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公开(公告)号：CN1964024A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610144144.X
申请日：2006-11-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/00 , H01L21/3063 , C25F3/12
Abstract: 本发明公开了一种多孔硅片及其制备方法(Silicon on Porous－silicon，SOP)。本发明所提供的多孔硅片，包括位于正面的硅层和与硅层一体成型的多孔硅层。本发明利用多孔硅电化学加工技术在硅衬底上生长多孔硅能够有效提高衬底电阻率，从而非常适合制备低损耗的射频有源无源器件、微波传输线及射频集成电路等等，所预制而得的新型高品质高阻硅片，能够有效提高电路、器件等各方面性能，而且这种新型硅片解决方案成本低廉，工艺简单，不影响后续电路器件制备，与标准微电子工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN1815713A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510130744.6
申请日：2005-12-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种SOC芯片制备方法，在芯片制备过程中，衬底的位于电路一面上设置一正面电极，该正面电极的形状根据衬底上要生成的多孔硅结构不同而不同，其中，电极材料可使用高掺杂多晶硅或P+注入层。针对SOC串扰隔离，多晶硅电极或P+注入层设计为条状；针对射频集成电感，正面电极呈低阻导电带相间隔状。本发明可以实现多孔硅背向选择性的可控生长，而不必变更常规的CMOS工艺步骤，易于实现。
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公开(公告)号：CN1697312A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510011927.6
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾电流源，本发明增加了两个与共源输入MOSFET完全相同的MOSFET，其中一个MOSFET的栅端与输入正信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入负信号的共源MOSFET漏端相连(负输出端)，另一个MOSFET的栅端与输入负信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入正信号的共源MOSFET漏端相连(正输出端)。由于充分利用了深亚微米MOSFET器件工作在饱和区和工作在截止区时器件的栅漏电容相同的特点，本发明具有低压低功耗、高反向隔离度。
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公开(公告)号：CN1697311A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510011928.0
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器，该混频器包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件、电阻、电感、电容，将射频信号和本振信号同时加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置电压以保证器件工作在饱和区，其负载采用电阻、电感、电容或者是三者之间的任意组合，上述MOSFET器件为一个或若干个双栅场效应晶体管，射频信号分别从上述双栅场效应晶体管的前栅/背栅输入，本振信号分别从上述双栅场效应晶体管的背栅/前栅输入，由于在同一个双栅MOS器件中实现了本振信号和射频信号的同时输入，实现了低电压下的混频，有利于低压和低功耗工作，可用于深亚微米RF CMOS电路的应用。
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公开(公告)号：CN116418296A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310402707.4
申请日：2023-04-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03C3/00
Abstract: 本发明公开了一种开关电容数字相位调制器，属于集成电路技术领域。本发明包括相互串联的输入缓冲级、正交信号生成器、开关电容加和阵列和谐振网络，利用开关电容加和阵列实现数字化控制信号移位。本发明可以提高相位调制精度；与传统数字化相位调制器相比，对电路系统架构影响和改动小，可以基于成熟的传统设计方法进行实施，保障了电路设计成功率，提高了电路可靠性。且由于开关电容加和的输出电压线性度较高，因此输出相位具有高线性的特点。
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公开(公告)号：CN114142854A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111355021.1
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请涉及一种频率补偿电路、锁相环补偿电路、方法、设备和存储介质。频率补偿电路包括：频率补偿控制电路、误差获取电路、积分电路和补偿信号输出电路。锁相环电路的相位比较电路将输入的时钟信号与分频电路产生的时钟信号进行对比，产生相位误差信号，通过误差获取电路得到频率误差信号，频率补偿控制电路控制将频率误差信号输出给积分电路，并控制积分电路对进行积分处理，得到频率补偿信号，频率补偿信号经过补偿信号输出电路处理得到目标补偿信号，将目标补偿信号输出振荡电路的输入端，从而使得振荡电路跳过频带重叠的部分，自适应消除振荡电路的频带交叠，该方法能够准确、快速地实现与相位、频率的同步，最终产生高质量的连续调频信号。
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公开(公告)号：CN104980173B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201410138677.1
申请日：2014-04-08
Applicant: 北京大学
IPC: H04B1/04
Abstract: 本发明涉及一种逆D类功率单元，以及采用该逆D类功率单元的全数字射频发射前端集成电路结构。该逆D类功率单元采用I/Q正交‑差分四相结构，差分的两条支路分别由I/Q两路并联而成，每一路均使用两层或多层共源共栅晶体管；I/Q两路在漏极直接相连，形成电流加和。逆D类放大单元的四相LO使用25%占空比的LO信号，由静态与逻辑门控制，从共源管的栅极输入。该射频发射前端集成电路结构包括四相二分频LO信号产生电路，LO驱动/控制电路，以及上述逆D类功率单元。本发明的射频发射前端的输入‑输出响应具有良好的单调性和一致性，具有良好的适配性和可重构性，制造成本低，是一种高性能的全数字正交上变频发射机。
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公开(公告)号：CN104793672B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410020307.8
申请日：2014-01-16
Applicant: 北京大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种高电源抑制比的低压差线性稳压器，其误差放大器的两个输入端为参考电压和反馈电压，误差放大器的输出端接输出管；输出管的漏端为串联的用于提供反馈电压的负载电阻，所述输出管的源端级联NMOS管和Vt偏置追踪电路，所述Vt偏置追踪电路包括串联电阻和连接所述串联电阻的三极管，所述NMOS管连接于输出管的源端和电源电压输入端之间，所述NMOS管的输入端连接所述Vt偏置追踪电路的三极管。本发明具有兼容性好，成本小，面积小，效率高，噪声低，稳定性好，电源抑制比高，适于工作在空负载和全负载下的特点。
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公开(公告)号：CN105811969A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610125649.5
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: H03L7/099
CPC classification number: H03L7/0995 , H03L2207/50
Abstract: 本发明提出了一种采用叠层电流管的高精度数控环形振荡器，包括：一细调阵列，包括多个阵列单元，每个阵列单元包括方向一致的多个阵列MOS管，所述阵列单元按照所述阵列MOS管的宽度W方向串联，按照所述阵列MOS管的长度L方向并联；与所述细调阵列并联的一固定电流电路。能够在有限的最小电流下，实现更高的频率精度；该细调阵列的阵列单元经过了优化，可以使得电流变化的速率很快，即从输入电流控制码切换发生到输出电流变化完成经历的时间很短，使得振荡器满足工作在高速率下的要求。
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