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公开(公告)号：CN104276821A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410328614.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1871 , B06B1/06 , B06B1/0644 , B41J2/045 , B41J2/14 , B41J2/14233 , B41J2/1607 , B41J2/164 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3263 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/365 , C04B2235/449 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , G02B27/0006 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/183 , H01L41/277 , H02N2/10 , H02N2/106 , H02N2/16 , H02N2/163 , H02N2/22 , H04N5/2171 , H04N5/2253
Abstract: 本发明涉及压电材料、压电元件和电子设备。提供了一种压电材料，其不包含任何铅组分，具有操作温度范围中的稳定压电特性、高机械品质因数和令人满意的压电特性。根据本发明的压电材料包括含有能够利用以下一般式(1)表达的钙钛矿型金属氧化物的主组分，以及包含Mn、Li和Bi的副组分。当金属氧化物为100重量份时，Mn的含量按金属换算不小于0.04重量份并且不大于0.36重量份，Li的含量α按金属换算等于或小于0.0012重量份且包括0重量份，并且Bi的含量β按金属换算不小于0.042重量份并且不大于0.850重量份，(Ba1-xCax)a(Ti1-y-zZrySnz)O3(1)在式(1)中，0.09≤x≤0.30，0.025≤y≤0.085，0≤z≤0.02并且0.986≤a≤1.02。
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公开(公告)号：CN104276819A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410328412.8
申请日：2014-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
CPC classification number: H01L41/183 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , G02B7/04 , G02B15/02 , G02B27/0006 , G03B3/10 , H01L41/083 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H02N2/106 , H02N2/163 , H04N5/23209 , C04B35/49 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208
Abstract: 提供一种压电材料、压电元件和电子设备。该压电材料不含任何铅成分，具有在操作温度范围中的稳定压电特性、高机械品质因数以及令人满意的压电特性。该压电材料包括：主成分，含有可以使用以下通式(1)表示的钙钛矿类型金属氧化物；子成分，含有Mn、Li和Bi。当金属氧化物是100重量份时，以金属换算的Mn的含量不小于0.04重量份并且不大于0.36重量份，以金属换算的Li的含量α不小于0.0013重量份并且不大于0.0280重量份，以及以金属换算的Bi的含量β不小于0.042重量份并且不大于0.850重量份：(Ba1-xCax)a(Ti1-y-zZrySnz)O3(1)。在式(1)中，0.09≤x≤0.30，0.074
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101611474B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200880005092.5
申请日：2008-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/28194 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种由氧化硅(Si)制成的非晶绝缘体膜，其中该非晶绝缘体膜包括Ar并且其中所包括的Ar的量相对Si的原子比为等于或大于3原子％。
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公开(公告)号：CN102373032B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110226208.1
申请日：2011-08-09
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: C09K3/00
CPC classification number: B32B7/02 , B32B2307/734 , C01G53/40 , C04B35/50 , C04B35/505 , H01L23/3731 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/0058 , H05K2201/068 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有负的热膨胀性质的热膨胀抑制部件和具有小的热膨胀的金属基抗热膨胀性部件。更具体地，本发明提供热膨胀抑制部件，其至少包括由以下通式(1)表示的氧化物，和抗热膨胀性部件，其包括在20℃下具有正的线膨胀系数的金属和至少包括由以下通式(1)表示的氧化物的固体，该金属与该固体彼此接合：(Bi1-xMx)NiO3(1)其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
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公开(公告)号：CN102399443B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110228962.9
申请日：2011-08-11
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: C04B35/453 , C01G53/006 , C01G53/40 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/61 , C01P2006/32 , C04B35/50 , C08K3/11 , C08K3/22 , C09K5/06 , C22C1/10
Abstract: 本发明提供均具有小的热膨胀的树脂系和金属系的抗热膨胀性部件。更具体地，提供抗热膨胀性树脂和抗热膨胀性金属，各自包括在20℃具有正的线膨胀系数的树脂或金属以及分散在该树脂或金属中的固体颗粒，其中该固体颗粒至少包括由下述通式(1)表示的氧化物：(Bi1-xMx)NiO3？(1)，其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
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公开(公告)号：CN102399443A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110228962.9
申请日：2011-08-11
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: C04B35/453 , C01G53/006 , C01G53/40 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/61 , C01P2006/32 , C04B35/50 , C08K3/11 , C08K3/22 , C09K5/06 , C22C1/10
Abstract: 本发明提供均具有小的热膨胀的树脂系和金属系的抗热膨胀性部件。更具体地，提供抗热膨胀性树脂和抗热膨胀性金属，各自包括在20℃具有正的线膨胀系数的树脂或金属以及分散在该树脂或金属中的固体颗粒，其中该固体颗粒至少包括由下述通式(1)表示的氧化物：(Bi1-xMx)NiO3(1)，其中M表示选自La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和In中的至少一种金属；和x表示0.02≤x≤0.15的数值。
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公开(公告)号：CN101611474A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880005092.5
申请日：2008-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/28194 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种由氧化硅(Si)制成的非晶绝缘体膜，其中该非晶绝缘体膜包括Ar并且其中所包括的Ar的量相对Si的原子比为等于或大于3原子％。
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