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公开(公告)号：CN100411032C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200480023616.5
申请日：2004-08-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24065
Abstract: 一种光学记录介质(10)，设有支撑基板(11)和透光层(12)，以及，在透光层(12)与支撑基板(11)之间进一步具有电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。第二电介质层(32)包含ZnS或者ZnS和SiO2的混合物作为主要成分，并且在其中将ZnS占ZnS和SiO2总量的比设定成摩尔百分比60%至100%。因为第二电介质层(32)的材料具备较高的硬度和柔软性两者，除此之外还具有较高的热传导率，能达到热传导率与层硬度的良好平衡，所以，可以用精确形状形成精细的记录标记。
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公开(公告)号：CN100361216C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200480018579.9
申请日：2004-06-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00452 , G11B2007/24304 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明的目的是提供一种光学记录盘，包括：衬底(2)，第三介电层(3)，光吸收层(4)，第二介电层(5)，含有氧化铂作为主要成分的分解反应层(6)，第一介电层(7)，和光透射层(8)，并且构成该光学记录盘，使得在从光透射层(8)这一侧用激光束(20)照射光学记录盘时，在分解反应层(6)中作为主要成分所含的氧化铂被分解成铂和氧，因此通过由此产生的氧气在分解反应层(6)中形成泡状凹坑，并且贵金属的细小颗粒沉淀在泡状凹坑内，由此在分解反应层(6)中形成了记录标志。
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公开(公告)号：CN101009117A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610001775.6
申请日：2006-01-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/00452 , G11B7/243 , G11B2007/2432
Abstract: 一种光学记录介质包含一个层叠体，其中在该层叠体的记录层7和光吸收层5之间至少插入一个电介质层6，该光学记录介质被构成为来再现用记录标记串记录的数据，其中的记录标记串包含长度小于解析极限的记录标记。为了再现记录的数据，该光学记录介质的反射率为20％到80％，且以5.6×108W/m2到1.2×1010W/m2的功率密度照射激光束。
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公开(公告)号：CN1836280A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023616.5
申请日：2004-08-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24065
Abstract: 一种光学记录介质(10)，设有支撑基板(11)和透光层(12)，以及，在透光层(12)与支撑基板(11)之间进一步具有电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。第二电介质层(32)包含ZnS或者ZnS和SiO2的混合物作为主要成分，并且在其中将ZnS占ZnS和SiO2总量的比设定成摩尔百分比60％至100％。因为第二电介质层(32)的材料具备较高的硬度和柔软性两者，除此之外还具有较高的热传导率，能达到热传导率与层硬度的良好平衡，所以，可以用精确形状形成精细的记录标记。
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公开(公告)号：CN1672202A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03817344.1
申请日：2003-06-24
Applicant: TDK株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 日本先锋公司 , 夏普株式会社 , 三星日本株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/00452 , G11B7/242 , G11B7/257 , G11B2007/2432
Abstract: 通过分解贵金属氧化物并使贵金属氧化物层变形，在包括贵金属氧化物层的光学记录媒体中形成记录标记串。贵金属颗粒不可逆地淀积在以记录标记串形成的贵金属氧化物层中，并且将再现数据的激光束辐射在由此淀积的贵金属颗粒上，由此读取记录标记串。记录标记串包括具有短于0.37λ/NA的长度的至少一个记录标记，其中λ是激光束的波长，NA是辐射激光束的光学系统。根据本发明，在以这种方式记录和再现具有小于分辨率极限的尺寸的记录标记或具有等于或大于该分辨率极限但接近该分辨率极限的尺寸的记录标记的情况下，可以获得高再现输出，并且对于在记录标记串中的所有的记录标记中的每个记录标记，可以实现高再现持久性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119882280A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411449788.4
申请日：2024-10-17
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及带电介质薄膜的基板、光波导元件和光学调制元件。一种带电介质薄膜的基板(1)，其具有：单晶基板(2)、以及在单晶基板(2)的主面(2a)上接触而形成的电介质薄膜(3)，电介质薄膜(3)由作为c轴取向的外延膜的铌酸锂膜形成，包含LiNbO3的双晶结构，所述LiNbO3的双晶结构包含第1晶体(3a)和以c轴为中心使第1晶体(3a)旋转了180°的第2晶体(3b)，电介质薄膜(3)中，将从单晶基板(2)起至厚度方向一半处的下部区域(31)除外的上部区域(32)中所含的第1晶体(3a)和第2晶体(3b)的最大畴宽为80nm～300nm。
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公开(公告)号：CN117891024A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311320276.3
申请日：2023-10-12
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及光合波器及可见光光源模块。本发明的光合波器是对波长不同的多个可见光进行合波的光合波器，具备：基板，其由与铌酸锂不同的材料构成；及光合波功能层，其形成于基板的主面，光合波功能层具有两个多模干涉型光合波部、以及与多模干涉型光合波部连接的光输入侧光波导及光输出侧光波导，多模干涉型光合波部、光输入侧光波导及光输出侧光波导由铌酸锂膜构成。
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公开(公告)号：CN116794861A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210263062.6
申请日：2022-03-17
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本公开提供能够在从晶圆切出的基板的外周端部防止各结构层间的细微剥离的光调制元件。光调制元件(1)具备基板(10)、形成于基板(10)上的波导层(11)、形成于波导层(11)上的电介质层(12)、形成于电介质层(12)上的电极(4b1)。具有电介质层(12)的外周端部(E12)存在于比基板(10)的外周端部(E10)更靠内侧的偏置区域，在偏置区域的至少一部中，从基板(10)的外周端部(E10)到电体层(12)的外周端部(E12)的距离(L12)为从基板(10)的外周端部(E10)到电极(4b1)的外周端部(E13)的距离(L13)以下。
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公开(公告)号：CN115917410A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180039629.5
申请日：2021-06-18
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 光调制器具备：光调制元件(100)，其具有第一光波导(11)、第二光波导(12)、向上述第一光波导(11)施加电场的第一电极(21)、以及向上述第二光波导施加电场的第二电极(22)；控制部(130)，其控制上述第一电极(21)和上述第二电极(22)之间的施加电压，第一光波导(11)及第二光波导(12)分别包含从铌酸锂膜(40)的第一面(40a)突出的脊形状部，上述控制部(130)在将上述光调制元件(100)的半波长电压设为Vπ，将零点电压设为Vn时，将动作点Vd设为Vn+0.50Vπ≤Vd≤Vn+0.75Vπ或Vn－0.75Vπ≤Vd≤Vn－0.50Vπ，将向上述光调制元件(100)施加的施加电压的振幅即施加电压幅度Vpp设为0.22≤Vpp≤0.50的范围。
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