公开(公告)号：CN1189919C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN01808301.3

申请日：2001-04-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千田昌伸 ,  伊藤润 ,  千代敏明 ,  柴田直树 ,  浅见静代

IPC: H01L21/203 ,  H01L23/00

CPC classification number: C30B23/02 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0062

Abstract: 提出了一种适于用溅射法在基质上形成III族氮化物半导体层的优选条件。当用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层时，选择溅射装置的初始电压不高于溅射电压的110%。

公开(公告)号：CN1150632C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN97129713.4

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 用汽相淀积在p+层上形成包括钴(Co)的层，并把包括金(Au)的层形成在其上。通过热处理将这两层合金化，以便形成透光电极。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。此外，由于钴(Co)是一种有较大功函数的元素，所以可获得令人满意的欧姆特性。

公开(公告)号：CN1189701A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97129713.4

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野朲静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 用汽相淀积在P+层上形成包括钴(Co)的层,并把包括金(Au)的层形成在其上。通过热处理将这两层合金化,以便形成透光电极。因此,透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性,并长时间内提供稳定的发光图形。此外,由于钴(Co)是一种有较大功函数的元素,所以可获得令人满意的欧姆特性。