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公开(公告)号:CN118695755A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202310286255.8
申请日:2023-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10K71/00 , C23C16/455 , B05D1/00 , H10K50/844 , H10K30/88
Abstract: 本公开提供一种柔性封装薄膜的制备方法及光电子器件,制备方法包括:将基底均匀放置在反应腔室的底面,对反应腔室抽真空并调节反应腔室的气体流速和压强;采用引发式化学气相沉积法,利用引发剂和第一单体在基底上生长有机层;采用原子层沉积法,利用前驱体在有机层上生长无机层;其中,无机层用于阻隔水蒸气和氧气的渗透,有机层用于切断无机层缺陷的蔓延;利用引发剂、第一单体和第二单体在无机层表面制备微纳结构。采用该方法无溶剂、低污染、条件温和、步骤简易,制备的封装薄膜具有低水蒸气透过率、高透光率、超疏水、保形等优良特性,且应用范围广。
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公开(公告)号:CN117438885A
公开(公告)日:2024-01-23
申请号:CN202311571819.9
申请日:2023-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种波长可调的钙钛矿微纳激光器及制备方法,涉及微纳光学器件,方法包括:对衬底表面进行紫外臭氧处理;在半密封容器中加入钙钛矿材料的反溶剂,将处理后的衬底置于半密封容器内部的支架上;向处理后的衬底表面滴加溶液后完成半密封,将半密封容器底部加热到预设温度,使反溶剂挥发进入溶液来提升溶液表面的过饱和度,以在气液界面生长钙钛矿微纳激光器;对衬底表面溶液的溶剂进行干燥,在衬底上形成钙钛矿微纳激光器。
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公开(公告)号:CN112117217B
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202010991573.0
申请日:2020-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种多路遥控器装置,包括:多路遥控器、遥控接收控制板、供电电源、多路继电器、多路通断指示灯、测试夹具,其中,多路遥控器,用于向遥控接收控制板发送切换信号,以控制不同电极线路的切换;遥控接收控制板,设置于电路板上,用于接收多路遥控器发出的用以切换不同电极线路的切换信号;多路继电器,设置于电路板上,并通过电极线路与多路通断指示灯及被测器件样品连接,用于控制电极线路通断;多路通断指示灯,用于指示电极线路通断;供电电源,设置于电路板上,包括相互独立的多路通断指示灯的供电电源和遥控接收控制板的供电电源;测试夹具包括:金属底座、测试夹和针脚,用于夹取及调整器件样品。
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公开(公告)号:CN114566865A
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202011351489.9
申请日:2020-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面等离极化激元激光器及其制备方法和应用,该制备方法包括:将银纳米线分散液旋涂在衬底上,得到器件一;将器件一在惰性气氛下加热一段时间,得到器件二;在器件二上制备三氧化二铝薄膜;在三氧化二铝薄膜上旋涂染料分散液后退火,得到所述表面等离极化激元激光器。本发明所设计的器件结构可以实现具有突破光学衍射极限尺度性质的相干光源,可以将激光器器件尺寸缩小至出射激光半波长以下的尺度内,为集成光子器件的应用奠定了基础。
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公开(公告)号:CN111883671B
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202010774987.8
申请日:2020-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法。该方法包括:在衬底上设计制备Au薄膜和PbO2薄膜的混合膜层;将混合膜层置于有机溶液中,在第一预设温度条件下发生反应,生成有机无机杂化钙钛矿纳米线;将有机无机杂化钙钛矿纳米线进行冲洗,去除有机无机杂化钙钛矿纳米线表面附着的溶质;将有机无机杂化钙钛矿纳米线在第二预设温度条件下进行退火处理。
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公开(公告)号:CN113054108A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110253022.9
申请日:2021-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种有机太阳能电池及其制备方法,该有机太阳能电池包括:有源层,包括给体、第一受体及第二受体,所述给体、第一受体及第二受体形成级联能级排列结构,其中,所述给体为聚合物给体,所述第一受体及第二受体均为非富勒烯受体。该有机太阳能电池电荷传输路径被扩充,有利于提高电荷传输效率,从而提高器件的光电转换效率。并且,由于非富勒烯受体的掺入提高了有源层的疏水性能,减缓水分子对有源层的渗透,从而提高有机太阳能电池光电转换的稳定性。
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公开(公告)号:CN111952377A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010860333.7
申请日:2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法,该曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池包括硅下电池;曲面陷光结构,设置在硅下电池上;载流子复合层,设置在曲面陷光结构上;钙钛矿上电池,设置在载流子复合层上;透明电极,设置在钙钛矿上电池上;以及金属电极,设置在透明电极上。本发明曲面陷光结构不存在锐利的凸起和凹陷结构,不容易导致薄膜中缺陷态的产生;曲面陷光结构相对于尖锐型陷光结构更容易形成均匀、保形、连续的薄膜,因此更利于器件工艺的简化以及大面积扩展。
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公开(公告)号:CN111883671A
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN202010774987.8
申请日:2020-08-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法。该方法包括:在衬底上设计制备Au薄膜和PbO2薄膜的混合膜层;将混合膜层置于有机溶液中,在第一预设温度条件下发生反应,生成新型有机无机杂化钙钛矿纳米线;将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线进行冲洗,去除新型有机无机杂化钙钛矿纳米线表面附着的溶质;将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线在第二预设温度条件下进行退火处理。
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公开(公告)号:CN104409637B
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201410669670.2
申请日:2014-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种基于梯形铝纳米栅状电极的太阳能电池结构,包括:一梯形铝纳米栅状电极层,其表面具有多条等间距分布并凸起的铝栅线;一阴极缓冲层,其制作在梯形铝纳米栅状电极层上;一有源层,其制作在阴极缓冲层上;一阳极缓冲层,其制作在有源层上;一上电极层,其制作在阳极缓冲层上。本发明可以解决传统的有机‑无机杂化太阳能电池中由于有源层过厚而导致的载流子复合等问题,从而提高有机‑无机杂化太阳能电池的转化效率。
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公开(公告)号:CN104409553B
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201410612819.3
申请日:2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括:n型碳化硅衬底;形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层,其作为中间带光吸收层;以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出,其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。
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