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公开(公告)号:CN116396068B
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202310284691.1
申请日:2023-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26
Abstract: K~Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域,本发明的基板材料包括主料和掺杂剂,所述主料包括:0~11.3%BaCO3、2.7%~11.6%SrCO3、3.12%La2O3和80.27%~83.5%Fe2O3,其余为CuO原料;以主料的质量为参照基准,按重量百分比,以氧化物计算,掺杂剂包括:1~2wt%CuO、1~2.5wt%Bi2O3和0.2~1.5wt%SiO2。本发明采用离子取代、湿法磁场成型等技术,获得了高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的M型钡锶铁氧体基板,可满足K~Ka波段铁氧体自偏置环行器的性能要求。
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公开(公告)号:CN118039347A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410222106.X
申请日:2024-02-28
Applicant: 电子科技大学 , 山东春光磁电科技有限公司
Abstract: 一种NiZn铁氧体薄膜磁性能及取向生长的调控方法,属于磁性薄膜材料技术领域。本发明使用旋转喷涂设备,基于吸附‑旋转‑加热‑成膜的制备顺序,先将喷嘴接入去离子水溶液,经过高速旋转的液滴在基板表面形成均匀的水膜,待温度稳定后接入还原剂溶液和氧化剂溶液,通过水解反应促进薄膜的成核及生长,最终制得NiZn铁氧体薄膜。本发明通过引入种子层降低薄膜与衬底之间的应力,诱导薄膜生长调控晶体的微观形貌,不仅使制得的薄膜具有更好的磁性能,而且得到了(222)和(511)取向生长的薄膜,提高了薄膜的均匀性。同时,通过控制种子层的厚度,控制晶面沉积速率,调控薄膜生长取向,优化薄膜生长过程,提高晶粒的均匀性。
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公开(公告)号:CN116396068A
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310284691.1
申请日:2023-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26
Abstract: K~Ka波段自偏置环行器铁氧体基板材料及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域,本发明的基板材料包括主料和掺杂剂,所述主料包括:0~11.3%BaCO3、2.7%~11.6%SrCO3、3.12%La2O3和80.27%~83.5%Fe2O3,其余为CuO原料;以主料的质量为参照基准,按重量百分比,以氧化物计算,掺杂剂包括:1~2wt%CuO、1~2.5wt%Bi2O3和0.2~1.5wt%SiO2。本发明采用离子取代、湿法磁场成型等技术,获得了高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的M型钡锶铁氧体基板,可满足K~Ka波段铁氧体自偏置环行器的性能要求。
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公开(公告)号:CN114907106B
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202210324651.0
申请日:2022-03-30
Applicant: 电子科技大学 , 乳源东阳光磁性材料有限公司
IPC: C04B35/38 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 高机械强度宽温宽频MnZn功率铁氧体的制备方法,涉及铁氧体材料制备技术领域。本发明包括以下步骤:(1)BaTiO3(BTO)基PTC介电陶瓷粉体粉体制备;(2)MnZn铁氧体预烧料制备;(3)掺杂处理:以步骤2)获得的MnZn功率铁氧体预烧料为重量参照基准,按预烧料重量百分比加入以下添加剂:0.02~0.08wt%CaCO3、0.01~0.05wt%Nb2O5、0.01~0.05wt%ZrO2、0.3~0.5wt%Co2O3、0.01~0.05wt%MoO3和0.001~0.012wt%BTO基PTC介电陶瓷粉体,将以上粉料二次球磨;(4)样品成型;(5)烧结。采用本发明技术制备的材料具有优异的机械强度,提高了电子系统的可靠性。
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公开(公告)号:CN114640322B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202210305142.3
申请日:2022-03-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H3/04
Abstract: 一种调控FBAR滤波器中心频率的方法,属于滤波器制备技术领域。包括调频层的制备、调频层的图形化、一次调频、隔离层的制备、隔离层的图形化和二次调频过程。本发明提供的一种调控FBAR滤波器中心频率的方法,在调频层上沉积ScAlN薄膜作为隔离层,ScAlN不与显影液反应,能够解决FBAR滤波器在显影时产生的调频层腐蚀问题,可有效避免滤波器的频率偏移;同时,AlN调频层作为ScAlN薄膜生长的基底,可以同时充当溅射时的种子层,有利于提高ScAlN薄膜的择优取向,提高成膜质量。
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公开(公告)号:CN115340373B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202210837298.6
申请日:2022-07-15
Applicant: 电子科技大学 , 四川京都龙泰科技有限公司
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , H01F1/10 , H01F41/02
Abstract: 一种基于低纯度铁精矿原料体系的六角铁氧体材料制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。本发明基于低纯度铁精矿原料体系的六角铁氧体材料制备方法,采用低纯度铁精矿粉(Fe2O3≥98.5%,SiO2≤0.58%,Al2O3≤0.36%,平均粒径≤10μm)为原料,无需进一步氧化提纯,实现铁矿资源的高效利用;无需大量使用La、Co等稀土或价格较高的金属原料,大幅降低成本,且绿色环保;制得的六角铁氧体材料具有高剩磁和矫顽力,可应用在永磁微特电机中的磁瓦部分,且兼具高的各向异性场和铁磁共振频率等特性,在高频微波器件中同样具有很大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN115477534A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202211287491.3
申请日:2022-10-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , H01F1/03 , H01F41/02
Abstract: 一种Ku波段自偏置器件用双相复合铁氧体材料,属于铁氧体材料制备技术领域。所述双相复合铁氧体材料包括SrM铁氧体、NiCuZn铁氧体和掺杂剂;SrM铁氧体的组分为:SrCO3、CaCO3、La2O3、Co2O3、Fe2O3,NiCuZn铁氧体的组分为:NiO、3~8mol%CuO、ZnO、Fe2O3,NiCuZn铁氧体与SrM铁氧体的重量比为1:(0.11~9);掺杂剂占复合铁氧体材料的重量百分比为:SiO2、H3BO3、CaCO3、CuO、ISOBAM、C36H70O4Zn。本发明双相复合铁氧体材料兼具适宜各向异性场、高矫顽力和剩磁比、低铁磁共振线宽特性,适用于Ku波段自偏置器件设计。
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公开(公告)号:CN112979301B
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202110210661.7
申请日:2021-02-25
Applicant: 电子科技大学 , 江西尚朋电子科技有限公司
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明是提供一种高频高温低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制备方法,其是由主原料和掺杂助剂混合制成,主要针对高频MnZn功率铁氧体材料在高温下难以保持低损耗的技术问题,提供一种高频高温超低损耗MnZn功率铁氧体材料及其制备方法,从而有效降低开关损耗,提高能效,实现环保节能功效。
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公开(公告)号:CN114573334A
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202210270002.7
申请日:2022-03-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , H01F41/02
Abstract: 一种高功率高居里温度低线宽石榴石铁氧体,属于铁氧体材料制备技术领域。所述石榴石铁氧体包括主配方和添加剂,主配方为Y3‑x‑z‑tGdx‑yDyzCatInwGetFe5‑w‑t‑δO12‑1.5δ‑1.5y,0.01≤t≤2.00,0≤w≤1.00,0.02≤x≤2.00,0.05≤y≤0.8,0.01≤z≤0.3,0≤δ≤0.6;添加剂占主配方的重量百分比为:0.02~0.30wt%Bi2O3、0.02~0.30wt%BaTiO3。本发明通过减少主配方中的Gd3+含量,在24c位引入空位,得到了兼具高功率、低铁磁共振线宽ΔH以及高居里温度Tc的石榴石铁氧体。
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公开(公告)号:CN111211399B
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202010143452.0
申请日:2020-03-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种共形于石油管套壁的抗金属超高频电子标签天线,涉及超高频射频识别技术领域。所述超高频电子标签天线为半环形结构,紧贴于石油管套壁之上,包括介质基板,位于介质基板上表面的贴片结构和标签芯片,位于介质基板下表面的金属底板;所述贴片结构为轴对称结构,包括半环形的辐射体和带开口的馈电环,所述辐射体的左侧和右侧设置数量相同的多个矩形槽,所述带开口的馈电环位于贴片结构的中间位置,所述标签芯片位于馈电环的开口位置,所述金属底板完全覆盖介质基板下表面。本发明超高频电子标签天线具有良好的抗金属特性,加工简单,成本低廉,增益高,可读距离远,带宽较大,可以很好地应用于设计频段。
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