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公开(公告)号：CN101510562B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910030068.3
申请日：2009-03-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 一种减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型半导体衬底，在N型半导体衬底上面设置有P型阱区，在P型阱区上设置有N型阱区和N型掺杂半导体区，在N型阱区上设有N型源区和P型接触区，在N型掺杂半导体区上设有N型漏区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在P型阱区内设有轻掺杂浅N型区，所述的轻掺杂浅N型区位于N型阱区与N型掺杂半导体区之间，且轻掺杂浅N型区覆盖栅氧化层与N型掺杂半导体区形成的拐角。
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公开(公告)号：CN101149628B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200710134482.X
申请日：2007-10-30
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明公开了对电源电压变化的敏感程度很小的高稳定性的一种基准电压源电路，包括电压源电路，电源预调整电路，电源预调整电路的电压输入端接电源Vdd，其预调整电源端连接电压源电路的输入供电源端，电压源电路的基准电压输出端连接电源预调整电路的电压反馈端，且输出基准输出电压Vref。本发明的带有电源预调整电路的基准电压源电路工作时，不同电源电压输入条件下输出电压非常稳定，对电源电压变化的敏感程度很小；且能够在获得低温度系数基准电压源的同时，减小了基准电压源输出电压对电源电压变化的敏感程度，同时增强了电路的抗电源抖动能力；且其电路结构简单，适应性广，成本低。
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公开(公告)号：CN101639381A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910184800.2
申请日：2009-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种红外焦平面读出电路分阶段背景抑制方法，其特征在于：红外焦平面读出电路中的单元电路，设有包括注入电路、积分电容电路、背景减去电流电路及行选控制电路，探测器的输出端接注入电路的输入端；注入电路的输出端接积分电容电路的输入端；积分电容电路的输出端、背景减去电流电路的输出端及行选控制电路的输入端相互连接；背景减去电流电路的输入端接输入电压V B ；行选控制电路的输出端接后续信号处理电路；利用背景减去电流电路在积分过程中分阶段导通，每次导通即从积分电容电路减去一个电荷包，分多次消除背景电流累积在积分电容上的电荷，实现背景抑制。
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公开(公告)号：CN100565140C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200810020660.0
申请日：2008-02-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种红外焦平面读出电路的单元电路，其特征在于所述单元电路包括：积分电容选择单元，积分/复位控制单元，输入放大器，采样保持单元和源跟随单元。本发明利用积分/复位控制单元的复位在单元电路内部提供恒定的红外探测器偏置电压，不需要外置偏压；大部分晶体管采用P型MOS管，有效减小了单元电路的噪声；采用单级放大器代替差分放大器，减小了单元电路功耗，并且节省单元面积；设计了两档电容值可供选择，可以满足不同背景条件的需要；积分时间可以根据不同的探测器电流大小进行合适的选取。
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公开(公告)号：CN101587901A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910032750.6
申请日：2009-06-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压二极管和低压器件构成，各高压器件之间和高压与低压器件之间以始自埋氧层经过N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽隔离，在高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管电极下方的埋氧层上方设有部分N型或P型重掺杂埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，在埋氧层上方制作部分N型或P型重掺杂埋层，淀积N型外延层，制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压器件的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101582978A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910033324.4
申请日：2009-06-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种红外读出电路的背景抑制方法及其电路，设有负电荷包产生器、探测器、注入电路、采样保持电路及缓冲器，负电荷包产生器的输出端与注入电路的一个输入端连接；探测器的输出端与注入电路的另一个输入端连接，注入电路的输出端与采样保持电路的输入端连接，采样保持电路的输出端与缓冲器的输入端连接，缓冲器的输出端接后续信号处理电路。本发明采用负电荷包产生器分阶段提供多个负电荷包来减去背景电流在积分电容上累积的电荷，不需要现有技术的背景电流存储器产生背景减去电流来实现背景抑制，具有极低的背景抑制非均匀性，并且不引入额外的噪声和功耗。
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公开(公告)号：CN100459145C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610098373.2
申请日：2006-12-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2块场氧化层之间，在N型外延内设有2个P型隔离阱，该2个P型隔离阱分别位于2块场氧化层的下方，并且该2个P型隔离阱将N型外延分隔成3块，上述重掺杂N型区位于2个P型隔离阱之间，在2个P型隔离阱的上端分别设有重掺杂P型区，上述重掺杂N型区及重掺杂P型区与零电位相连接。本发明能够有效防止体硅高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发。
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公开(公告)号：CN101262218A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810019657.7
申请日：2008-03-11
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/00 , H03K19/173 , H03K19/177
Abstract: 本发明公开一种数据多路及顺/反向输出控制电路，其特征在于包括基本导通信号产生电路、中间信号产生电路、输出路数选择电路和输出端口电路。本发明通过基本导通信号电路、中间信号产生电路、输出路数选择电路和输出端口电路的设置，接收路数选择信号、起始总线选择信号和顺/反向输出控制信号的设定并进行一系列处理，不仅可以实现单路、双路和四路输出，输出路数可选，还可以指定传输起始列，并实现数据的顺向或反向输出，从而满足多种工作情况下的使用要求。
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公开(公告)号：CN101261160A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810020660.0
申请日：2008-02-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种红外焦平面读出电路的单元电路，其特征在于所述单元电路包括：积分电容选择单元，积分/复位控制单元，输入放大器，采样保持单元和源跟随单元。本发明利用积分/复位控制单元的复位在单元电路内部提供恒定的红外探测器偏置电压，不需要外置偏压；大部分晶体管采用P型MOS管，有效减小了单元电路的噪声；采用单级放大器代替差分放大器，减小了单元电路功耗，并且节省单元面积；设计了两档电容值可供选择，可以满足不同背景条件的需要；积分时间可以根据不同的探测器电流大小进行合适的选取。
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公开(公告)号：CN1996598A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610098371.3
申请日：2006-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L27/04
Abstract: 本发明公开了一种适用于外延工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间的隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底上设有两块场氧化层，在P型衬底上设有重掺杂N阱且该重掺杂N阱位于两块场氧化层之间，在重掺杂N阱与P型衬底之间设有深N型阱且该深N型阱延伸至两块场氧化层的下方，上述重掺杂N阱与零电位相连接。本发明能够有效防止外延高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发，且本发明中深N型阱是高压结构中用到的深阱，对衬底注入载流子的吸附效果要比普通低压N型阱结构好。
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