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公开(公告)号：CN116046331A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211610045.1
申请日：2022-12-14
Applicant: 上海无线电设备研究所
Abstract: 一种飞行器激波场的模拟、预估及测量方法，分析飞行器激波场的频谱特征，使用声喇叭天线模拟激波场的物理特征，并预估其Bragg匹配条件下的雷达散射截面(RCS)，使用大功率雷达在Bragg匹配频率上进行探测，获取功率谱、RCS、频移等特征量，可直观地反映大气声场的物理散射过程，易于理解，为超音速飞行器的外流场探测提供原理验证方法，适用于大气流场的电磁散射探测问题。
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公开(公告)号：CN115713552A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211462054.0
申请日：2022-11-17
Applicant: 上海无线电设备研究所
IPC: G06T7/50 , G06N3/094 , G06N3/0475
Abstract: 本发明提供一种基于深度学习的浑浊水体中激光深度图重建方法，包括步骤：S1、将观测目标分别置于空气介质和浑浊水体中，采集神经网络训练数据；S2、基于所述神经网络训练数据，对基于生成对抗模型的生成式神经网络进行训练，获得激光深度图重建模型；S3、采集观测目标的激光雷达点云数据及实测时的水体信息、观测视角，输入所述激光深度图重建模型，获取重建激光深度图。本发明通过深度学习方法滤除水体多次散射效应导致的误差影响，从而大大提升了水下激光深度图的重建精度。
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公开(公告)号：CN115561754A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211073421.8
申请日：2022-09-02
Applicant: 上海无线电设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种双层迭代的图像域目标三维散射中心位置的提取方法，该方法包含：S1、对目标散射建模并进行第一层迭代分别得到目标频域散射的距离向、方位向和俯仰向的一维成像的散射中心位置；S2、将S1的数据组合为目标三维散射中心候选位置，基于目标三维散射中心候选位置进行第二层迭代得到目标三维散射中心位置。其优点是：该方法基于目标频域散射的距离向、方位向和俯仰向的一维成像的散射中心位置得到目标三维散射中心候选位置，进而基于目标三维散射中心候选位置进行第二层迭代得到目标三维散射中心位置，既实现了对目标散射中心位置的提取精度，又显著降低了目标整体三维成像的存储量，提高了散射中心位置估计效率。
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公开(公告)号：CN114245700A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111542746.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 上海无线电设备研究所
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提供一种宽带吸波结构，包括：六边形底部夹层和6个结构相同的吸波壁；6个所述吸波壁沿底部夹层的六边邻接组成六边形蜂窝腔体；其中，每个所述吸波壁包括：底部蜂窝层，其竖直连接在底部夹层的顶面；中间夹层，其与底部夹层平行设置，且中间夹层的底面连接于底部蜂窝层的顶面；中间蜂窝层，其竖直连接在中间夹层的顶面；表面夹层，其与中间夹层平行设置，且表面夹层的底面连接于中间蜂窝层的顶面。所述宽带吸波结构还包括底部吸波块，其设置在六边形蜂窝腔体的内部，且与底部夹层连接。本发明具有吸波性能强、吸波范围广、结构稳定以及制造方法简便等优势。
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公开(公告)号：CN107764416B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710979597.2
申请日：2017-10-19
Applicant: 上海无线电设备研究所
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种时域太赫兹波束相位分布的测量方法，太赫兹波束从发射端z轴方向传播，该方法包含如下步骤：S1，设于第一传播距离z1且垂直于z轴的平面上为xy z1平面，在xy z1平面上设置一金属平板；S2，金属平板从太赫兹光束外侧逐渐遮挡，记录下在不同位置上的太赫兹时域光谱信号，直至将太赫兹波束完全遮挡；S3，设于第二传播距离z2且垂直于z轴的平面上为xy z2平面，所述的金属平板置于xy z2平面，并重复步骤S2；S4，求取出太赫兹波束在第一传播距离z1和第二传播距离z2处的各个频点的光强分布，最后根据z1和z2的间距计算出太赫兹波束在xy z1平面和xy z2平面上的相位分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106324579B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610929956.9
申请日：2016-10-31
Applicant: 上海无线电设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种目标强散射源RCS提取算法，该方法包含如下步骤：S1，对目标的一维距离像进行建模；S2，根据对目标所存在的各类散射机理及其所在径向位置的分析，建立目标中各类散射机理与一维距离像中各峰值之间的映射关系，并对各散射机理对应的一维距离像进行提取；S3，根据目标中强散射源所对应的一维距离像提取结果，采用离散傅里叶变换处理方法获取所述强散射源所对应的RCS。本发明通过对一幅雷达图像的反演可以同时获取目标中多个强散射源所对应的RCS，极大扩展了适用范围。
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公开(公告)号：CN105304260B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510801522.6
申请日：2015-11-19
Applicant: 上海无线电设备研究所
Abstract: 本发明提供一种三维成型的电磁材料制备方法及制备系统，将三维成型技术应用于复杂电磁材料的制造中。将稀释剂与粘结剂混合后，以高添加比添加电磁微粒得到电磁材料混合物，对其喷涂并待固化成型后得到电磁材料涂层；通过研磨进行初步破碎，再在球磨破碎后进行清洗和筛选，得到电磁材料的微粉；利用三维造型设备，以电磁材料的微粉为铺粉材料，并使用低浓度添加有电磁微粒的粘结剂，进行复杂结构电磁材料的三维成型制造。本发明所制备的材料可应用于通讯基站、手机、电脑等，电磁材料可设计性强，可以实现较好的电磁波吸收或屏蔽效果，还具有很好的抗氧化、耐腐蚀、制造简单、成本低等优点，有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104392022B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410595649.2
申请日：2014-10-30
Applicant: 上海无线电设备研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于行为模型的电子设备电磁兼容路级综合建模方法，首先进行电子设备前端场结构的等效电路建模，建立集总元件电路模型，然后进行基于行为模型的底层物理电路建模，建立描述电路输入输出功能特性的行为模型，最后将集总元件电路模型和描述电路输入输出功能特性的行为模型进行综合，建立电子设备的综合路级模型，统一用于电路级的仿真分析。本发明简化了计算且省略了传统场路协同分析时的数据接口，解决了系统内电路高集成度和数模混合高复杂度导致的大量积微分方程求解困难问题，行为模型与电路模型还能相互兼容，提高了分析效率，建立的综合电路模型通用性强，可以根据电子设备性能灵活调整模型的参数，简单易实现。
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公开(公告)号：CN106485071A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610881718.5
申请日：2016-10-09
Applicant: 上海无线电设备研究所
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G16Z99/00
Abstract: 本发明涉及一种多层分组结构的快速近远场转换方法，根据加法定理将近场散射用多层平面波分解，得到反射率谱与近场散射之间的关系式，该关系式可离散化为矩阵方程。对于电大尺寸目标，上述矩阵方程的未知数数目巨大，直接求解或用迭代的方式求解都要耗费巨大的计算量和计算机内存。为此，本发明利用加法定理，将转移算子作用在于高层级组中心，将平面波分解到下一层组的中心，该过程以递归的方式进行，直到最后一次分解作用在采样点上。本发明可处理任意位置任意极化采样的近场数据，极大化简了近场测试系统，有效降低了算法复杂度和计算机内存需要。
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公开(公告)号：CN105390909A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510739915.9
申请日：2015-11-04
Applicant: 上海无线电设备研究所 , 上海理工大学
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于具有微纳结构的本征半导体层的太赫兹源及制备方法，该太赫兹辐射源是基于肖特基二极管结构的器件，该器件包括由上至下依次设置的：带有一个毫米级大小的窗口的第一金属电极；透明或半透明的肖特基接触层；具有微纳结构的本征半导体层；缓冲层；衬底、欧姆接触层，及，第二金属电极；该本征半导体层为III-V族高电子迁移率的化合物半导体层；该衬底为N型或P型重掺杂的高电子迁移率的半导体层。本发明的器件结构简单，技术成熟，能够使太赫兹辐射在0.5~3.0 THz 范围内辐射强度提高近10 dB；能够为太赫兹时域光谱技术在爆炸物、毒品及细菌病毒检测、生物活体成像及分析等应用领域提供廉价、高效、可室温工作的太赫兹辐射源。
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