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公开(公告)号：CN106340434A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610537014.6
申请日：2016-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32807
Abstract: 本发明提供一种对等离子体腐蚀的耐久性良好的喷淋头。等离子体处理装置(11)中设置的喷淋头(22)包括：基材(60)，其包括用于对腔室成于气体排出孔(40)的气体排出口一侧的凹部；和由陶瓷或不锈钢构成，固定于基材(60)的凹部中的圆筒状的套管，采用由耐等离子体膜(63)将套管的表面和基材(60)的配置有套管的面覆盖的结构。在使用陶瓷套管(61)的情况下，在基材(60)的等离子体生成空间(S)一侧的面与耐等离子体膜(63)之间设置基底膜(62)。(20)内排出处理气体的气体排出孔(40)、以及形
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公开(公告)号：CN105206497A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510523186.3
申请日：2012-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种防止在环状屏蔽部件的构成零件和基板载置台之间产生间隙并能够防止构成零件破损的环状屏蔽部件。屏蔽环(15)由四个环构成零件(41)～(44)构成，在各环构成零件(41)～(44)的长度方向上的固定端设置有全方向移动限制部(45)，单方向移动容许部(46)与全方向移动限制部(45)离开地设置，例如以一个环构成零件(41)的固定端(41a)的端面与相邻的另一环构成零件(43)的自由端(43b)的侧面抵接，一个环构成零件(41)的自由端(41b)的侧面与相邻的又一环构成零件(44)的固定端(44a)的端面抵接的方式，组合各环构成零件(41)～(44)。
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公开(公告)号：CN102956431A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210306041.4
申请日：2012-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种防止在环状屏蔽部件的构成零件和基板载置台之间产生间隙并能够防止构成零件破损的环状屏蔽部件。屏蔽环（15）由四个环构成零件（41）~（44）构成，在各环构成零件（41）~（44）的长度方向上的固定端设置有全方向移动限制部（45），单方向移动容许部（46）与全方向移动限制部（45）离开地设置，例如以一个环构成零件（41）的固定端（41a）的端面与相邻的另一环构成零件（43）的自由端（43b）的侧面抵接，一个环构成零件（41）的自由端（41b）的侧面与相邻的又一环构成零件（44）的固定端（44a）的端面抵接的方式，组合各环构成零件（41）~（44）。
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公开(公告)号：CN102543816A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110460424.2
申请日：2011-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够防止对形成于基板表面的电路的元件的破坏以及向基板附着污染物质，且能够防止对基板背面的损伤，并且能够容易地应用于既有的装置。在具有上层(42)、下层(43)以及被设于上层(42)与下层(43)之间的静电电极板(44)的静电吸盘(40a)的上层(42)的基板载置面(41)上形成有由作为与基板G的背面的构成材料相同的材料的玻璃形成的、用于与基板G的背面抵接的最上层(45a)，上层(42)及下层(43)由作为对含氟气体具有抗性的电介质的氧化铝形成。
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公开(公告)号：CN101752172B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200910224362.8
申请日：2009-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制等离子体处理时生成的附着物的扬起，降低被处理体的污染的等离子体处理装置。在将处理气体在阳极电极与阴极电极间等离子体化、向被处理体S进行处理的等离子体处理装置中，上侧整流壁(51)与下侧整流壁(52)在形成一方的电极的载置台(3)上上下堆积，包围载置在该载置台(3)上的被处理体(S)的周围，升降机构使上侧整流壁(51)在下侧整流壁(52)上的载置位置与在上方侧离开该下侧整流壁(52)的位置之间升降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101261952B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810080550.3
申请日：2008-02-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/00 , C23F4/00 , C23C16/458 , C23C14/50 , C30B25/12 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板载置台以及基板处理装置，其能够在载置基板时防止划伤基板的背面，该基板载置台包括：基材(110)；形成在所述基材上的、用于载置基板(G)的介电性材料层(120)；以及在介电性材料层上形成的多个凸部(142)，其中，作为所述各凸部(142)与基板(G)的接触部分的上部(144)由硬度比基板(G)的硬度低的材料构成。
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公开(公告)号：CN101615574B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200910149488.3
申请日：2009-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3213 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种处理装置。在内部具备以包围基板的方式配置的用于抑制方形基板的周边区域的负载效应的整流部件的载置台中，当对该基板进行蚀刻处理时，抑制由该蚀刻处理生成的生成物所造成的基板污染。在以包围基板的方式设置的整流部件的至少与该基板相对的面上配置多孔体。并且，通过使由基板蚀刻处理生成的生成物吸附在该多孔体的表面，提高生成物和整流部件的紧贴强度，抑制该生成物的脱落。
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公开(公告)号：CN101625954B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910151468.X
申请日：2007-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种修补方法，能够简易并且适当地对静电吸附电极的破损部位进行修补。其对裂纹(100)的周围进行切削，形成锥状的凹部(51)。然后使用喷镀装置(202)喷镀绝缘物(60)，从而埋住凹部(51)。接着对埋入凹部(51)中的绝缘物(60)突出的部分进行切削，使表面平坦化，从而形成修补覆膜(61)。
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公开(公告)号：CN101276777B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810088536.8
申请日：2008-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/00 , C23C16/458 , C23C16/44 , C23F4/00 , G02F1/1333
Abstract: 本发明提供一种基板载置台，能够防止设置在层叠多个板构成的载置台上的升降销的破损以及电极的破损，该基板载置台包括：升降销(242)，其升降自由地设置在贯通配置在最上部的电极板(210)的销插通孔(214)中；和用于对升降销(242)的升降进行引导的升降导向体(300)，升降导向体(300)被配置成通过层叠在电极板(210)的下侧的温度调整用板(220)的通孔(226)，并且通过定位销(350)被位置限定为相对于电极板(210)不能水平移动。
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公开(公告)号：CN101752173A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910254266.8
申请日：2009-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置、真空处理系统和处理方法，真空处理装置即使被处理体大型化也能极力抑制真空处理容器的尺寸，真空处理系统能不使用大型搬送臂向真空处理装置搬送被处理体。从第一真空搬送装置(200a)内向等离子体处理装置(100)内浮起搬送基板(S)时，从搬送台(203)的浮起用气体喷射孔(207)向基板的背面喷射浮起用气体使其浮起状态下，利用一对引导装置(205)的保持部件(213)保持基板，使可动支承体(217)在轨道(215)上向等离子体处理装置移动。接着解除保持部件的保持，利用来自载置台(103)的气体喷射孔(103b)的气体使基板静止浮起，向等离子体处理装置交接基板。
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