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公开(公告)号：CN111470500B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910062667.7
申请日：2019-01-23
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种生物活性配体功能化石墨烯薄膜及其制备方法。所述生物活性配体连接于石墨烯薄膜上，生物活性配体为Ni‑氨三乙酸配体；所述生物活性配体功能化石墨烯薄膜的制备方法为：将石墨烯薄膜转移至电镜载网上；采用高锰酸钾和碱性化合物的混合水溶液处理石墨烯薄膜；采用氨三乙酸活化石墨烯薄膜，然后与镍盐反应即得。本发明中石墨烯的功能化修饰可解决石墨烯的疏水性问题，利用化学链接引入高密度的生物活性配体，可以实现支持膜与生物分子的选择特异性结合，准确控制蛋白质分布。本发明生物活性配体功能化石墨烯薄膜可通过在未来优化中直接定位或捕获细胞裂解物中的目标生物分子，将生物分子纯化和冷冻电镜样品制备结合到一个步骤中是可预期的。
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公开(公告)号：CN108726510B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710260014.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186 , G01N23/22 , G01Q60/24
Abstract: 本发明公开了一种大面积超洁净石墨烯及其宏量制备方法与其洁净度的快速评估方法。所述超洁净石墨烯的宏量制备方法包括采用化学气相沉积的步骤；在生长基底的上方设置泡沫铜。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：在石墨烯样品上沉积纳米颗粒；根据所述纳米颗粒的沉积情况，即实现对所述石墨烯样品洁净度的评估。通过泡沫铜的引入，可以得到连续面积在微米级别的超洁净石墨烯，有效地减少了生长过程中引入的无定型吸附物。亚厘米级单晶石墨烯(即单个畴区)经过进一步生长可以拼接为单层石墨烯薄膜，此时单层石墨烯薄膜样品面积只与铜箔大小有关，从而能够实现大面积制备，可推广至大规模生产。
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公开(公告)号：CN109545986B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811166401.9
申请日：2018-10-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种超净界面异质结的制备方法及应用，所述异质结的制备方法包括如下步骤：首先利用化学气相沉积法生长大面积单晶石墨烯膜，然后利用非聚合物辅助的清洁转移方法制备透射电子显微镜网格上的悬浮石墨烯，最后使用一步溶液法在清洁的石墨烯表面上直接合成厚度为5‑100nm的钙钛矿单晶，完成超净界面异质结材料的制备。该方法完全避免了转移过程中的聚合物污染，异质结电子耦合非常好，界面非常干净。同时，根据进一步的表征验证，在超净的界面下，石墨烯作为二维电极及受体材料可实现超快、高效率的载流子收集，此方法得到的异质结具有高达98％的光电流转换效率，并且光生载流子的收集时间尺度为百飞秒量级。
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公开(公告)号：CN109422260A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710761253.4
申请日：2017-08-30
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/196 , C01B32/30
Abstract: 本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如下步骤进行：利用化学气相沉积法制备石墨烯；利用所述活性炭复合物粘附所述石墨烯上的污染物，即得到超洁净石墨烯。本发明提供的多孔的活性炭复合物能够将石墨烯表面原子级厚度的污染物清除干净，使得石墨烯的洁净度达到98％及以上；从而降低石墨烯表面电子、声子散射，提高石墨烯的迁移率、热导率，降低石墨烯与金属电极之间的接触电阻，对于石墨烯的电子器件、光电子器件和散热器件的性质提高极有帮助。
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公开(公告)号：CN106435727B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201611019356.5
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯洁净转移制备高完整度悬空石墨烯薄膜的方法。该方法包括：将生长在生长基底上的二维材料与目标透射基底用低表面张力有机溶剂进行热压印后，刻蚀去除所述生长基底，再用置换液置换所述刻蚀步骤所用刻蚀液，完成所述二维材料由所述生长基底至所述目标透射基底的转移；所述用置换液置换步骤包括如下步骤：先用水，再用由低表面张力有机溶剂和水组成的混合溶液进行置换。该方法工艺简单，可重复性高，兼容性强，可大规模生产，可转移石墨烯单个畴区尺寸从几十微米到亚厘米级均可从，单层石墨烯完整度高90％，少层石墨烯无破损。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107539976A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710845495.1
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原料易得，可以与卷对卷技术相结合实现大规模生产，可以得到超洁净、高质量的大单晶石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN106769287A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611079512.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G01N1/2806 , G01N1/2853 , G01N1/36 , H01J37/20
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯单晶支撑膜载网实现高效率液体封装的方法。该方法包括：将两片分别生长在不同生长基底上的石墨烯均由生长基底转移至透射基底上后，滴加待封装液体至其中一片石墨烯的表面后，在其上覆盖另一片石墨烯，完成封装，得到大量可供透射电镜下原位表征的液泡。该方法工艺简单，可重复性高，可重复性高，可控性强，兼容性强，可在短时间内在几毫米尺寸的样品上制备数千个被石墨烯封装保护的液体池，供透射电镜下原位表征，大大提高了从原子尺度研究反应机理的可能。
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公开(公告)号：CN109422260B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710761253.4
申请日：2017-08-30
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/196 , C01B32/30
Abstract: 本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如下步骤进行：利用化学气相沉积法制备石墨烯；利用所述活性炭复合物粘附所述石墨烯上的污染物，即得到超洁净石墨烯。本发明提供的多孔的活性炭复合物能够将石墨烯表面原子级厚度的污染物清除干净，使得石墨烯的洁净度达到98％及以上；从而降低石墨烯表面电子、声子散射，提高石墨烯的迁移率、热导率，降低石墨烯与金属电极之间的接触电阻，对于石墨烯的电子器件、光电子器件和散热器件的性质提高极有帮助。
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公开(公告)号：CN108732187B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710260012.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积石墨烯洁净度的快速评估方法。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：采用四氯化钛熏蒸的方式在石墨烯样品上沉积二氧化钛纳米颗粒；根据所述二氧化钛纳米颗粒的沉积情形，即实现对石墨烯样品洁净度的评估；所述熏蒸的条件如下：温度为0～30℃；湿度为10～70％；时间为5s～600s；将所述石墨烯样品置于四氯化钛的上方。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：成本低廉、操作方便，且可实现对样品洁净度的大面快速表征。
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公开(公告)号：CN108069416B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201611019880.2
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种超洁净石墨烯及其制备方法。本发明提供的制备超洁净石墨烯的方法，包括如下步骤：将泡沫铜置于铜基底上方并贴靠后，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕即在所述铜基底与所述泡沫铜接触的一面得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，可大规模生产，连续洁净面积达到亚厘米级，能适用于电子学、光学等方面的应用。
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