公开(公告)号：CN113825863A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202080034932.1

申请日：2020-03-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 碳化硅衬底具有第一主面、第二主面和倒角部。第二主面位于与第一主面相反侧。倒角部与第一主面和第二主面各自连接。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。倒角部的表面锰浓度为1×1011原子/cm2以下。

公开(公告)号：CN111788339A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880090463.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼

IPC: C30B29/36

Abstract: 本公开的碳化硅基板为包含第一主表面和位于所述第一主表面的相反侧的第二主表面的碳化硅基板，并且由具有4H多型的碳化硅制成。所述第一主表面的最大直径为140mm以上。所述第一主表面为{0001}面或相对于所述{0001}面以大于0°且小于或等于8°的偏角倾斜的面。在所述第一主表面的平面内，与所述碳化硅基板的拉曼光谱的纵向光学分支的折叠模式相对应的峰的半峰宽的平均值小于2.5cm‑1，并且所述半峰宽的标准偏差为0.06cm‑1以下。

公开(公告)号：CN110079862A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910216446.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  B24B37/10 ,  C23C16/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶衬底、碳化硅外延衬底及它们的制造方法。碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。

公开(公告)号：CN106133209B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201580017272.5

申请日：2015-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  B24B37/10 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/304

Abstract: 碳化硅单晶衬底(1)包括第一主面(1b)和与第一主面(1b)相反的第二主面(1a)。所述第一主面(1b)具有100mm以上的最大直径。所述第一主面(1b)包括第一中心区域(IRb)，所述第一中心区域(IRb)为不包括从外周向内延伸3mm的区域(ORb)的第一主面(1b)。当将所述第一中心区域(IRb)划分为各自具有250μm边长的第一正方形区域时，各个第一正方形区域具有小于0.2nm的算术平均粗糙度(Sa)且具有5原子％以上且小于20原子％的氧浓度。因此，提供有效降低真空吸附失效发生的碳化硅单晶衬底和碳化硅外延衬底以及所述衬底的制造方法。

公开(公告)号：CN107112214A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072769.7

申请日：2015-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 神原健司 ,  和田圭司 ,  本家翼

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0243 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36

Abstract: 一种半导体层叠体，包括具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面的碳化硅衬底，以及设置在第一主表面上由碳化硅组成的外延层。第二主表面具有0.1μm或更大且1μm或更小的粗糙度的平均值Ra，标准偏差为所述平均值的25％或更小。

公开(公告)号：CN107002280A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063761.4

申请日：2015-11-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 本家翼 ,  冲田恭子

IPC: C30B29/36 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  C30B33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

Abstract: 一种碳化硅基板，其由碳化硅构成，且当用氯气对其主表面进行蚀刻时，在所述主表面中观察到的线性蚀坑组的总长度等于或小于所述基板的直径。

公开(公告)号：CN106605289A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201580047727.8

申请日：2015-06-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  本家翼

IPC: H01L21/02 ,  B24B1/00 ,  B24B9/00 ,  C30B29/36 ,  H01L21/304

Abstract: 一种碳化硅单晶衬底(1)，其包括第一主表面(1a)、第二主表面(1b)和圆周边缘部(3)。第二主表面(1b)与第一主表面(1a)相反。圆周边缘部(3)连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)。当沿着与第一主表面(1a)垂直的方向观察时，圆周边缘部(3)具有：直线形的定向平面部(OF1)，具有第一半径(R1)的第一圆弧部(A1)，和连接定向平面部(OF1)和第一圆弧部(A1)并具有小于第一半径(R1)的第二半径(R2)的第二圆弧部(A2)。提供了一种能够抑制在碳化硅外延膜的表面中的级差的发生的碳化硅单晶衬底、及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法。