公开(公告)号：CN104849308A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510243826.5

申请日：2015-05-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭春生 ,  廖之恒 ,  高立 ,  李世伟 ,  冯士维 ,  朱慧

IPC: G01N25/20

Abstract: 一种半导体器件界面热阻的测试方法，在防自激电路保证半导体器件不会产生自激的条件下，基于电学法热阻测试仪对器件的瞬态温升进行测量，利用结构函数法对器件内部多层材料热阻、热容进行分析，提取芯片热阻值。利用提取的芯片热阻值，得到该固定面积下器件在不同SiC层厚度的条件下4个样品的总热阻值。接下来对测得的数据进行分析，通过数据计算出单位厚度的GaN所带来的热阻的增量，同时，通过数据计算出单位厚度的SiC所带来的热阻的增量，通过以上计算分析，得到要测的器件的界面热阻Rth(界面)。

公开(公告)号：CN104808130A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510182241.7

申请日：2015-04-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 廖之恒 ,  郭春生 ,  吕贤亮 ,  高立 ,  李世伟 ,  冯士维 ,  朱慧

IPC: G01R31/26

Abstract: 多路晶体管BE结结温测量装置，装置开关按键用以控制装置电路的开断。PC机通过指令传输模块向FPGA控制模块发出指令，FPGA控制模块的五个管脚连接到开关模块的五个switch输入端，控制MOS组的沟道关断，同时，FPGA控制模块的另五个管脚连接的采集模块的ULN2003控制芯片的五个管脚，经过继电器组，流进外部老化电路中的晶体管的基极，电流通过BE结流回测试模块的回路，通过FPGA控制模块发出指令，通过采集触发端子向MP424采集模块发出指令。MP424采集模块通过采集端子进行数据采集。本发明能够实时监控晶体管在老化过程中BE结结温，采用电子控制方式断电，能够精确地保证被测器具在断电瞬间完成测试，确保试验符合标准要求。

公开(公告)号：CN104568604A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410817306.6

申请日：2014-12-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱慧 ,  刘琨 ,  冯士维 ,  郭春生

IPC: G01N3/20

Abstract: 一种用于对薄膜样品施加动态均匀应力的四点法装置，属于压力加工技术领域。包括用于支撑整个机械装置的支架、支撑齿轮传动装置的钢板、实施加载力的齿轮、使齿轮自由转动的轴承和轴、通过程序控制并带动整个齿轮装置的步进电机；其特征在于通过程序控制步进电机转动，通过齿轮之间的啮合传动，使实施加载力的两个齿轮转动方向相反，从而对样品实施加载力，并且样品受到的应力均匀分布，随齿轮转动而均匀变化，使样品不容易损坏，每次试验，装置各部分位置固定，不需要重新布置，操作简单方便，实验效率高。

公开(公告)号：CN103246787A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310201219.3

申请日：2013-05-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭春生 ,  张燕峰 ,  冯士维 ,  万宁 ,  李睿 ,  朱慧

IPC: G06F17/50 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种快速评价半导体器件可靠性的方法，属于可靠性评价技术领域。该方法利用半导体器件的参数退化模型，对半导体器件的可靠性进行评价。参数退化模型是基于均相反应动力学原理，考虑退化过程中反应量的浓度变化规律建立的。本方法解决了退化量随时间单调退化、先上升后下降或先下降后上升等非单调退化等实验中半导体器件参数的不同退化规律问题，利用参数退化模型快速外推器件长期退化规律，评价器件的可靠性，缩短实验时间。