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公开(公告)号:CN105855697B
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201610218392.8
申请日:2016-04-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/046 , B23K26/70 , B23K37/047 , B23K26/36 , B23K26/402
Abstract: 一种激光三维精细曲面铣削的方法,属于激光加工领域,涉及一种高效的曲面构件精密三维铣削。本发明包括一种新的加工路径的选取方式,一种新型的焦点的选取方式,以及一种专用的加工夹具。本发明根据待加工曲面轮廓对焦点位置进行三维空间定位,实现包括球形构件在内的曲面构件的型面高精度激光加工。可有效避免因加工面高度变化对激光离焦量的干扰,加工过程中无需采用Z轴实时随动,即可通过严格约束激光束沿曲面聚焦扫描路径的坐标位置达到确保加工精度的曲面铣削目的。定位工艺简单,加工效率高,并且所加工的曲面轮廓适用性广。
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公开(公告)号:CN106312341B
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:CN201610993833.1
申请日:2016-11-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/70 , B23K37/04 , B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/40
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/702 , B23K37/0443 , B23K2101/20
Abstract: 本发明公开了用于刀具刃口加工的工装夹具、装置及方法,工装夹具包括:夹具壳体内设有可转动的斜面底座,通过角度调节装置调节斜面底座的角度;斜面底座上装有上料板,上料板上均布有多个用于夹持待加工刀具并完成刃口加工的通槽;本发明的装置及方法为控制器分别与激光器、激光振镜相连,激光器的激光依次经过反射透镜和激光振镜使激光垂直于基准面入射至安装在上料板上的待加工刀具,完成刀具刃口的加工;其中,激光参数包括波长100nm~1064nm或10.6um,平均脉冲功率1w~500w,脉宽10ps~300ns,重复频率200kHz~10MHz。
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公开(公告)号:CN104195644B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410361090.7
申请日:2014-07-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光?化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2?400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70?80℃环境中,腐蚀10s?30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。
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公开(公告)号:CN104195644A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201410361090.7
申请日:2014-07-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法,属于晶硅表面微结构制备领域。本发明首先对单晶硅进行预处理并在其表面覆盖周期密排的微球;采用248nm激光器进行辐照,单脉冲能量密度100mJ/cm2-400mJ/cm2;辐照后对单晶硅样品进行一定处理去除表面残留的微球;去除结束后,将其浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中,水浴温度70-80℃环境中,腐蚀10s-30s,取出使用去离子水清洗,得到具有正金字塔阵列的单晶硅片,本发明发挥了激光可控性,能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的金字塔阵列,并且对金字塔成形具有高可控性,能够对金字塔阵列的间距以及形貌特征进行调控,同时所用原料低廉,具有较高的实用性。
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公开(公告)号:CN104057205A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201410270017.9
申请日:2014-06-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/36
CPC classification number: B08B7/0042
Abstract: 本发明是一种超短脉冲激光辐照方式去除脱落正畸托槽底板粘结剂的方法。所用装置包括、具有可见指示光的超短脉冲激光器、光束能量整形系统、具有滤波单元的实时监控系统、正畸托槽夹具。通过光束能量整形系统,在能量分布上对超短脉冲激光器输出的光束进行了变换,其80%以上的能量都集中在光斑总面积四分之一的中心圆形区域内,配合兆赫兹以上的脉冲频率,引发热弹性波机制,使粘结剂由块状变为粉末状而自动脱离托槽底板表面。该方法利用了高频率的超短脉冲激光所引发的热弹性波机制,使得陶瓷托槽的美观性基本未受到损伤,仅在其底板表面浅层留有小黑点,但不影响其进行牙面粘结后的美观性,因此具有较高的临床应用价值。本方法简单高效。
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公开(公告)号:CN103227237A
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN201310084670.1
申请日:2013-03-15
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了晶硅太阳能电池表面绒层和隔离层的激光一次成型方法。本发明包括以下步骤:1.清洗晶硅硅片;2.制备表面绒层:氩气氛围下用透镜聚焦后的激光器光源扫描硅片表面,形成具有硅微粒和微凹陷的绒层。3.制备隔离层:采用同步送氧气,继续用激光扫描黑硅的边缘,得到二氧化硅隔离层。本发明的有效增益如下:表面绒层和绝缘层可一次成型;仅在氩气氛围下即可制备表面绒层,条件易满足,且得到的绒层250nm~1050nm波段的光反射率在10%以下;提出了绒层和隔离层在同一层面的晶硅太阳电池新结构,隔离层的制备提高了表面绒层利用率;表面绒层和隔离层制备,只涉及氩气和氧气,绿色环保。
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公开(公告)号:CN102030486A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010515828.2
申请日:2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C03C27/00
Abstract: 本发明公开了一种玻璃-可伐合金激光焊接方法及其专用夹具,属于激光焊接技术领域。该装置包括夹具底座、弹簧、中间件和夹具罩;弹簧置于夹具底座上表面的圆形槽内;中间件通过下表面的圆形槽置于弹簧上,上表面施焊区设有通道,通道通过气孔与外界相通;夹具罩下表面设的凹槽可与中间件间隙配合,凹槽侧面的通气孔与夹具罩上的通道连通,在夹具罩设有微调螺母;夹具底座与夹具罩通过活扣固定加紧。焊接方法为:将可伐合金表面的杂质和氧化层除去并制备具有微结构的新氧化层,然后将玻璃和可伐合金用上述夹具进行焊接。本发明适用范围广,可进行大尺寸硼硅3.3.玻璃-可伐合金焊接,对材料的没有特殊机械结构的要求,焊接条件要求简单。
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公开(公告)号:CN101439968A
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN200810240894.6
申请日:2008-12-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/64
Abstract: 一种实现(Ta2O5)1-x(TiO2)x基陶瓷介电温度系数热补偿的方法属于陶瓷材料制备领域。采用引入新组元调节介电温度系数的方法造成杂质污染的同时影响材料的其他介电性能。本发明通过采用二氧化碳激光器作为热源原位直接烧结(Ta2O5)1-x(TiO2)x基陶瓷坯体后,0.35≤X≤0.6,再于氧气氛中退火调节介电温度系数,烧结工艺参数为:将激光功率密度在10-30s内从初值10-30W/cm2提高至500-800W/cm2,烧结10-30s后,再于10-60s内降到初值;退火温度750-1100℃,0.1-0.5MPa的氧气氛,退火时间6-10小时。本发明方法简单易行,实现无污染调和。
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公开(公告)号:CN1233591C
公开(公告)日:2005-12-28
申请号:CN200410050131.7
申请日:2004-06-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种Ta2O5基透明陶瓷制品及其激光快速制备方法,属于陶瓷材料制备领域。该陶瓷由以下方法制备:将Ta2O5粉料或按化学计量配比92∶8混合的Ta2O5和TiO2粉料,在1200~1350℃预烧4.8~5.6小时,然后压成Ta2O5基陶瓷坯材;在50~90s时间内,采用功率密度800~1250w/cm2的激光辐照上述Ta2O5基陶瓷坯材,进行预热;上述预热结束后,采用功率密度4800~5700w/cm2的激光烧结30~50s后,试样冷却至室温。该Ta2O5基透明陶瓷(如图所示)密度高,最低相对密度大于97%,平均相对密度近似理论密度;所用原料粉可以为普通工业用粉料,工艺简化,能耗低、时耗小,大大节约制备成本。
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公开(公告)号:CN1654421A
公开(公告)日:2005-08-17
申请号:CN200510051095.0
申请日:2005-03-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/64
Abstract: 一种六方相钛酸钡陶瓷的激光制备方法,属于陶瓷制备领域。其特征在于,它包括如下步骤:采用传统的固相反应方法制备出BaTiO3陶瓷坯材样品,采用大功率激光作为直接辐照源,采用扫描的方式辐照陶瓷坯材,在10~60秒内将激光功率密度从初值0连续提高到466~777w/cm2,经过20~60秒的烧结后,在10~60秒的时间内连续降低功率密度;激光关光,样品冷却成瓷。本实验制备的BaTiO3陶瓷呈六方相,制备时间短,过程易于控制,工艺重复性高,可实现无污染烧结。
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