公开(公告)号：CN113158429A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110308745.4

申请日：2021-03-23

Applicant: 东南大学 ,  国网电力科学研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 丁昊晖 ,  胡秦然 ,  王长宝 ,  侯凯 ,  张弛 ,  戴哲仁

IPC: G06F30/20

Abstract: 本公开公开一种电池可行域建模方法及其装置,属于电力系统技术领域，包括如下步骤：步骤1，分析磷酸铁锂和钛酸锂的各项性能并进行建模；步骤2，指出现有磷酸铁锂和钛酸锂模型的缺陷，此缺陷导致现有模型难以实用；步骤3，针对此缺陷，提出一种电池可行域建模方法，此种方法在保证精确度的同时简化了电池电池内部消耗的电能和其输出效率关系模型，如此可以大大减少电池管理系统中工控机的计算速度，使按照最优方案进行精细调度成为了可能，而不是传统的根据经验粗糙的估算。

公开(公告)号：CN112466927A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011351448.X

申请日：2020-11-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  辛树轩 ,  葛晨 ,  李胜 ,  张弛 ,  钱乐 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种以雪崩抗冲击的异质结半导体器件，该器件包括衬底(1)和第二介质层(23)，在衬底(1)上设有第一介质层(21)，在第二介质层(23)上设有第一半导体层(24)，第一半导体层(24)上设有第二半导体层(3)，第一半导体层(24)与第二半导体层(3)接触形成导电沟道层(25)，在第二半导体层(3)上设有金属源电极(7)、金属栅电极(8)和金属漏电极(9)，在第二半导体层(3)与金属栅电极(8)之间设有第三介质层(10)，其特征在于，在第一介质层(21)与第二介质层(23)之间设有雪崩层且雪崩层分别与金属源电极(7)、金属漏电极(9)连接。该器件具有雪崩能力，浪涌鲁棒性高。

公开(公告)号：CN112331720A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011234410.4

申请日：2020-11-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  张弛 ,  辛树轩 ,  李胜 ,  钱乐 ,  葛晨 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件，包括：衬底、成核层、漂移区、沟道层、势垒层、第一p型氮化镓帽层、金属源电极、金属漏电极，所述第一p型氮化镓帽层上表面设有第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层、肖特基接触型金属栅电极，同时第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层上表面设有欧姆接触型金属栅电极，肖特基接触型金属栅电极与欧姆接触型金属栅电极侧壁直接接触。本发明在低栅压下可以有效消除电荷存储现象，保证了器件在重复开关工作条件下具有较高的阈值稳定性；在高栅压下可以降低器件的栅漏电，保证器件在高栅压下具有长期稳定的工作状态。

公开(公告)号：CN108899369B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201810682926.1

申请日：2018-06-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  汤丽芝 ,  李胜 ,  张弛 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明提出了一种石墨烯沟道碳化硅功率半导体晶体管，其元胞结构包括：N型衬底，衬底表面的N型漂移区，在漂移区两端设置P型基区，各P型基区内分别设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层且所述栅氧层的两端分别延伸进入两侧的P型基区，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于P型基区表面内嵌有作为沟道的石墨烯条且石墨烯条的两端分别触及N+型源区与P型基区之间的边界和P型基区与N型漂移区之间的边界，在栅宽方向呈蜂窝状分布，器件的导电沟道仍由石墨烯构成，在维持基本不变的导通电阻和电流传输能力下，P型基区被石墨烯条间隔开来，增强辅助耗尽的作用，进一步减小器件整体关态漏电电流，提高击穿电压。

公开(公告)号：CN111354777A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201811585004.5

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘斯扬 ,  张弛 ,  肖魁 ,  孙贵鹏 ,  王德进 ,  魏家行 ,  卢丽 ,  孙伟锋 ,  陆生礼

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种低导通电阻的异质结半导体器件，包括：金属漏电极，衬底，缓冲层，缓冲层内设有电流阻挡层，在缓冲层上设有栅极结构，所述栅极结构包括金属栅电极，GaN柱，AlGaN层，所述金属栅电极上方设有金属源电极，所述电流阻挡层包括多级电流阻挡层且各层的对称中心共线，各级电流阻挡层环形内口自上而下逐级减小，有效限制了峰值电场并使其远离沟道，保证了器件耐压能力，同时减少了电流损失，AlGaN层和GaN柱在缓冲层上方呈蜂窝状分布，产生多段沟道电流，有效提高了电流能力，使得器件在导通时获得更高的开态电流，从而降低了器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN110710951A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201911057883.9

申请日：2019-11-01

Applicant: 东南大学苏州医疗器械研究院

Inventor： 汪丰 ,  王琛 ,  叶欢 ,  徐俊 ,  张弛 ,  徐成

IPC: A61B1/267 ,  A61B1/00 ,  A61B1/04 ,  A61B90/00 ,  A61M16/04

Abstract: 本发明提供一种内窥镜插管辅助插入系统及方法、内窥镜系统。所述辅助插入系统包括影像识别处理单元和角度传感器，所述影像识别处理单元用于与内窥镜的影像输出端相连，所述角度传感器与所述影像识别处理单元相连；其中，所述影像识别处理单元，用于接收所述插管插入过程中的输出影像，并根据所述输出影像识别所述插管是否遇到预设的定位基准部位；响应于所述插管遇到所述定位基准部位，所述角度传感器实时获取所述插管相对所述声门裂部位的偏移角度，并将所述偏移角度反馈至所述影像识别处理单元；所述影像识别处理单元，还用于根据所述偏移角度调整所述插管的插入方向。可以大大降低插管插入目标部位的难度，提高插管插入的准确率。

公开(公告)号：CN107359920A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710623104.1

申请日：2017-07-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 李正权 ,  张弛 ,  燕锋 ,  夏玮玮 ,  沈连丰 ,  孙垚垚 ,  胡静 ,  宋铁成

IPC: H04B7/0456

CPC classification number: H04B7/0456

Abstract: 本发明公开了一种基于切比雪夫迭代法的大规模MIMO预编码方法。包括步骤如下：首先基站通过获得的信道状态信息估计信道矩阵，根据得到的信道矩阵计算RZF预编码的表达式。然后采用切比雪夫迭代法对RZF预编码矩阵中的逆矩阵进行迭代估计，将求解逆矩阵的过程转化成矩阵加法和矩阵乘法运算，最后利用得到的预编码矩阵对发射信号进行预编码。实验结果表明，在相同的初始条件下，经过两次迭代，切比雪夫RZF预编码算法可以获取的与RZF预编码算法近似的平均用户到达率，并且计算复杂度要低。当获取相同的平均用户到达率时，切比雪夫RZF预编码算法的复杂度要小于牛顿RZF预编码算法的复杂度，收敛速度也快。

公开(公告)号：CN301172904S

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200930056297.3

申请日：2009-07-31

Applicant: 东南大学

Designer： 张弛 ,  王颖

Abstract: 该外观设计为平面产品，省略除主视图外的其它视图。

公开(公告)号：CN301169464S

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200930056296.9

申请日：2009-07-31

Applicant: 东南大学

Designer： 张弛 ,  王颖

Abstract: 该外观设计为平面产品，省略除主视图外的其它视图。

公开(公告)号：CN301566629S

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201130001466.0

申请日：2011-01-06

Applicant: 东南大学

Designer： 王颖 ,  张弛

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：书籍封面(189)。2.本外观设计产品的用途：用于设计书籍封面。3.本外观设计的设计要点：见外观设计图。4.最能表明设计要点的图片或者照片：主视图。