公开(公告)号：CN111116201B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202010015676.3

申请日：2020-01-07

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  赵昭 ,  张瑞 ,  吴茵 ,  石建磊

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 一种GeS基热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。本发明采用固相反应法(SSR)结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备，以Ge粉、S粉及掺杂元素A作为原料，所述A为Se或Te，按照化学通式GeS1‑xAx(0≤x≤0.05)进行配比，利用低温固相反应制备成分均匀的前驱体粉体，再结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备多晶GeS基热电材料块体。本发明制备的多晶GeS热电材料沿垂直SPS压力方向上的功率因子0.02‑4μWm‑1K‑2，热导率为1.3‑2.5Wm‑1K‑1。平行SPS压力方向的功率因子为0.01‑2μWm‑1K‑2，热导率为0.5‑1.5Wm‑1K‑1。利用固相反应法结合SPS法制备多晶GeS块体热电材料具有过程简单便易操作，对设备和制备环境要求低，烧结温度低等特点。制备的多晶GeS热电材料有可能在温差发电和热电制冷等领域得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN111116201A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN202010015676.3

申请日：2020-01-07

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  赵昭 ,  张瑞 ,  吴茵 ,  石建磊

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 一种GeS基热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。本发明采用固相反应法(SSR)结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备，以Ge粉、S粉及掺杂元素A作为原料，所述A为Se或Te，按照化学通式GeS1-xAx(0≤x≤0.05)进行配比，利用低温固相反应制备成分均匀的前驱体粉体，再结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备多晶GeS基热电材料块体。本发明制备的多晶GeS热电材料沿垂直SPS压力方向上的功率因子0.02-4μWm-1K-2，热导率为1.3-2.5Wm-1K-1。平行SPS压力方向的功率因子为0.01-2μWm-1K-2，热导率为0.5-1.5Wm-1K-1。利用固相反应法结合SPS法制备多晶GeS块体热电材料具有过程简单便易操作，对设备和制备环境要求低，烧结温度低等特点。制备的多晶GeS热电材料有可能在温差发电和热电制冷等领域得到广泛的应用。