公开(公告)号：CN114488692A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210392310.7

申请日：2022-04-15

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 匡翠方 ,  邱毅伟 ,  曹春 ,  关玲玲 ,  沈小明 ,  夏贤梦

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明属于光刻胶、激光直写和显微成像技术领域，并公开了一种基于双光子吸收效应的光刻胶组合物及系统，包含光刻胶组合物、激光直写和受激发射损耗成像方法及其系统。所述光刻胶组合物有光引发剂、单体和荧光染料组成。所述光刻胶组合物在进行飞秒激光直写和显影后具有较强的荧光效应。激光直写样品无需镀金，通过STED显微镜来进行荧光成像，实现微纳结构的无损分析。

公开(公告)号：CN114415471A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210188866.4

申请日：2022-03-01

Applicant: 之江实验室

Inventor： 沈小明 ,  夏贤梦 ,  曹春 ,  关玲玲 ,  邱毅伟 ,  匡翠方

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硅氧烷的双光子光刻胶及其制备方法、使用方法和应用，按质量百分数计，包括以下组分：30‑99.9wt%的硅氧烷化合物，0‑69.9wt%活性交联剂，0.1‑5wt%的双光子引发剂；制备方法包括以下步骤：在黄光室中按比例将硅氧烷化合物和活性交联剂混合均匀，继续按比例加入双光子引发剂，置于滚轴混匀器上混合均匀，即得到基于硅氧烷的双光子光刻胶。本发明通过在双光子光刻胶中引入硅氧烷材料，形成了有机无机杂化体系，提高了光刻胶的耐候性、耐高低温、耐腐蚀、电绝缘等特性，不含有任何溶剂，可以用于双光子无掩模3D打印，制备任意形状的三维微纳器件，经高温退火除去有机物得到二氧化硅的图案或器件。

公开(公告)号：CN113835296A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202111140604.2

申请日：2021-09-28

Applicant: 之江实验室 ,  浙江大学

Inventor： 邱毅伟 ,  曹春 ,  沈小明 ,  夏贤梦 ,  匡翠方 ,  黄宁 ,  刘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 本发明属于光刻胶及激光直写技术领域，公开了一种适用于飞秒激光直写的光刻胶组合物，所述光刻胶组合物由单体、光引发剂和聚合物组成，其技术特征在于所述光刻胶组合物具有双色光敏性，可以被特定波长的飞秒激光引发聚合，同时又可以被另一束连续激光抑制聚合，抑制光束减小了飞秒激光的直写区域，从而提高了飞秒激光直写精度，本发明所提供的光刻胶组合物通过特定结构的单体和聚合物，不仅提高了飞秒激光直写精度，同时降低了飞秒激光直写阈值、增强了机械强度。