-13
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01G9/2036
Abstract: 本发明公开了一种贵金属修饰TiO2-BaTiO3核壳纳米线阵列复合光阳极的制备方法，涉及一种可有效利用可见光用于光电催化分解水制氢的新型复合光阳极，属于电极材料制备技术领域。所述的复合光阳极包括氟掺杂二氧化锡导电玻璃(FTO导电玻璃)基板、TiO2-BaTiO3核壳结构纳米线阵列和Ag纳米颗粒。其制备方法包括TiO2-BaTiO3核壳结构纳米线阵列的制备和Ag纳米颗粒的负载。本发明提供的制备方法操作工艺简单，负载量易控制；制备的复合光阳极材料能够有效吸收可见光、光响应程度高，BaTiO3铁电极化形成的内建电场可促进光生电子和空穴的分离。本发明能够使可见光下水分解制氢的光电催化性能得到最大优化。
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公开(公告)号：CN103638950B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310690543.6
申请日：2013-12-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种CuS纳米片光催化材料及制备方法，属于能源材料技术领域。其特征是：将可溶性铜盐和CS(NH2)2分别溶于乙二醇中，制成浓度均为0.1 mol/L的Cu2+溶液A和CS(NH2)2溶液B；取适量A、B溶液，混合配置成Cu2+ : CS(NH2)2摩尔比为1:1 ~ 8的C溶液；溶入PVP，使体系中Cu2+ : PVP摩尔比 = 1:0.1 ~ 6，得到前驱物溶液D；将前驱物溶液D倒入水热釜，填充度为30% ~80%，然后密封反应釜，在80 ~180℃下保温0.5 ~ 10 h；待溶剂热反应结束，产物经离心收集，用去离子水、无水乙醇洗涤后，并置于烘箱中在40 ~ 80℃下干燥，得到CuS纳米片光催化材料。该光催化材料在可见光区有较强的光吸收性，可见光利用率高，光催化性能好，所采用的制备方法所需原料廉价易得，无污染，制备工艺流程短，方便、快捷。
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公开(公告)号：CN103706792B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310743768.3
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Al掺杂ZnO织构热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。其特征是：以乙酸锌和硝酸铝为原料，按照化学通式Zn1-xAlxO(0.001≤x≤0.5mol)配置，三乙醇胺作为表面活性剂，去离子水为溶剂，pH值为7.0~9.0，在120～240℃水热反应6～80h，制备了由10～800nm纳米颗粒自组装而成的直径为1～10μm的纳微复合球状粉体，再通过放电等离子烧结技术，在压力30～200MPa，温度为850～1400℃下，保温烧结1～30min，制备得到织构度为15%～60%Al掺杂ZnO块体材料，晶粒尺寸为100~900nm。该方法能够简单、快捷地制备同时具有纳米和织构结构特征的Al掺杂ZnO块体材料，在提高载流子迁移率的同时降低热导率，使热电性能得到提高。
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公开(公告)号：CN103715349A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310743438.4
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 一种Ni掺杂ZnO织构热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。其特征是：以乙酸锌和硝酸镍为原料，按照化学通式Zn1-xNixO(0.001≤x≤0.5mol)配置，三乙醇胺作为表面活性剂，去离子水为溶剂，pH值为7.0~9.0，在120～240℃水热反应6～80h，制备了由10～900nm纳米颗粒自组装而成的直径为1～15μm的纳微复合球状粉体，再通过放电等离子烧结技术，在压力30～200MPa，温度为850～1400℃下，保温烧结1～30min，制备得到织构度为20%～70%Ni掺杂ZnO块体材料，晶粒尺寸为100~900nm。该方法能够简单、快捷地制备同时具有纳米和织构结构特征的Ni掺杂ZnO块体材料，在提高载流子迁移率的同时降低热导率，使热电性能得到提高。
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