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公开(公告)号：CN103730491A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310168042.1
申请日：2013-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7781 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7782 , H01L29/7786 , H03K3/012
Abstract: 一种高电子迁移率晶体管（HEMT）和驱动该HEMT的方法。HEMT包括：用于在沟道层内部感应出二维电子气（2DEG）的沟道提供层；在沟道提供层上形成的耗尽形成层；在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的第一栅极电极；以及在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的至少一个第二栅极电极。
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公开(公告)号：CN101855727B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880115280.3
申请日：2008-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F1/404 , H01F10/1933 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L29/82
Abstract: 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。
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公开(公告)号：CN101308867B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810096571.4
申请日：2008-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/349 , H01L27/11568 , H01L29/42332 , H01L29/42336 , H01L29/42348 , H01L29/42352 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供了一种存储装置、一种制造该存储装置的方法以及一种操作该存储装置的方法。所述存储装置可以包括：沟道区，具有上端，其中，上端的两侧弯曲，两侧的弯曲部分允许在编程或擦除中将电荷注入到两侧的弯曲部分中，使得注入有电荷的弯曲部分与确定阈值电压的部分分开；栅极结构，在沟道区上。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101271901A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810002004.8
申请日：2008-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/792 , H01L29/49 , H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/28 , G11C16/14 , G11C16/10
CPC classification number: H01L29/792 , G11C16/10 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/42328 , H01L29/66833
Abstract: 本发明提供一种用擦除栅极执行擦除操作的半导体存储装置及其制造方法。所述半导体存储装置可以包括存储具有第一极性的第一电荷传输介质的电荷捕获层以及至少一个擦除栅极。所述至少一个擦除栅极可以形成在电荷捕获层下方。具有与第一极性相反的第二极性的第二电荷传输介质可以存储在所述至少一个擦除栅极中。在擦除操作的过程中，第二电荷传输介质迁移到电荷捕获层，导致第一电荷传输介质与第二电荷传输介质结合。
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公开(公告)号：CN100365836C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510076220.3
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝光发光器件包括在衬底上的第一导电层，在第一导电层上的多个纳米丝，每一个纳米丝在其两端具有p型掺杂部分和n型掺杂部分，在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间具有光发射层，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过沿掺杂部分的周围吸收分子形成掺杂部分。
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公开(公告)号：CN1722480A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510076219.0
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L33/38 , H01L51/0038 , H01L51/502 , H01L51/5032 , H01L2251/303
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝发光器件包括形成在衬底上的第一导电层、垂直形成在第一导电层上的多个纳米丝，每一纳米丝具有n型掺杂部分和p型掺杂部分、在n型掺杂部分或p型掺杂部分之间的发光层、填充在分别对应于p型掺杂部分和n型掺杂部分的空间的第一和第二导电有机聚合物，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过向对应的纳米丝表面提供电子或从其接受电子，有机聚和物将对应的纳米丝表面掺杂。
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