公开(公告)号：CN111570150B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202010275680.3

申请日：2020-04-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC: B05B13/04 ,  B05B15/555 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开了一种光刻胶涂布系统及方法，该光刻胶涂布系统包括：控制装置；第一泵，与所述控制装置电连接；喷头装置，包括公共臂和设置在所述公共臂上的多个喷嘴，所述公共臂与所述控制装置相连接，所述喷嘴与所述第一泵相连接；喷嘴清洗筒，用于清洗所述喷嘴；多个光刻胶盛筒，用于盛放光刻胶以供所述喷嘴吸取。本申请的光刻胶涂布系统，在需要更换光刻胶时，控制喷嘴插入喷嘴清洗筒内清洗后再吸取另一种光刻胶，实现了同一喷嘴可以快速更换不同光刻胶进行涂布的技术效果，操作简单，节省了工序，提高了工作效率。

公开(公告)号：CN111900076A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010596864.X

申请日：2020-06-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 林锺吉 ,  金在植 ,  张成根 ,  贺晓彬 ,  刘强 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了一种用于晶圆烘烤的温度控制方法，该温度控制方法可以包括如下步骤：烘烤晶圆时，检测晶圆上多个区域的温度值，从而确定烘烤时晶圆各区域温度分布，利用翘曲量与烘烤时晶圆各区域温度分布之间的关系、当前烘烤时晶圆各区域温度分布确定晶圆的翘曲量，使用该翘曲量来控制用于烘烤晶圆的热板上的多个加热单元各自的发热功率，以使晶圆均匀受热。本公开能够在不改变烘烤装置产品结构的基础上使发生翘曲的晶圆各区域在烘烤过程中均匀受热，可以彻底地解决现有真空吸附晶圆方式带来的诸多问题，而且本公开还具有投入成本较低、可靠性高等突出优点，适于大面积地推广和应用。

公开(公告)号：CN111739823A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010606025.1

申请日：2020-06-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  李亭亭 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC: H01L21/67 ,  G03F7/16

Abstract: 本申请属于光刻胶涂布技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布喷嘴及具有其的光刻胶涂布设备，该光刻胶涂布喷嘴包括喷嘴本体，喷嘴本体内设置有彼此隔开的有机溶剂管路和光刻胶管路，有机溶剂管路与有机溶剂罐连通，用于向待涂件上喷涂有机溶剂，光刻胶管路与光刻胶瓶连通，用于在有机溶剂喷涂至待涂件上后向待涂件上喷涂光刻胶。根据本申请的光刻胶涂布喷嘴，通过在喷嘴本体内集成有彼此隔开的有机溶剂管路和光刻胶管路，光刻胶涂布喷嘴首先通过有机溶剂管路向待涂件喷涂有机溶剂，然后在原地通过光刻胶管路向待涂件喷涂光刻胶，在喷涂过程中不需要移动光刻胶涂布喷嘴，以此减少光刻胶涂布喷嘴在移动过程中出现光刻胶液滴滴落在待涂件上的现象。

公开(公告)号：CN111570150A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010275680.3

申请日：2020-04-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉 ,  贺晓彬 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC: B05B13/04 ,  B05B15/555 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开了一种光刻胶涂布系统及方法，该光刻胶涂布系统包括：控制装置；第一泵，与所述控制装置电连接；喷头装置，包括公共臂和设置在所述公共臂上的多个喷嘴，所述公共臂与所述控制装置相连接，所述喷嘴与所述第一泵相连接；喷嘴清洗筒，用于清洗所述喷嘴；多个光刻胶盛筒，用于盛放光刻胶以供所述喷嘴吸取。本申请的光刻胶涂布系统，在需要更换光刻胶时，控制喷嘴插入喷嘴清洗筒内清洗后再吸取另一种光刻胶，实现了同一喷嘴可以快速更换不同光刻胶进行涂布的技术效果，操作简单，节省了工序，提高了工作效率。

公开(公告)号：CN111399345A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010275233.8

申请日：2020-04-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金在植 ,  张成根 ,  林锺吉

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/30

Abstract: 本公开提供了一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统，该系统包括：外部气压检测装置，用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值，以及用于将外部气压值反馈给控制器；内部气压检测装置，用于实时检测风机过滤单元出口的内部气压值，以及用于将内部气压值反馈给控制器；控制器，用于利用得到的外部、内部气压值确定压差以及根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。该方法包括：实时外部气压值和内部气压值；利用外部气压值和内部气压值确定压差；根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。涂胶显影系统，包括气压控制系统。本公开能够实时调节涂胶显影设备内各区域的气压，具有压差调节速度快、可靠性高等优点。