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公开(公告)号:CN100522869C
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200410011668.2
申请日:2004-12-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 一种纳米级掺杂四硼酸铝钇颗粒的制备方法,属于精细化工领域。本发明的主要特征是以钇,铝,掺杂稀土离子和硼酸的水溶液为原料,以有机胺为沉淀剂,沉淀前驱体经过滤、干燥、煅烧,可获得平均粒径为50纳米的掺杂四硼酸铝钇颗粒。该方法突出特点是:采用湿化学方法,以无机盐为原料,获得无团聚,粒径分布窄的掺杂四硼酸铝钇纳米颗粒。该方法工艺简单,生产成本低,易实现大规模生产。
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公开(公告)号:CN1796330A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200410011668.2
申请日:2004-12-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 一种纳米级掺杂四硼酸铝钇颗粒的制备方法,属于精细化工领域。本发明的主要特征是以钇,铝,掺杂稀土离子和硼酸的水溶液为原料,以有机胺为沉淀剂,沉淀前驱体经过滤、干燥、煅烧,可获得平均粒径为50纳米的掺杂四硼酸铝钇颗粒。该方法突出特点是:采用湿化学方法,以无机盐为原料,获得无团聚,粒径分布窄的掺杂四硼酸铝钇纳米颗粒。该方法工艺简单,生产成本低,易实现大规模生产。
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公开(公告)号:CN1768988A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200410092065.X
申请日:2004-11-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种掺杂硼酸钇纳米粉体的制备方法,属于精细化工领域。本发明的主要特征是以钇,掺杂稀土离子和硼离子的水溶液为原料,以有机碱为沉淀剂,沉淀前驱体经过滤、干燥,在600-800℃之间煅烧,可获得平均粒径为50纳米的无团聚,高纯度的掺杂硼酸钇粉体。该方法突出特点是:以无机盐为原料,不必加表面活性剂,可制得高质量的掺杂硼酸钇纳米粉体,同时工艺简单,生产成本低,适于工业化生产。
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公开(公告)号:CN1669923A
公开(公告)日:2005-09-21
申请号:CN200410008739.3
申请日:2004-03-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B35/12
Abstract: 一种制备无团聚低温相偏硼酸钡(BBO)纳米粉体的方法,属于精细化工领域。本发明的主要特征是以无机钡盐和硼酸的水溶液为原料,以有机胺为沉淀剂,沉淀过滤、干燥,在650~850℃之间煅烧,可获得平均粒径为40纳米的无团聚,无杂相的BBO纳米粉体。该方法突出特点是:原料采用无机盐,不必加表面活性剂,不必减压干燥、离心分离,可得到无团聚,无杂相,高纯度的BBO纳米粉体。该方法制备的粉体质量好,工艺简单稳定,生产成本低,易实现大规模生产。
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公开(公告)号:CN1634802A
公开(公告)日:2005-07-06
申请号:CN200310117744.3
申请日:2003-12-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/622 , C04B35/443
Abstract: 一种制备无团聚镁铝尖晶石纳米粉体的方法,属于精细化工领域。本发明的主要特征是以镁和铝离子的硝酸盐水溶液为原料,以碳酸氢铵为沉淀剂,沉淀过滤、干燥,在1000~1400℃之间煅烧,可获得平均粒径为20纳米的无团聚,无杂相的镁铝尖晶石粉体。该方法突出特点是:原料采用无机盐,不必加表面活性剂,不必真空干燥或冷冻干燥,可得到无团聚,无杂相,高纯度,粒径分布窄的镁铝尖晶石纳米粉体。该方法制备的粉体质量好,工艺简单稳定,生产成本低,易实现大规模生产。
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公开(公告)号:CN118561597A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410545883.8
申请日:2024-05-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/565 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开一种基于一体化液相烧结助剂的SiC陶瓷及其制备方法,所述一体化液相烧结助剂为AlON‑RE2O3复合体系,其中RE2O3纳米颗粒附着在AlON亚微米颗粒表面。本发明的助剂与SiC原料混合后在高温烧结过程中,不同位置SiC颗粒所处的Al‑RE‑Si‑O‑N液相环境(组成/含量)相同,因而烧结过程中液相传质与溶解‑析出的致密化过程保持统一,由此制备得到的SiC陶瓷晶粒的尺寸均匀细化。本发明只需很少的助剂添加量(1wt%‑3wt%)即可实现SiC陶瓷的致密化(相对密度大于99%),并有效减少了液相烧结常见的晶间物相,SiC陶瓷的晶界干净,因此有利于提高SiC陶瓷制品的高温力学性能与导热性能。
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公开(公告)号:CN114477989B
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202011255704.5
申请日:2020-11-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 福建中科芯源光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种石墨烯改性的绿光透明陶瓷材料及其制备方法和应用,属于LED照明荧光陶瓷领域。该绿光透明陶瓷的化学组成为石墨烯‑Y3‑x‑yAl5O12:xCe3+,yLu3+,其中0.0001≤x≤0.1,0.01≤y≤2.9;以绿色荧光陶瓷材料的总重量计,石墨烯的质量百分数小于0.5wt%但不为0。其具有热导率高、散热性好、发光波长在490~540nm范围内可控等特点,适用作LED的封装材料。
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公开(公告)号:CN114716250A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202110014916.2
申请日:2021-01-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/581 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种AlON粉体的制备方法,属于陶瓷粉体制备领域。该制备方法以尿素、糖类化合物、铝盐为原料,通过水热法合成具有包覆结构的复合前驱体物质,再结合碳热还原氮化法合成纯相的AlON粉体。所述制备方法合成的具有包覆结构的复合前驱体物质,提高了原料物质的直接接触面积和混合均匀度,缩短了碳热反应中原料的扩散路径,有效抑制碳热还原反应中中间产物的局部烧结和汇聚长大,其合成粉体颗粒尺寸在1μm左右,所述方法可在约1700℃合成纯相AlON粉体,显著的降低了其粉体的合成温度。
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公开(公告)号:CN107721429B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201711126902.X
申请日:2017-11-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 中国科学院近代物理研究所
IPC: C04B35/56 , C04B35/571 , C04B35/626
Abstract: 本申请公开了一种碳化锆‑碳化硅复合粉体材料,所述碳化锆‑碳化硅复合粉体材料中组分的摩尔比满足ZrC:SiC=1:0.1~1:10;其制备工艺简单,成本低、过程易于控制;得到的碳化锆‑碳化硅复合粉体材料具有亚微米级、成分均匀、高纯度的优点。
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