公开(公告)号：CN109920887A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910179543.7

申请日：2019-03-11

Applicant: 北京大学 ,  合肥彩虹蓝光科技有限公司

Inventor： 陈志忠 ,  詹景麟 ,  康香宁 ,  焦飞 ,  张国义 ,  沈波 ,  唐军 ,  齐胜利 ,  刘亚柱 ,  潘尧波

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱。本发明提出的发光二级管芯片优化了纳米柱的结构，改善了出光效率，具有较大的推广应用价值。

公开(公告)号：CN109904285A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910179765.9

申请日：2019-03-11

Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 唐军 ,  齐胜利 ,  刘亚柱 ,  潘尧波 ,  陈志忠 ,  詹景麟 ,  康香宁 ,  焦飞 ,  张国义 ,  沈波

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/40 ,  H01L33/36

Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；形成绝缘层于所述第一金属电极以及所述第二金属电极之间；其中，形成绝缘层的步骤包括：形成一层光敏性材料于所述外延结构的表面上；对所述光敏材料进行图案化步骤及热固化处理，以形成所述绝缘层。本发明提出的发光二极管芯片制造方法，工艺简单，能够提高产品良率，提高产品性能。

公开(公告)号：CN105088161A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510546784.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 焦飞 ,  赵夔

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明公开了易总基于微波等离子体对铜铟镓硒表面改性的处理方法及系统。本发明通过微波电离惰性气体产生微波等离子体，并作用到铜铟镓硒CIGS薄膜的表面，在微米量级上进行高强度的反溅射和退火，不仅可以去除表面的Cu-Se相，还可以对薄膜进行进一步的退火，减弱Ga的不均匀状况，从而达到材料表面改性的目的；CIGS薄膜做为CIGS太阳能电池的主吸收层，该层薄膜的质量直接决定了CIGS太阳能电池的好坏，经过ECR改性的CIGS薄膜为获得更高光电转换效率的CIGS电池奠定了基础，并经过试验验证，切实可行。

公开(公告)号：CN203055971U

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201320040108.4

申请日：2013-01-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 焦飞 ,  江涛 ,  赵夔 ,  陆真冀

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本实用新型公开了一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备。本实用新型采用单槽多管方式，加热液体流入管式基底的内壁，从内部对管式基底加热，再通过管式基底加热反应溶液，反应溶液可以以常温状态存在，而不影响半导体薄膜生长的进行，能够使反应先在管式基底的外壁优先进行，从而节约溶液；采用独立恒温的高温加热箱提供高温的加热液体作为热源，使得半导体薄膜沉积的温度稳定，实现半导体薄膜沉积的高重复性；采用将溢流结构与管式基底的内部加热有效的结合；采用反应溶液溢流循环系统实现溶液的实时更新，减少浓度降低对后期反应过程的影响，降低废液排放量，减少溶液注入量，适用在各种管式基底上沉积半导体薄膜的工业化批量生产。

公开(公告)号：CN203270030U

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201320196358.7

申请日：2013-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 焦飞 ,  赵夔 ,  陆真冀 ,  江涛

IPC: C23C18/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本实用新型公开了一种平板CIGS太阳能电池用硫化镉化学水浴镀膜反应器。本实用新型的硫化镉化学水浴镀膜反应器包括：硫化镉反应器、化学水浴槽、热水循环管道、热水循环加热装置及反应镀液配制装置；进一步，硫化镉反应器包括：注液管、排液管、密封件及两片基片，两基片之间的距离为1~5mm。本实用新型的超薄型的硫化镉反应器把镉化学反应镀液的用量降低到极点，因此，本实用新型降低了成本；大大减少镉污染；节省了运行费和镉渣后处理费；相对可节约工序能耗60%左右；加热速度加快，使工序节拍加快，可提高原有设备产能；镀膜工艺条件更加易于控制，更加均匀化，提高了硫化镉镀膜质量；拆装操作方便；更有利于工艺设备的小型化。

公开(公告)号：CN209461490U

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201920338507.6

申请日：2019-03-11

Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 唐军 ,  齐胜利 ,  刘亚柱 ,  潘尧波 ,  陈志忠 ,  詹景麟 ,  康香宁 ,  焦飞 ,  张国义 ,  沈波

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

Abstract: 本实用新型提出一种发光二极管芯片，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；金属层，位于所述位于结构上的第一半导体层上；凹槽，位于衬底上，暴露部分所述第二半导体层；金属电极，位于所述金属层及暴露的第二半导体层上，包括第一金属电极，第二金属电极；纳米柱，位于所述衬底上，包括所述第一金属电极，所述金属层，所述第一半导体层，所述发光层以及部分所述第二半导体层，所述纳米柱包括多种不同的结构。本实用新型提出的发光二极管芯片结构简单，能够提高发光二极管芯片的性能。