公开(公告)号：CN112420824A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011448442.4

申请日：2020-12-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  崔永久 ,  张龙 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种消除负阻效应的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，在N型漂移区上设有氧化层沟槽、第二氧化层埋层及第三氧化层埋层，所述氧化层沟槽位于N型缓冲层与阳极N型重掺杂区间，所述第二氧化层埋层及第三氧化层埋层沿所述晶体管横向设置于阳极N型重掺杂区的下方，在氧化层沟槽与第二氧化层埋层之间设有第一P型埋层。并且，所述第一P型埋层始自所述氧化层沟槽的边界且向所述晶体管边界延伸并至少到达与所述氧化层沟槽相邻的第二氧化层埋层的一端，第二氧化层埋层的另一端与晶体管边界之间留有N型漂移区的一部分，在氧化层沟槽内设有与阳极(A)相连接的阳极多晶硅栅且阳极多晶硅栅位于第一P型埋层的侧方位上。

公开(公告)号：CN107910326A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711031515.8

申请日：2017-10-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  王浩 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路。自举结构包括兼做高低压隔离结构衬底的第一掺杂类型衬底、兼做漂移区的第二掺杂类型漂移区及兼做衬底接触阱的第一掺杂类型衬底接触阱，在第一掺杂类型衬底接触阱内设有作为衬底接触电极的第一掺杂类型接触区，在第二掺杂类型漂移区上分别设有自举结构正电极和自举结构负电极，自举结构正电极为设在第二掺杂类型漂移区内的一个第二掺杂类型接触区，自举结构负电极为设在第二掺杂类型漂移区内的另一个第二掺杂类型接触区，自举结构正电极与第一掺杂类型接触区相邻。自举电路包括自举结构和自举电容，在自举结构正电极上连接有二极管，自举电容与自举结构负电极连接。

公开(公告)号：CN104299992A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410571052.4

申请日：2014-10-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66325

Abstract: 一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该结构包括：P型衬底，埋氧层，漂移区，在漂移区一侧设有深沟槽栅，深P型体区，深P型体区内设有相连的向漂移区内延伸止于BOX层的深P型发射极区、深N型发射极区，在相连的深P型发射极区、深N型发射极区上方设有发射极金属，另一侧设有N型缓冲层和P型集电极区，在P型集电区上方设有集电极金属，该半导体制备方法包括：衬底，埋氧层，N型外延层的制备，用深槽工艺结合多次外延多次高浓度离子注入工艺形成N型发射极、P型体区和P型发射极，用高浓度离子注入工艺形成N型缓冲层和P型集电极区，用槽栅工艺制造成多晶硅栅，打孔、淀积铝形成电极。

公开(公告)号：CN104078498A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410334730.5

申请日：2014-07-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杜益成 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供了一种能够提高普通绝缘栅双极型晶体管耐压能力、高温特性，且无电流回跳现象的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区一侧设有P型体区，另一侧设有N型缓冲层，且P行体区内设有相连的P型发射极区和N型发射极区，其上有用于连接两者的金属以及发射极金属场板，在N型缓冲层内设有P型集电极区，其上设有由于连接的金属以及集电极金属场板，在埋氧层和N型发射区之间的P型体区上方设有多晶硅栅，在N型体区外侧设有两个沟槽隔离层，其间有供载流子流动的间隙，在沟槽隔离层的外侧设有两个N型集电极区，其通过金属与P型集电极相连。

公开(公告)号：CN102646711B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201210101013.9

申请日：2012-04-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  张龙 ,  杨卓 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层，且P型埋层在N型柱内。

公开(公告)号：CN103006272A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201310007683.9

申请日：2013-01-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 周宾 ,  姚琛 ,  许传龙 ,  张龙

IPC: A61B8/06

Abstract: 本发明公开了一种基于超声交织编程的速度分布测量方法，包括如下步骤1）向待测流体中添加示踪剂；2）控制器控制高频超声换能器按照交织编程方式向外发射高频超声波信号，并采集流体中示踪剂的背向散射射频信号；3）在步骤2）的基础之上，对交织编程方法采集的交织射频图像解耦，即可获得图像对；4）在步骤3）的基础之上，将上述交织编程方法采集到的两帧射频信号图像1和图像2划分成多个分析窗口即询问窗口，接着对询问窗口进行傅里叶空间内的二维互相关运算以得到该处示踪剂的局部位移，再根据两帧图像的时间间隔Δt，则可以计算得到速度向量即位移除以时间Δt。该方法可以测定较高流速状态下流体速度场。

公开(公告)号：CN102760756A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210227688.8

申请日：2012-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  张龙 ,  吴逸凡 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06

Abstract: 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。

公开(公告)号：CN102646709A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210101011.X

申请日：2012-04-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  吴逸凡 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由间隔排列的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有源极埋层，源极埋层包括薄氧化层和薄氧化层上的多晶硅，多晶硅栅和源极金属相连。

公开(公告)号：CN119475738A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411538075.5

申请日：2024-10-31

Applicant: 河北交通投资集团有限公司 ,  河北省交通规划设计研究院有限公司 ,  东南大学

Inventor： 何勇海 ,  雷伟 ,  焦彥利 ,  余汪梓 ,  刘攀 ,  高静雅 ,  张龙 ,  李志斌 ,  徐铖铖

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/13 ,  G06T7/80 ,  G06T15/00 ,  G06T17/05 ,  G06F18/2134 ,  G06F18/25 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了复合交通网络宏微观一体化的微观三维仿真方法及系统，涉及交通仿真技术领域。本发明包括：实时联动全局动态交通场景搭建；多源交通智能体参数融合标定；前后端双向一体化通信渲染模块；复合交通网络场景复现分析响应动态可视化演示交互与评价体系开发以及全视角仿真视频流存档回访分析。本发明基于复合交通网络宏微观一体化，通过发明的改进集中学习‑分布执行深度多源智能体算法、微观仿真模型参数多维度标定、微观交通流个体交互模型以及微观交通评价指标计算体系完成微观三维仿真系统构建，从微观角度为城市交通三维仿真提供了可靠实用的手段。

公开(公告)号：CN115273497A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210924707.6

申请日：2022-08-02

Applicant: 河北雄安荣乌高速公路有限公司 ,  河北省交通规划设计研究院有限公司 ,  东南大学

Inventor： 杨祥 ,  雷伟 ,  杨阳 ,  靳进钊 ,  刘攀 ,  李春杰 ,  焦彦利 ,  张超 ,  王庆远 ,  韩明敏 ,  侯建华 ,  金凤温 ,  张泽云 ,  李志斌 ,  张龙 ,  李红刚 ,  孙闻鹏 ,  韩雨 ,  彭彬 ,  季欣凯 ,  冯海燕

IPC: G08G1/07 ,  G08G1/09 ,  G08G1/065 ,  G08G1/01 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明实施例公开了一种高速公路交通协同控制方法、电子设备和存储介质。其中，方法包括：当高速公路上发生交通事故时，获取事故位置、所述事故位置上游受影响区域的起始位置，以及所述受影响区域内的入口匝道和出口匝道；分别预测所述起始位置处主线、所述入口匝道和出口匝道在未来第二设定时长内的第一交通流量；将所述第一交通流量作为边缘节点流量，构建所述受影响区域的路网仿真模型；基于模型预测控制方法多次运行所述路网仿真模型，迭代更新所述路网仿真模型中的交通控制参数；根据最终的交通控制参数，对所述主线、所述入口匝道和所述出口匝道进行协同交通控制。本实施例在事故发生时对道路主线和匝道协同进行交通控制。