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公开(公告)号：CN114335297A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111682183.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及LED封装技术领域，尤指一种LED透镜的丝印封装方法，包括如下步骤：LED芯片与LED基板完成电气连接；将丝印钢网与LED基板对位，向丝印钢网倒入无机粘合剂，进行丝印封装；取出完成丝印封装的LED基板，将透镜与LED基板进行贴合，获得无机封装LED结构；对无机封装LED结构进行检测后，再进行固化，从而形成LED的气密性封装结构。本发明采用无机气密封装焊接技术形成优化封装结构，提高LED出光效率。
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公开(公告)号：CN109982478B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201910096408.6
申请日：2019-01-31
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
IPC: H05B45/325 , H05B45/20
Abstract: 本发明提供一种白光发光二极管的调光方法，所述方法包括：分别测量红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管在额定电流工作状态下单独发光的光谱功率；计算所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管的相对混光比例；根据所述相对混光比例，利用控制单元对所述红色发光二极管、所述黄色发光二极管、所述蓝色发光二极管以及所述绿色发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN109979927A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910312523.2
申请日：2019-04-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及LED光源技术领域，具体涉及一种用于远距离可见光通信的LED发光模组及其制备方法，包括有LED基板、若干个LED芯片和电极，还包括有光学碗杯、负菲尼尔小透镜、反光杯和正菲尼尔大透镜，实现LED发光模组光照面积小、光输出集中、及发光均匀和光照度高，从而使LED发光模组发出的可见光实现长距离传输，本发明的制备方法，采用LED基板、两次光学透镜、LED倒装Flip Chip的散热结构和互连封装工艺，实现高散热、大功率、小角度、高光效、远距离通信LED发光模组的可靠封装。
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公开(公告)号：CN109326706A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811094774.X
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2933/0066
Abstract: 一种基于石墨烯合金线的LED封装方法，包括步骤：清洗LED支架并烘干；然后将解冻后固晶胶水涂覆在LED支架表面，将LED晶片放置于涂有固晶胶水的LED支架上；将LED支架放入LED烤箱进行烘烤固定，烘烤完后进行拉力测试；选取石墨烯合金线作为引线，将引线的一端键合在LED晶片电极上，将引线另一端键合在LED支架上，实现将LED晶片的正负极与LED支架的正负极电性连接；选择好荧光粉，在焊完线后的LED支架进行点胶封装；将点完荧光粉胶的LED支架放进烤箱中，进行烤干固化，同时对LED晶片进行热老化。本发明不仅制造成本低、价格便宜，而且具有优异的导电性能、极高的强度与柔韧性、非常好的热传导性能。
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公开(公告)号：CN105977365A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610334150.5
申请日：2016-05-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中皓照明科技有限公司
CPC classification number: H01L33/501 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明公开了一种COB LED封装装置及方法，所述装置包括具有腔体的Bonding模板，该Bonding模板底面设有钢网底板，该钢网底板上设有封装胶开口，Bonding模板的腔体内活动设有封装胶体挂板，腔体内置放有封装胶，封装胶包括LED荧光粉封装胶和UV胶。本发明操作方便，效率高，简化了封装工艺和降低了封装成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094173B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210559394.5
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种多夹头晶片夹具，通过施力于夹臂控制夹头，减小各夹头之间距使其合拢并接触晶片的侧边缘，来完成夹片操作。本发明包含有四个及以上夹头，夹头安装在夹臂末端，在其一个及以上夹臂末端上可安装多个夹头，形成多夹头夹具，部分夹臂相对固定，其余夹臂可定向移动带动夹头靠拢、接触晶片侧边缘实施夹取操作，夹臂之间形成有夹角。本发明的多夹头夹具，仅需其中三个夹头作用在晶片上，便能达到夹具的作用，从而降低对夹头的控制精确度的要求及夹持晶片的操控难度，提高安全性。
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公开(公告)号：CN103806092B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410031343.4
申请日：2014-01-23
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于立式氢化物气相外延（HVPE）的反应器，包括轴对称圆柱型腔体、前驱物通道、衬底、石墨圆盘及支撑杆；其中前驱物通道从上至下依次由第一圆筒、过渡段、第二圆筒、裙体扩展段、第三圆筒组成；该反应器还包括设置在第二圆筒中间位置的第二整流板，设置在第三圆筒内部具有周向阵列折流板的第一折流装置；包括设置在通道第一、第二、第三圆筒内部的第一、第二、第三整流板，以及设置在石墨盘径向外围的第二折流装置；包括对反应式腔体外壁进行径向扩充；包括设置在通道第一、第二圆筒内部的第一、第二整流板，设置在第三圆筒内部与石墨盘径向外围的第一、第二折流装置，以及反应气体的径向出口。
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公开(公告)号：CN103614704B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310542018.X
申请日：2013-11-06
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种氢化物气相外延（HVPE）喷头设计，更具体地是提供了一种用于控制前驱物流场的控制棒。在一立式HVPE生长系统的前驱物通道中，所述控制棒包括始段圆环结构，中段实心圆柱体，末段控制端，所述三段同轴。所述圆环结构分为内外两侧，并包含复数个圆形通孔，所述复数个圆形通孔至少一个穿过圆环结构的内外两侧。该圆环结构外径与中段圆柱体直径相等；与中段圆柱体毗邻的末段控制端为圆锥、圆台、倒圆台或圆柱体结构中的一种，所述控制端与中段圆柱体相连处其直径相同。本发明提供的前驱物控制棒能使前驱物径向流场分布的均匀性最佳化，并扩展前驱物流场调控手段。
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公开(公告)号：CN103603049B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310649657.6
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明公开一种能批量生产氮化物单晶体材料的液相外延的多片式氮化物单晶体材料生长装置及方法，其通过设计包括一种搅拌装置的反应釜，该搅拌装置以一定速度旋转而不断吸取溶液，然后在惯性力作用下，溶液加速到一定程度之后水平远离它的旋转中心，形成流动循环，提高溶液的N溶解速度与溶解均匀性，有利于多片晶体生长的一致性及生长速度的提高。同时，通过设计一个用于调节N溶解浓度的预生长室，调控晶体生长的N浓度条件，然后，通过生长室溶液与预生长溶液的循环，使生长室内溶液的N浓度保持一致，从而为高质量多片式氮化物晶体生长提供源源不断的过饱和溶液，充分利用了原材料，提高晶体质量又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN105449052A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410421706.5
申请日：2014-08-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明提供一种采用MOCVD技术制备具有非对称电流扩展层的高效率近紫外LED方法。通过设计新型的LED结构，改善水平方向电流扩展，以提高近紫外LED发光效率的方法。具体方案如下:在n-GaN和InGaN/AlGaN多量子阱有源区之间生长非对称的n型电流扩展层。优化电流扩展层结构如下：(1)非对称Al组分和In组分以及n掺杂渐变的n型AlInGaN电流扩展层；(2)非对称Al组分和In组分以及n掺杂渐变的多周期n型AlInGaN/AlGaN超晶格或量子阱结构电流扩展层；(3)非对称Al组分和In组分以及n掺杂渐变的多周期n型InGaN/AlGaN超晶格或量子阱结构电流扩展层；(4)非对称Al组分In组分以及n掺杂渐变的多周期n型AlInGaN/GaN/AlGaN超晶格或量子阱结构；通过设计新型电流扩展层结构，有效提高近紫外LED发光效率。
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