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公开(公告)号：CN100539171C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200680025227.5
申请日：2006-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/14 , H01L31/09 , G01T1/20
Abstract: 本发明的转换设备包括其中布置有多个像素的像素区域。所述像素包括开关元件和转换元件。所述像素区域包括：开关元件区域，其中在行和列的方向上布置有多个开关元件；和转换元件区域，其中在行和列的方向上布置有多个转换元件。多个信号配线包括第二金属层，并且连接到列方向上的多个开关元件。偏压配线包括第四金属层，并且连接到多个转换元件。外部信号配线包括在像素区域外部的第一金属层，并连接到信号配线。外部信号配线和偏压配线相互交叉。
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公开(公告)号：CN101467256A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021383.9
申请日：2007-06-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , G01T1/24 , H01L27/146
CPC classification number: G01T1/241 , H01L27/14632 , H01L27/14658 , H01L27/14659 , H01L27/14663
Abstract: 一种放射线成像装置包括：在绝缘基板100上的包含以矩阵布置的多个像素的像素区域，每个像素具有将放射线转换成电荷的转换元件101和与转换元件101连接的开关元件102。转换元件101具有上部电极层119、下部电极层115、布置在上部电极层119和下部电极层115之间的半导体层117。上部电极层119或下部电极层115至少在布置半导体层117的区域内具有开口200。
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公开(公告)号：CN1925162A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610128023.6
申请日：2006-08-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 根据本发明的辐射检测设备包括：包括设置在绝缘衬底上的开关元件和设置在开关元件上以将辐射或光转换为电载流子的转换元件的像素，其中开关元件和转换元件彼此连接，像素以矩阵的方式二维地设置在绝缘衬底上；与在绝缘衬底上在行方向上设置的多个开关元件公共地连接的栅极布线；与在列方向上设置的多个开关元件公共地连接的信号布线；以及设置在开关元件和转换元件之间的多个绝缘膜，其中栅极布线和信号布线中的至少一个被设置成置于多个绝缘膜之间。
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公开(公告)号：CN1748315A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480004078.5
申请日：2004-02-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , G01T1/24 , H04N5/32
Abstract: 在包括把辐射转换成电信号的传感器元件和与传感器元件连接的薄膜晶体管的辐射图像摄像设备中，与薄膜晶体管连接的传感器元件的电极被置于薄膜晶体管之上，薄膜晶体管具有顶栅型结构，其中半导体层，栅极绝缘层和栅电极层依次层叠在衬底上，以致薄膜晶体管的沟道部分受栅电极保护，从而能够获得稳定的TFT特性，而不会因为由与来自传感器电极的输出对应的电势的波动导致的后栅极效应，不合需要地导通任何TFT元件，从而极大地提高图像质量。
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公开(公告)号：CN1748314A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480004063.9
申请日：2004-02-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/32
CPC classification number: H04N5/32 , H01L27/14603 , H01L27/14658
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取设备具有多个光电转换元件和多个开关元件，其中，在至少一个开关元件上方形成光电转换元件，并在开关元件和光电转换元件之间设置屏蔽电极层。此外，根据本发明的辐射图像拾取设备具有用于直接将辐射转换为电荷的辐射转换层以及多个开关元件，其中，在一个或多个开关元件上方形成辐射转换层，并在开关元件和辐射转换层之间设置屏蔽电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103219349B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310020407.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: G09G5/003 , G09G3/20 , G09G3/3266 , G09G3/3674 , G09G2300/0426 , G09G2310/0267 , G09G2310/0281 , G09G2310/0297 , G09G2330/021
Abstract: 本发明涉及一种矩阵基板、检测装置和检测系统，其中所述矩阵基板包括以行和列的矩阵形式进行设置的多个像素。在所述矩阵基板中，单元电路中所包括的晶体管的导通电压和非导通电压以驱动像素的频率的一半的频率被提供至控制线，其中，所述单元电路包括连接至多个连接端子的信号分离器，所述多个连接端子被设置为数量少于驱动线的数量，所述驱动线共同地连接至行方向上的多个像素并且在列方向上彼此并列设置，所述控制线连接至晶体管的控制电极。因而，提供了能够抑制连接端子的数量并减少耗电的矩阵基板。
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公开(公告)号：CN102885632B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210250693.0
申请日：2012-07-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H04N5/3765 , H01L27/14609 , H01L27/14663 , H01L27/14692 , H04N5/32
Abstract: 本发明涉及放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统。该检测装置包括：驱动电路单元，在所述驱动电路单元中，为多个对应的驱动线提供了多个单元电路，每个单元电路包括第一电路和第二电路，所述第一电路根据启动信号将像素的开关元件的基于时钟信号中所包括的电压的导通电压供给驱动线，所述第二电路根据终止信号将所述开关元件的非导通电压供给驱动线；和控制单元，所述控制单元将所述时钟信号供给所述驱动电路单元。所述控制单元将控制电压供给所述多个单元电路，所述多个单元电路中的每个还包括第三电路，所述第三电路根据所述控制电压继续将非导通电压供给对应的驱动线。
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公开(公告)号：CN102222675B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110087328.8
申请日：2011-04-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14663 , H01L27/14665 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统。提供了一种检测装置，其包括：衬底；开关元件，布置在衬底上方并且包括多个电极；导电线，布置在衬底上方并且与开关元件的多个电极中的第一电极电连接；和转换元件，包括布置在开关元件和导电线上方并且布置在两个电极之间的半导体层，所述两个电极中的一个电极与开关元件的多个电极中的第二电极电连接。所述转换元件的所述一个电极通过在所述一个电极和开关元件的第一电极之间或在所述一个电极和导电线之间形成的空间而被布置在开关元件和导电线上方。
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公开(公告)号：CN103390626A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310164953.7
申请日：2013-05-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , G01T1/24 , H01L27/14632 , H01L27/14676 , H01L27/14683 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了检测装置、检测系统以及检测装置的制造方法。该检测装置包含多个转换元件，每个转换元件包含：第一电极，其设置在基板上；半导体层，其设置在所述第一电极上；杂质半导体层，其设置在所述半导体层上，并且至少包含第一区域和第二区域；以及第二电极，其设置在所述杂质半导体层的所述第一区域上并且与所述杂质半导体层接触。设置在所述杂质半导体层不与所述第二电极接触的位置处的所述第二区域中的薄层电阻小于所述第一区域中的薄层电阻。
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公开(公告)号：CN102810547A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210168410.8
申请日：2012-05-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14676
Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中，所述检测器件包括排列在基板上的多个像素，并且还包括层间绝缘层，所述像素各自包括开关元件和转换元件，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，针对每个像素被隔离，并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成，所述层间绝缘层由有机材料制成，设置在所述开关元件与所述电极之间，并且覆盖所述开关元件，所述方法包括：形成绝缘构件，所述绝缘构件均由无机材料制成，并且被设置为与层间绝缘层接触地覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层；和形成杂质半导体膜，所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极，并且变为所述杂质半导体层。
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