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公开(公告)号：CN119731369A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380060517.7
申请日：2023-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 渡部武纪
IPC: C23C16/40 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明为一种成膜方法，其为在被隔壁包覆的成膜部内，对已加热的基板供给载气以及雾，从而利用雾CVD法进行成膜的结晶性氧化物膜的成膜方法，其特征在于，至少在所述基板的加热中，对所述成膜部内输送除所述载气以外的气体。由此，提供一种形成膜表面的颗粒密度显著降低的高品质的结晶性氧化物膜的成膜方法。
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公开(公告)号：CN113196458B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201980083078.5
申请日：2019-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368 , C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明为一种氧化镓膜的制造方法，其为使用载气搬运将原料溶液雾化或液滴化而生成的雾，并加热所述雾，使所述雾在基体上进行热反应从而进行成膜的氧化镓膜的制造方法，其中，使用至少包含氯化物离子与镓离子的原料溶液作为所述原料溶液，将加热所述雾的时间设为0.002秒以上6秒以下。由此，可提供一种低成本且成膜速度优异的α‑氧化镓膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN117242554A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280032175.3
申请日：2022-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人和歌山大学
IPC: H01L21/365
Abstract: 本发明为一种原料溶液的制造方法，其是用于通过雾CVD法来进行成膜的原料溶液的制造方法，将在溶媒中混合包含金属元素的溶质并加以搅拌的温度设为30℃以上；及成膜方法，基于使用通过所述原料溶液的制造方法所制造的原料溶液的雾CVD法来进行。由此，提供一种用于通过雾CVD法来进行成膜，并且成膜速度优异，即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时也能够进行膜中组成的再现性优异的成膜的原料溶液的制造方法；及成膜速度优异，即便在将两种以上的元素的固溶体成膜时膜中组成的再现性优异的基于雾CVD法来进行的成膜方法。
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公开(公告)号：CN110121787B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201680090392.2
申请日：2016-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其是于具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上，拥有具有第一导电型的基极层、及邻接于基极层且具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层，至少于基极层上具有基极集电电极的太阳能电池，其中基极集电电极的一部分亦配置于射极层上，此射极层邻接于配置有基极集电电极的基极层。由此，提供廉价且光电变换效率高的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN111162134A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010009159.5
申请日：2015-10-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/0392 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。由此，本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池具备掺镓基板且转换效率优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110073504A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680090766.0
申请日：2016-11-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/05 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: [问题]为了提供一种低成本、高产率、可以容易地制造的背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池。[解决方案]在该高光电转换效率的太阳能电池中，在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上设置：扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，和在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。
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公开(公告)号：CN103247715B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201310046852.X
申请日：2013-02-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/02167 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下的步骤：在n型半导体基板的第二主表面之上形成SiNx膜；在SiNx膜形成步骤之后在n型半导体基板的第一主表面之上形成p型扩散层；和在p型扩散层之上形成SiO2膜或氧化铝膜构成。
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公开(公告)号：CN105324849B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201480032519.6
申请日：2014-05-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种背接触型太阳能电池，其显示出小的功率损失、通过其可自由定位母线并且具有简单的生产工序。本发明提供：半导体基板；在半导体基板的背面侧上形成的第一导电型区域，所述背面侧在半导体基板受光面侧的相对侧上；在半导体基板的背面侧上形成的第二导电型区域；在第一导电型区域上直线状地形成的第一导电型集电电极；和在第二导电型区域上直线状地形成的第二导电型集电电极。第一导电型区域和第二导电型区域交替排列。第一导电型集电电极和第二导电型集电电极设置有不连续部位。在第一导电型区域和第二导电型区域交替排列的排列方向上，各导电型的不连续部位设置为呈基本上直线地排列。
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公开(公告)号：CN106575679A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580044813.3
申请日：2015-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/0201 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其在第1导电型半导体基板的背面，具备由第1接触部与第1集电部构成的第1指状电极、由第2接触部与第2集电部构成的第2指状电极、第1母线电极、以及第2母线电极，所述第1导电型半导体基板在受光面的相反侧的背面具有第1导电型区域与第2导电型区域，并且，至少在第1母线电极和第2母线电极正下方的全部区域具备绝缘膜，在绝缘膜上，第1集电部和第1母线电极、以及第2集电部和第2母线电极电性接合，并且，至少在绝缘膜正下方，第1接触部和第2接触部连续成线状。由此，本发明提供一种钝化区域广、线路电阻低、并联电阻高、转换效率高的太阳能电池，并且提供一种太阳能电池的制造方法，可以用低成本来制造这种太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103201847B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180053691.6
申请日：2011-09-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/547
Abstract: 一种在单晶硅基板表面具有纹理构造的太阳能电池，涉及以在该基板的表面近旁具有基于单晶硅基板制作时的切割加工历史的破损层的太阳能电池，根据本发明，基于单晶硅基板表面近旁存在的基板制作时的切割加工历史的破损层作为吸附站实现功能，对基板的少数载流子的寿命提高有贡献。根据该效果，太阳能电池特性飞跃性地提高。此外，不是重新附加破损，而是利用切割所带来的破损，所以不增加工时。
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