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公开(公告)号：CN117116858A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310987549.3
申请日：2023-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分；在衬底上形成浅沟槽隔离层，以覆盖第二部分；在浅沟槽隔离层之上形成刻蚀阻挡层；基于所述第一部分，形成底层晶体管；倒片并刻蚀衬底以及浅沟槽隔离层，以暴露刻蚀阻挡层以及第二部分；基于第二部分形成顶层晶体管。底层晶体管的第一栅极结构与顶层晶体管的第二栅极结构位于刻蚀阻挡层相对的两侧。
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公开(公告)号：CN117116857A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310986686.5
申请日：2023-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、以及半导体结构。该方法包括：在衬底上形成有源结构，其中，有源结构至少包括第一部分和第二部分；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，其中，第一晶体管的第一栅结构与衬底之间形成有隔离结构；对衬底所在的晶圆进行倒片处理；去除衬底并部分去除隔离结构，以暴露有源结构的第二部分；在隔离结构中形成通孔，其中，通孔暴露第一栅结构；对通孔进行金属化处理；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，其中，第二晶体管的第二栅结构与第一栅结构通过通孔互连。通过本申请的方案，能够实现堆叠晶体管中上下层晶体管的栅极互连。
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公开(公告)号：CN119997595A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510124534.3
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。制备方法包括：在衬底的第一区域上形成第一极结构，并在衬底的第二区域上形成倒装堆叠晶体管中的第一晶体管；倒片并去除衬底；在第一区域上形成第二极结构，并在第二区域上形成倒装堆叠晶体管中的第二晶体管，第二极结构的离子掺杂类型与第一极结构的离子掺杂类型不同；其中，在第一极结构或第二极结构为基极结构的情况下，在基极结构的第三区域通过离子掺杂形成发射极结构，发射极结构的离子掺杂类型与基极结构的离子掺杂类型不同。通过制备与倒装堆叠晶体管工艺兼容的穿通双极结型晶体管，节省工艺步骤，增强半导体器件电路设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN117855144B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202311694452.X
申请日：2023-12-11
Applicant: 北京大学
IPC: H10D84/03 , H01L23/538 , H10D84/83 , H10D64/27
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的源漏互连方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；对第一半导体结构的第一栅极结构和第二半导体结构的第二栅极结构进行栅极切断工艺，以形成栅极切断结构；基于自对准至栅极切断结构的光刻区域，对第一半导体结构的第一层间介质层和第二半导体结构的第二层间介质层进行光刻，以形成第一深槽；在第一深槽中沉积金属，以形成互连通孔结构，互连通孔结构连接第一半导体结构中的第一源漏金属和第二半导体结构中的第二源漏金属。通过本申请，可以实现源漏互连时的自对准。
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公开(公告)号：CN118280925B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410434413.4
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件及电子设备，该半导体器件的制备方法包括：在衬底上形成有源结构；形成第一半导体结构；将第一半导体结构与第一载片晶圆键合并翻转；去除衬底，暴露第二有源结构；形成第二半导体结构；将第二半导体结构与第二载片晶圆键合并翻转；去除第一载片晶圆，暴露第一半导体结构；在第一半导体结构中，形成第一栅极结构；在第一源漏结构上形成第一源漏金属；在第一晶体管上形成第一金属互连结构；将第一金属互连结构与第三载片晶圆键合并翻转；去除第二载片晶圆，以暴露第二半导体结构；形成第二金属互连结构。该方法避免了在形成第二源漏结构时的较高工艺温度影响第一栅极结构和第一金属互连结构。
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公开(公告)号：CN119403125A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411522195.6
申请日：2024-10-29
Applicant: 北京大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器、器件及设备，方法包括：在衬底上沿第一方向依次堆叠形成第一材料层和第二材料层，第一材料层的掺杂浓度和第二材料层的掺杂浓度不同；在WL区域刻蚀第一材料层和第二材料层，以形成半导体结构和BL结构；在WL区域内的BL结构的两侧沉积绝缘介质，以形成介质层；倒片并去除衬底，以暴露半导体结构；在BL区域内刻蚀半导体结构，以形成有源结构；基于有源结构，形成存储器，BL结构作为存储器中的晶体管的源漏结构。本申请通过在WL区域内的BL结构的两侧形成介质层，可以降低BL结构的寄生电容，有利于器件性能的优化。
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公开(公告)号：CN119364839A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411292813.2
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成堆叠结构，堆叠结构包括有源结构和第一牺牲层；在栅极区域内，形成覆盖堆叠结构的伪栅结构；刻蚀未被伪栅结构覆盖的堆叠结构，以形成第一深槽；基于栅极区域内的第一有源结构，在第一深槽内外延生长出第一源漏结构；去除伪栅结构和第一牺牲层，以暴露栅极区域内的有源结构；在被暴露出的有源结构上沉积栅极介质材料，以形成栅介质层；在第一栅介质层之上沉积金属材料，以形成第一栅电极层；倒片并去除半导体衬底；基于栅极区域内的第二有源结构，在第一深槽内外延生长出第二源漏结构；在第二栅介质层之上沉积金属材料，以形成第二栅电极层。
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公开(公告)号：CN119325273A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411295018.9
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；对鳍状结构和衬底进行热氧化处理，以形成输入/输出氧化绝缘层；在输入/输出氧化绝缘层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面和输入/输出氧化绝缘层的一部分；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；去除暴露出来的输入/输出氧化绝缘层和位于第一凹槽侧壁的输入/输出氧化绝缘层，以暴露绝缘隔离层；在第一凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。
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公开(公告)号：CN119317172A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411221468.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成鳍状结构；在鳍状结构和衬底上沉积氧化物，以形成氧化隔离层；在氧化隔离层上沉积第一绝缘材料，形成绝缘隔离层；绝缘隔离层覆盖氧化隔离层的表面；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二鳍状结构的第一表面；刻蚀预设高度的第二鳍状结构，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积氧化物，以形成氧化隔离结构；刻蚀预设高度的氧化隔离结构，以形成第二凹槽；在第二凹槽中沉积第一绝缘材料，以形成绝缘隔离结构；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以降低制备堆叠晶体管的过程中产生的热预算。
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公开(公告)号：CN119317131A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411234319.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；在衬底的横向扩散区域进行离子注入，以形成P型阱区和N型漂移区；刻蚀P型阱区和衬底的核心区域，以形成鳍状结构和平面块状结构；平面块状结构基于横向扩散区域中未被刻蚀的N型漂移区形成；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二鳍状结构，形成第二晶体管；对第一鳍状结构进行第一鳍切处理，以形成第一鳍切沟槽，和/或，对第二鳍状结构进行第二鳍切处理，以形成第二鳍切沟槽；第一鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度；第二鳍切沟槽的刻蚀深度为鳍状结构的高度的一半或等于鳍状结构的高度。
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