K~Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法

    公开(公告)号:CN116396068B

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202310284691.1

    申请日:2023-03-22

    Abstract: K~Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域,本发明的基板材料包括主料和掺杂剂,所述主料包括:0~11.3%BaCO3、2.7%~11.6%SrCO3、3.12%La2O3和80.27%~83.5%Fe2O3,其余为CuO原料;以主料的质量为参照基准,按重量百分比,以氧化物计算,掺杂剂包括:1~2wt%CuO、1~2.5wt%Bi2O3和0.2~1.5wt%SiO2。本发明采用离子取代、湿法磁场成型等技术,获得了高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的M型钡锶铁氧体基板,可满足K~Ka波段铁氧体自偏置环行器的性能要求。

    一种NiZn铁氧体薄膜磁性能及取向生长的调控方法

    公开(公告)号:CN118039347A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410222106.X

    申请日:2024-02-28

    Abstract: 一种NiZn铁氧体薄膜磁性能及取向生长的调控方法,属于磁性薄膜材料技术领域。本发明使用旋转喷涂设备,基于吸附‑旋转‑加热‑成膜的制备顺序,先将喷嘴接入去离子水溶液,经过高速旋转的液滴在基板表面形成均匀的水膜,待温度稳定后接入还原剂溶液和氧化剂溶液,通过水解反应促进薄膜的成核及生长,最终制得NiZn铁氧体薄膜。本发明通过引入种子层降低薄膜与衬底之间的应力,诱导薄膜生长调控晶体的微观形貌,不仅使制得的薄膜具有更好的磁性能,而且得到了(222)和(511)取向生长的薄膜,提高了薄膜的均匀性。同时,通过控制种子层的厚度,控制晶面沉积速率,调控薄膜生长取向,优化薄膜生长过程,提高晶粒的均匀性。

    K~Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法

    公开(公告)号:CN116396068A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310284691.1

    申请日:2023-03-22

    Abstract: K~Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域,本发明的基板材料包括主料和掺杂剂,所述主料包括:0~11.3%BaCO3、2.7%~11.6%SrCO3、3.12%La2O3和80.27%~83.5%Fe2O3,其余为CuO原料;以主料的质量为参照基准,按重量百分比,以氧化物计算,掺杂剂包括:1~2wt%CuO、1~2.5wt%Bi2O3和0.2~1.5wt%SiO2。本发明采用离子取代、湿法磁场成型等技术,获得了高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的M型钡锶铁氧体基板,可满足K~Ka波段铁氧体自偏置环行器的性能要求。

    一种调控FBAR滤波器中心频率的方法

    公开(公告)号:CN114640322B

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202210305142.3

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 一种调控FBAR滤波器中心频率的方法,属于滤波器制备技术领域。包括调频层的制备、调频层的图形化、一次调频、隔离层的制备、隔离层的图形化和二次调频过程。本发明提供的一种调控FBAR滤波器中心频率的方法,在调频层上沉积ScAlN薄膜作为隔离层,ScAlN不与显影液反应,能够解决FBAR滤波器在显影时产生的调频层腐蚀问题,可有效避免滤波器的频率偏移;同时,AlN调频层作为ScAlN薄膜生长的基底,可以同时充当溅射时的种子层,有利于提高ScAlN薄膜的择优取向,提高成膜质量。

    Ku波段自偏置器件用双相复合铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115477534A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211287491.3

    申请日:2022-10-20

    Abstract: 一种Ku波段自偏置器件用双相复合铁氧体材料,属于铁氧体材料制备技术领域。所述双相复合铁氧体材料包括SrM铁氧体、NiCuZn铁氧体和掺杂剂;SrM铁氧体的组分为:SrCO3、CaCO3、La2O3、Co2O3、Fe2O3,NiCuZn铁氧体的组分为:NiO、3~8mol%CuO、ZnO、Fe2O3,NiCuZn铁氧体与SrM铁氧体的重量比为1:(0.11~9);掺杂剂占复合铁氧体材料的重量百分比为:SiO2、H3BO3、CaCO3、CuO、ISOBAM、C36H70O4Zn。本发明双相复合铁氧体材料兼具适宜各向异性场、高矫顽力和剩磁比、低铁磁共振线宽特性,适用于Ku波段自偏置器件设计。

    高功率高居里温度低线宽石榴石铁氧体及制备方法

    公开(公告)号:CN114573334A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210270002.7

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 一种高功率高居里温度低线宽石榴石铁氧体,属于铁氧体材料制备技术领域。所述石榴石铁氧体包括主配方和添加剂,主配方为Y3‑x‑z‑tGdx‑yDyzCatInwGetFe5‑w‑t‑δO12‑1.5δ‑1.5y,0.01≤t≤2.00,0≤w≤1.00,0.02≤x≤2.00,0.05≤y≤0.8,0.01≤z≤0.3,0≤δ≤0.6;添加剂占主配方的重量百分比为:0.02~0.30wt%Bi2O3、0.02~0.30wt%BaTiO3。本发明通过减少主配方中的Gd3+含量,在24c位引入空位,得到了兼具高功率、低铁磁共振线宽ΔH以及高居里温度Tc的石榴石铁氧体。

    一种共形于石油管套壁的抗金属超高频电子标签天线

    公开(公告)号:CN111211399B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202010143452.0

    申请日:2020-03-04

    Abstract: 一种共形于石油管套壁的抗金属超高频电子标签天线,涉及超高频射频识别技术领域。所述超高频电子标签天线为半环形结构,紧贴于石油管套壁之上,包括介质基板,位于介质基板上表面的贴片结构和标签芯片,位于介质基板下表面的金属底板;所述贴片结构为轴对称结构,包括半环形的辐射体和带开口的馈电环,所述辐射体的左侧和右侧设置数量相同的多个矩形槽,所述带开口的馈电环位于贴片结构的中间位置,所述标签芯片位于馈电环的开口位置,所述金属底板完全覆盖介质基板下表面。本发明超高频电子标签天线具有良好的抗金属特性,加工简单,成本低廉,增益高,可读距离远,带宽较大,可以很好地应用于设计频段。

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