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公开(公告)号：CN112349575B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010742867.X
申请日：2020-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 本发明提供一种喷淋板、下部电介质和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式中，喷淋板包括：具有气孔的板状的电介质主体；和电介质主体内所包含的多个密闭区域。各密闭区域具有比电介质主体低的介电常数，电介质主体的中央区域中的密闭区域的体积密度高于电介质主体的周边区域中的密闭区域的体积密度。根据本发明，能够提高等离子体的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN113140910B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110011263.2
申请日：2021-01-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制天线之间的电磁耦合的阵列天线和等离子体处理装置。阵列天线对等离子体处理装置的腔室内辐射电磁波，包括：多个天线；和隔开间隔地配置于多个上述天线之间的多个防耦合元件，多个上述防耦合元件分别包括：在上述腔室内连接于构成接地面的顶壁的第1部件；和连接于上述第1部件的前端或者其附近的第2部件。
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公开(公告)号：CN108766881B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810331134.X
申请日：2018-04-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G01R31/26
Abstract: 本发明的等离子体处理装置和控制方法的目的在于，监视等离子体生成空间中的多个区域各自的等离子体点火的状态。提供一种等离子体处理装置，具有将从微波输出部输出的微波向处理容器的内部辐射的微波辐射机构，其中，所述微波辐射机构具有：天线，其用于辐射微波；电介质构件，其使从所述天线辐射的微波透过，且形成用于通过该微波来生成表面波等离子体的电场；传感器，其设置于所述微波辐射机构或者该微波辐射机构的附近，且监视生成的等离子体的电子温度；以及控制部，其基于由所述传感器监视到的等离子体的电子温度，来判定等离子体点火的状态。
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公开(公告)号：CN113284784A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110172280.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。期待能够在基板的边缘附近高效地产生等离子体的载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。在一个例示性的实施方式中，提供一种具有载置面的载置台。该载置台的特征在于，载置台具有厚度，包括埋设有高频电极的载置台主体，载置台主体包含陶瓷，高频电极在载置面的外周部下方区域沿上述的厚度的方向延伸。
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公开(公告)号：CN110021514B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201811516404.0
申请日：2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种天线和等离子体成膜装置，目的在于高效地供给VHF的高频电力。天线具有：第一供电部，其供给VHF的高频电力；以及第二供电部，经由所述第一供电部向所述第二供电部供给所述VHF的高频电力，其中，在所述第二供电部的侧方连接所述第一供电部的前端部，第二供电部在所述第一供电部的前端部的上方和下方具有一对金属反射板，所述一对金属反射板的间隔为λg/4+λg×n/2(λg：VHF的电磁波的管内波长，n：0以上的整数)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112652512A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011046672.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：处理容器；以及多个气体喷嘴，其从构成上述处理容器的顶壁和/或侧壁伸出，具有对上述处理容器内供给气体的气体供给孔，多个上述气体喷嘴具有扩径部，该扩径部在多个上述气体喷嘴的气体供给孔的前端从上述气体供给孔的细孔扩大，在处理空间开口。本发明能够在气体喷嘴防止异常放电。
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公开(公告)号：CN108878248A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810468527.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，其包括：配置在处理容器的顶部，将用于从气体生成等离子体的微波导入到该处理容器的内部的微波导入组件；和形成在上述处理容器的顶部，将气体导入到等离子体处理空间的多个供气孔，上述多个供气孔分别具有空腔部，上述空腔部从上述供气孔的细孔扩展而成，且在上述等离子体处理空间开口，上述空腔部的等离子体处理空间侧的直径为3mm以上，且为等离子体中的微波的表面波波长的1/8以下。由此，能够优化供气孔的形状，防止在供气孔中因微波的表面波而发生异常放电。
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公开(公告)号：CN108735568A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810330050.4
申请日：2018-04-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种等离子体处理装置和控制方法，目的在于监视等离子体的分布。该等离子体处理装置具有：多个气体供给喷嘴，其设置于处理容器的壁面，朝向该处理容器的径向内侧供给处理气体；N个微波导入模块，其沿所述处理容器的顶板的周向配置，将用于生成等离子体的微波导入到该处理容器内；以及传感器，在所述处理容器的壁面上设置有N或N的倍数个所述传感器，所述传感器监视在所述处理容器内生成的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te中的至少一方，其中，N≥2。
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公开(公告)号：CN105531800B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201480050227.5
申请日：2014-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J2237/332 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生用天线，该等离子体产生用天线包括向处理容器内供给第1气体和第2气体的喷淋板，利用由于微波的供给而形成于该喷淋板表面的表面波形成等离子体而对基板进行处理，其中，具有从喷淋板的下端面向下方突出的导电体的垂下构件，该垂下构件的外侧面从上端部朝向下端部向外侧扩展，喷淋板具有多个第1气体供给口和多个第2气体供给口，第1气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠内侧的位置，第2气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠外侧的位置。
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公开(公告)号：CN103187270A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210570812.0
申请日：2012-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H05B6/6402 , H05B6/70 , H05B6/806
Abstract: 本发明提供一种微波加热处理装置和处理方法，该微波加热处理装置和处理方法，具有良好的电力的利用效率和加热效率，能够对被处理体进行均匀的处理。四个微波导入口（10）设置为，其全部远离晶片（W）的正上方，并且，其长边平行于侧壁部（12）的四个直线部分中的至少一个。以包围晶片（W）的周围的方式进行设置的整流板（23）的上表面，以从晶片（W）侧（内侧）向侧壁部（12）侧（外侧）扩开的方式倾斜而形成倾斜部（23A）。倾斜部（23A）与四个微波导入口（10）上下相对地设置。
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