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公开(公告)号：CN104022646A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410274367.2
申请日：2014-06-18
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 一种Cuk型开关电源的控制系统，在单周期控制电路的基础上，增设III补偿网络和反馈电路。反馈电路对输出电压Vo进行分压，产生反馈信号VFB。III补偿网络包括误差放大器EA、电阻R1、R2、R3和电容C11、C22、C33，误差放大器EA的同相端连接反馈信号VFB，误差放大器EA的反相端通过电阻R1连接基准电压VREF，电阻R3与电容C33串联后跨接在电阻R1的两端，电阻R2与电容C22串联后与电容C11并联，并联后的两端跨接在误差放大器EAd的输出端和反相端之间。将误差放大器EA的输出与单周期控制电路中积分电路的输出进行比较，比较结果产生的占空比控制Cuk型开关电源中功率管的通断。
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公开(公告)号：CN103762230A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410036513.8
申请日：2014-01-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0603 , H01L29/66325
Abstract: N沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一P型体区和N型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一P型体区与N型外延层耗尽决定，因此N型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。
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公开(公告)号：CN103560720A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310586564.3
申请日：2013-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H02P6/00
Abstract: 本发明公开一种基于同步整流技术的开关磁阻电机控制器的低成本回流管控制电路和方法，通过对电机转速、绕组电流和回流时间进行实测，得到回流时间查找表并存储在微处理器内存中，在换相回流阶段，通过对电机转速和绕组电流的采样作为内置回流时间表的输入信号，利用回流时间表查找到对应的回流时间大小，作为微处理器控制回流管的时间依据，实现在开关磁阻电机换相回流阶段对回流功率管栅极的控制，为开关磁阻电机的同步整流的实现提供可靠的安全保障。本发明由下列部分组成：微处理器，同步整流回流管功率变换器电路电流采样电路，电流放大电路，开关磁阻电机位置传感器。本发明的方法和电路具有易于实现，工作稳定，且成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN103346712A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310313406.0
申请日：2013-07-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种在线估算低速电流斩波控制模式下开关磁阻电机控制器下续流管温度的方法，该方法可以实时估算开关磁阻电机控制器下续流管温度，解决开关磁阻电机控制器长时间低速电流斩波控制（CCC）模式下运行而导致下续流管热电击穿的问题。本发明利用CPU内置的温度传感器得到控制器的初始温度，利用开关磁阻电机低速电流斩波控制模式下控制器下续流管温度同电流一个周期内的斩波次数、斩波占空比和时间的关系拟合出温度-时间公式，利用该公式实现对低速电流斩波控制下开关磁阻电机控制器下续流管温度的实时在线估算。本发明的特点无需硬件电路辅助，应用成本低廉，实时性好，温度误差较小，易于实现。
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公开(公告)号：CN102412773B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110436769.4
申请日：2011-12-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双斩波限开关磁阻电机控制电路，包括微处理器、双相开通区间判别电路、2选1数据选择器、位置信号检测电路、二输入与门、功率变换器、电流采样电路、放大电路、数模转换电路和迟滞比较电路。本发明解决开关磁阻电机在双相启动时因为电流在双相开通区间上升速度过快而出现电流超过斩波上限的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101482856B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910028015.8
申请日：2009-01-05
Applicant: 东南大学
IPC: G06F13/42
Abstract: 基于现场可编程门阵列的串并行协议转换装置能将音频数据的数字音频设备总线(I2S)串行协议与同步动态随机存储器(SDRAM)的并行协议经行转换。能将多媒体数字信号编解码器(CODEC)芯片采集到的串行数据输入FPGA芯片，经过芯片中各个模块的处理后，将串行数据转换为并行数据，输出到语音处理芯片(MCU)。同时将MCU芯片的并行数据输入到FPGA芯片，转化为串行信号后输出到CODEC芯片。本发明用硬件实现了串/并数据的相互转换，解决了在音频数据采集过程中数据传输的问题，降低了语音处理芯片(MCU)的负荷，同时还提高了系统整体的可靠性。
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公开(公告)号：CN100590452C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710020991.X
申请日：2007-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 井下人员定位装置，属于人员定位装置制造技术领域。该装置包括一个监控服务器、若干个安装在井下的基站和多个井下人员随身佩带的身份卡，每一个基站由基站处理器、基站直序扩频射频模块和基站射频收发模块构成，每一个身份卡由身份卡单片机、身份卡直序扩频射频模块和身份卡射频收发模块构成，每一个基站处理器分别通过各自的总线和监控服务器连接，基站射频收发模块与身份卡射频收发模块通过无线方式连接。该装置采用直接序列扩频技术实现井下的基站和井下人员身份卡之间的实时无线通讯，保证通讯信号在空间同一频带中传播时不会产生干扰，解决了井下无线通讯容易被干扰的问题，提高了对井下人员的定位以及监控的可靠性。
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公开(公告)号：CN101482856A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910028015.8
申请日：2009-01-05
Applicant: 东南大学
IPC: G06F13/42
Abstract: 基于现场可编程门阵列的串并行协议转换装置能将音频数据的数字音频设备总线(I2S)串行协议与同步动态随机存储器(SDRAM)的并行协议经行转换。能将多媒体数字信号编解码器(CODEC)芯片采集到的串行数据输入FPGA芯片，经过芯片中各个模块的处理后，将串行数据转换为并行数据，输出到语音处理芯片(MCU)。同时将MCU芯片的并行数据输入到FPGA芯片，转化为串行信号后输出到CODEC芯片。本发明用硬件实现了串/并数据的相互转换，解决了在音频数据采集过程中数据传输的问题，降低了语音处理芯片(MCU)的负荷，同时还提高了系统整体的可靠性。
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公开(公告)号：CN103489917B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310498518.8
申请日：2013-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/05552
Abstract: 一种高雪崩耐量能力的纵向双扩散金属氧化物半导体管结构，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底，在N型掺杂硅衬底上方设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区中设有P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体区，其特征在于，在N型掺杂硅外延层内还设有绝缘物质填充区，在P型掺杂半导体区及N型掺杂硅外延层的表面设有氧化层，在氧化层上方设有多晶硅，在多晶硅及绝缘物质填充区的上方设有介质层，在介质层上设有栅极焊盘金属且栅极焊盘金属位于绝缘物质填充区的正上方，所述多晶硅通过穿过介质层的金属与栅极焊盘金属相连，在所述P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体区上连接有源极金属。
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