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公开(公告)号：CN101852984B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010158168.7
申请日：2010-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70783
Abstract: 本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯，该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的，该方法是：在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌，从光掩模基坯移除相移膜，在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌，以及比较表面形貌，由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。
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公开(公告)号：CN101846876B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
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公开(公告)号：CN101650527B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910160207.4
申请日：2009-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30％，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。
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公开(公告)号：CN102375326A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110310117.6
申请日：2011-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58.5nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为25-40原子％，在其上表面处为10-23原子％。表面侧的组成渐变层具有1.5-8nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为10-45原子％，而在其上表面处为45-55原子％。
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公开(公告)号：CN101846876A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119916636A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411465765.2
申请日：2024-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的反射型掩模坯料包括：基板10；以及形成在基板10的一个主表面上并反射曝光光的多层反射膜50。所述多层反射膜50具有周期性地层叠含有钌(Ru)的低折射率层30、含有硅(Si)的高折射率层20、以及防止钌(Ru)和硅(Si)相互扩散的扩散防止层40而成的周期层叠结构。所述防扩散层40与低折射率层30接触地形成在所述低折射率层30的接近所述基板10的一侧以及所述低折射率层30的远离所述基板10的一侧中的双方或某一方。所述防扩散层40由选自含有氮化硅(SiN)的层、含有碳化硅(SiC)的层、含有钼(Mo)的层、含有氮化钼(MoN)的层、以及含有碳化钼(MoC)的层中的一个以上的副层所构成。
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公开(公告)号：CN107870507B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710900085.2
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明为半色调相移掩模坯和半色调相移掩模。提供包括透明基板和在其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯。所述半色调相移膜包括至少一个由硅系材料组成并且具有≤1013Ω/□的薄层电阻的层，所述硅系材料具有≤3at％的过渡金属含量，≥90at％的Si+N+O含量，30‑70at％的Si含量，30‑60at％的N+O含量，以及≤30at％的O含量。半色调相移膜在曝光于200nm以下的辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化，并且具有耐化学品性和改进的加工性。
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公开(公告)号：CN114167679A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111052690.1
申请日：2021-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底、其制造方法以及EUV掩模坯料。具体地，提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底，该衬底包括衬底和形成在衬底上的多层反射膜。多层反射膜包括Si/Mo层叠部和保护层，该保护层含有Ru并包括由Ru组成的下层和由含有Ru和选自除Ru以外的金属和准金属中的至少一种的材料组成的上层。
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公开(公告)号：CN110609437A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910904266.1
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。
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