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公开(公告)号：CN103114332A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110364903.4
申请日：2011-11-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法，属于光电技术领域。该方法利用衬底表面改性技术和应力控制的方法，使GaN单晶和异质衬底之间形成弱连接，使GaN厚膜在降温过程中从界面处自动分离，同时保证异质衬底表面完好，可重复利用。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的高光学和电学性能的厚度为0.1-0.5mm的可用于同质外延的2英寸GaN衬底。
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公开(公告)号：CN103103501A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310012409.0
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用扇形喷头结构，使第一前驱物、第二前驱物、各种保护性气体在大面积反应区域内充分混合后形成较为均匀的流场。本发明包含有一个以上进气管道，进气管道上设有检测并控制进气流速和流量的控制器，喷头腔体内设有一个以上扇形的独立隔离区域，隔离区域顶端密封板连接一个进气管道，隔离区域底端的出气挡板上设有一个及以上的气体喷口，喷头下面设有圆形反应腔。本发明实现Ⅲ族-氮化物半导体材料的大批量生产，提高Ⅲ族-氮化物半导体材料的生产效率。
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公开(公告)号：CN102082216B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910199405.1
申请日：2009-11-26
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/10
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，所述发光二极管芯片的特征在于：在衬底背面制备有复合结构的反射镜，所述复合结构的反射镜自衬底向下依次为折射率为1.1-1.6的电介质层、Al膜层及第二金属层，第二金属层优选为Ag膜层，该反射镜可采用涂敷、PECVD、电子束蒸镀或溅射的方法制备。本发明由于采用了SiO2/Al/Ag复合结构的反射镜，解决了在SiO2上直接镀Ag，造成Ag极易脱落的问题，并克服了Ag膜层在后序的打线工艺中由于加热容易产生金属团簇的现象，使芯片的出光效率提升25％以上。
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公开(公告)号：CN102903653A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210319877.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式，实现汽相外延设备在生长工艺不间断状态下卸载高温生长的晶片。本发明的生长腔侧壁设有进料窗，生长腔下面设有下料腔，下料腔下面设有卸料腔，卸料腔侧壁设有出料窗，卸料腔内设有可升降托盘的底部升降托台，下料腔内设有复数组小型气缸，小型气缸向内的端部设有夹具，下料腔内设有复数的感应加热线圈。本发明尤适用于目前HVPE垂直系统中，可缩短工艺周期、提高生产效率，促进产业化。
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公开(公告)号：CN102005520B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010526312.8
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种LED封装方法，属于光电器件技术领域。该方法在封装过程中，利用AAO模板在环氧树脂上制备出周期性微结构，具体为：制备与所要封装的LED芯片的波长相匹配的周期性微结构的AAO模板；然后将AAO模板均匀铺在LED封装模具的内表面上；最后将液态环氧树脂浇铸到模具里，真空脱气，放入烘箱进行烘烤，待环氧树脂固化后，将所封装的器件从模具上取下，LED器件的环氧树脂的外表面具有与AAO模板一样的周期性微结构。本发明进一步用AAO模板制备出可重复使用、带有周期性微结构的封装模具。本发明通过将AAO模板上的周期性微结构转移到LED封装材料环氧树脂上，改善器件的光学性能，从而提高出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101614685B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910079885.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明公开了一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，所述方法包括以下步骤：利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所产生的无偏压电流的电流方向；根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或外延薄膜材料的极性。另外本发明还公开了一种半导体晶体或外延薄膜材料极性的检测系统。本发明的测试系统可在常温常压下工作，检测精确度高、制样简单快捷、检测速度快，对测试样品具有无损性，而且对测试人员的要求很低，操作非常容易，每个样品的测试时间仅为10分钟左右，更为重要的是整套测试系统价格低廉，可以大大降低测试成本。
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公开(公告)号：CN102041539A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201110002679.4
申请日：2011-01-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积高有序度的GaN基光子晶体模板及其制备方法，属于半导体光子晶体的制备领域。本发明制备GaN基光子晶体的模板为具有有序纳米孔阵列的氧化铝膜，其中孔间距均匀且大小为460±10纳米，纳米孔形状为圆柱状或圆锥状。其制备方法是通过周期性重复调节电压技术，进行多次阳极氧化、扩孔。利用本发明提供的模板制备的GaN基光子结构具有增透或者减反射作用，特别适合于GaN基材料的生长LED及LD光电器件，可提高材料质量及光子的出射效率。
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公开(公告)号：CN101582473B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810106414.7
申请日：2008-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO2薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层。不同形状和尺寸的生长窗口对二次外延器件内部应力的调节可以使同一种生长工艺条件下制备的器件发出不同波段的辐射光。采用这一特殊方法可制备白光LED，即在掩膜的不同区域根据预先设计开设不同形状、尺寸和数量的生长窗口，可从一个器件发出不同波段的辐射光，它们混合后得到白光。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且制备简便，电路简单，无需荧光粉，受命长，具有较高光的电转化效率。
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公开(公告)号：CN101593801B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910057583.0
申请日：2009-07-09
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 彩虹集团公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法，包括如下步骤：1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形；2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构，之后分别制备P电极和N电极；3)从衬底的背面采用激光照射衬底，使衬底与发光二极管结构分离，此时即将微结构图形转移至发光二极管结构中靠近N层的一侧表面。采用本发明的方法，先在衬底上制备图形，之后制备发光二极管及P/N电极，并最终通过激光照射将图形转移到发光二极管结构中靠近N层的一侧表面，使倒装焊接后作为出光面的该侧表面形成图形结构，从而提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101771115A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910076039.0
申请日：2009-01-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理。该方法用于激光剥离后的薄膜倒装结构、垂直注入结构和自支撑垂直结构GaN发光二极管的N面处理，克服了湿法腐蚀及化学机械抛光方法的不足，适合于大规模生产而且不产生副作用，解决了未处理表面降低出光效率的问题。
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