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公开(公告)号：CN111060484A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911386120.9
申请日：2019-12-29
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明属于荧光成像探测技术领域，具体涉及一种无扫描三维平面激光诱导荧光成像探测方法及系统。本方法将激光通过分光发射系统将单个片光脉冲在时间-空间上展开后，通过激光整形系统整形为片状光束，在样品池不同截面上顺序激发出平面荧光图像，平面荧光图像由光学系统摄取后，通过分光接收系统由多个图像增强型相机记录，各相机由同步信号系统控制，各相机曝光延迟与分光发射系统的时间延迟一致，进而实现不同截面的平面荧光图像的同步记录，最终形成瞬态的三维激光诱导荧光分布，本发明解决了普通3D-PLIF成像系统中单次扫描及记录时间慢的问题，极大提升了摄取的不同截面平面荧光图像的关联性。
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公开(公告)号：CN110390136A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910526936.0
申请日：2019-06-18
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 为解决目前通用型光电倍增管由于电子倍增以及传输过程中电子总数过大，而制约光电倍增管动态范围的问题，本发明提供一种自适应扩展光电倍增管动态范围的方法。本发明根据探测光强度自适应调整进入到电子倍增系统的电子数目，使得电子倍增系统处于线性输出工作状态，因此扩大了光电倍增管对于探测光强的动态范围，其范围可以提升原来数值的10倍以上。
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公开(公告)号：CN109425436A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710743508.4
申请日：2017-08-25
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明属于单光子探测技术领域，尤其涉及一种日盲紫外单光子成像系统及方法，紫外单光子信号入射穿过透紫外玻璃；光电阴极与背照式CMOS位于真空腔室内，光电阴极附着于透紫外玻璃表面且正对背照式CMOS，背照式CMOS位于光电阴极相对侧的真空腔室内壁上；光电阴极设置有高压电极引线，高压电极引线与读出电路连接，通过外部高压电源供电；背照式CMOS设置有电极引脚，所述电极引脚与读出电路连接；读出电路与图像采集与显示单元连接。本发明采用日盲紫外光电阴极与固体互补金属氧化物半导体相结合的方式，具有光电阴极的高灵敏度、电子轰击半导体的高增益低噪声、固体互补金属氧化物半导体的数字化显示和高帧速的特点。
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公开(公告)号：CN109065434A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810759342.X
申请日：2018-07-11
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Inventor： 刘虎林 , 徐向晏 , 李学龙 , 田进寿 , 吕沛 , 吴国俊 , 王兴 , 辛丽伟 , 卢裕 , 陈萍 , 韦永林 , 赛小锋 , 温文龙 , 裴承全 , 王俊锋 , 何凯 , 王超
IPC: H01J43/06
CPC classification number: H01J43/06
Abstract: 为解决激光雷达实际探测精度低的技术问题，本发明提供了一种聚焦扫描型光电倍增管，通过在光电倍增管的真空容器内设置聚焦系统、扫描系统以及位于聚焦系统的焦点处的电子倍增器集群，使不同电子倍增区域按时序接收信号电子进行倍增与输出，从而使得同一电子倍增区域有足够的电子倍增、电子输出以及性能恢复时间；由于电子倍增器集群的组成单元个数为数十个或者上百个，因此在电子倍增器集群被有效利用时，光电倍增管的采样频率可以在原有基础上提升数十倍或者上百倍，最高可以提升至数十GHz的数量级。
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公开(公告)号：CN108254349A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810107156.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明属于超快诊断技术领域，具体涉及一种像增强型全光固体超快成像探测器。该探测器包括外壳以及真空封装在外壳内部的光电阴极和半导体超快探测芯片；外壳的一端设置输入窗口，外壳的另一端设置输出窗口，所述光电阴极位于靠近输入窗口的一端，所述半导体超快探测芯片位于靠近输出窗口的一端；所述光电阴极和半导体超快探测芯片之间设置有一片或者多片微通道板。本发明解决了现有的全光固体超快诊断技术探测灵敏度低的技术问题。结合了基于微通道板的微光像增强技术和基于半导体辐射光学效应的全光固体超快成像技术，通过微通道板的倍增功能和全光固体超快探测芯片的高时间分辨特性，可以实现弱光条件下的高时间分辨成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115866382B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202211512494.2
申请日：2022-11-28
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型长序列频域重建超高速成像系统及方法，以解决采用多重曝光频域重建技术进行分幅数量较大的视频处理时，系统的复杂性、操作难度增加的技术问题。该系统包括脉冲光源及依次进行信号传输的结构光序列产生单元、高速场景发生单元、图像采集单元、数据处理单元；结构光序列产生单元包括分束衍射光学元件、第一傅里叶透镜、阶梯形延迟线及第二傅里叶透镜；控制单元分别与脉冲光源、图像采集单元相连接。该方法包括：1、脉冲光源发射一个脉冲；2、获得N对具有不同传播延时的光脉冲；3、获得N个正弦条纹结构光脉冲构成的结构光序列；4、获得结构信号光序列叠加图像；5、得到重建的动态场景高速图像。
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公开(公告)号：CN114674755B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202210256344.3
申请日：2022-03-15
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明为解决现有激光超声检测模式中激发与检测相对独立，难以实现激发即检测或同轴激发检测，同时检测方法中需要通过更换掩膜、透镜阵列或光纤阵列的方式实现不同阵列线源周期可调，难以实现阵列线源周期连续可调的技术问题，而提供了一种用于周期可调同轴激光超声检测的光学系统。该系统基于声光衍射和4f成像原理，激发光和探测光同轴入射声光晶体，被声光衍射的激发光在待测样品表面干涉诱导瞬态光栅，同轴入射的探测光被表面瞬态光栅衍射，衍射出的探测光携带了样品超声响应信息，返回4f系统后被分离检出，超声的激发和探测经过同一个4f系统完成，实现同轴激发与检测。
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公开(公告)号：CN108254349B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810107156.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明属于超快诊断技术领域，具体涉及一种像增强型全光固体超快成像探测器。该探测器包括外壳以及真空封装在外壳内部的光电阴极和半导体超快探测芯片；外壳的一端设置输入窗口，外壳的另一端设置输出窗口，所述光电阴极位于靠近输入窗口的一端，所述半导体超快探测芯片位于靠近输出窗口的一端；所述光电阴极和半导体超快探测芯片之间设置有一片或者多片微通道板。本发明解决了现有的全光固体超快诊断技术探测灵敏度低的技术问题。结合了基于微通道板的微光像增强技术和基于半导体辐射光学效应的全光固体超快成像技术，通过微通道板的倍增功能和全光固体超快探测芯片的高时间分辨特性，可以实现弱光条件下的高时间分辨成像。
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公开(公告)号：CN117492061A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311313536.4
申请日：2023-10-11
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本发明涉及一种脉冲辐射场探测器及探测方法，具体为一种脉冲X/γ射线多功能探测器及探测方法，主要解决了现有以闪烁体和光电倍增管为主的单通道脉冲X/γ射线探测器在能量、强度测量方面动态范围小、不具备空间分辨能力的技术问题。本发明包括防串扰部件、M×N个闪烁体以及多阳极光电倍增管；M≥1、N≥2或者M≥2、N≥1。本申请可实现脉冲X/γ射线的探测，可以缩减常规探测系统的规模。还提供一种探测方法，步骤1制备多功能探测器；步骤2将射线转化为M×N束闪烁光；步骤3将M×N束闪烁光转化为M×N束电子；步骤4，将M×N束电子倍增后输出为M×N个电流信号；步骤五，将M×N个电流信号输入数字化仪器，即可得到被测脉冲X/γ射线源的空间强度随时间变化的信息。
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公开(公告)号：CN113552611B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202110666558.3
申请日：2021-06-16
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明涉及一种超快中子脉冲能谱探测系统及方法，以解决现有中子能谱仪无法满足超快中子脉冲皮秒级时间分辨的能谱探测问题。该系统包括同步触发单元、线偏振光发生单元、延迟模块、分束器、参考光单元、探测光单元以及光谱仪。同步触发单元同步触发中子脉冲源和线偏振光发生单元；线偏振光发生单元产生线偏振光L，线偏振光L依次经延迟模块和分束器后，分为第一参考光L1和第一探测光L2；第一参考光L1经参考光单元相位延时π后形成第二参考光L1’；探测光单元包括光纤环形器以及设置在DIM腔室内的普克尔斯晶体和反射镜，第一探测光L2入射至普克尔斯晶体形成偏振状态改变的第二探测光L2’，再与第二参考光L1’发生干涉；光谱仪接收干涉图像。
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