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公开(公告)号：CN103794686B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310513215.9
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
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公开(公告)号：CN108231820A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711267205.6
申请日：2017-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供一种发光二极管(LED)装置，包括：多个彼此间隔开的发光结构；多个电极层，其分别在多个发光结构的第一表面上；保护层，其分别在多个发光结构中的每一个的第二表面上；分离层，其使多个发光结构彼此电绝缘，并且使所述多个电极层彼此电绝缘；多个荧光体层，其分别在多个发光结构的第二表面上，所述多个荧光体层中的每一个各自输出不同颜色的光；以及分隔层，其在荧光体层之间并将多个荧光体层彼此分离，分隔层包括衬底结构、绝缘结构或金属结构。
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公开(公告)号：CN103594584B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201310354117.5
申请日：2013-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和发光设备以及半导体发光器件的制造方法。该半导体发光器件包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、第一内部电极、第二内部电极、绝缘部件以及第一焊盘电极和第二焊盘电极。有源层布置在第一导电半导体层的第一部分上，并且有源层上面布置有第二导电层。第一内部电极布置在第一导电半导体层的与第一部分分开的第二部分上。第二内部电极布置在第二导电半导体层上。绝缘部件分别布置在第二部分的一部分、第一内部电极以及第二内部电极上，而第一焊盘电极和第二焊盘电极布置在绝缘部件上并且分别与第一内部电极和第二内部电极中的相应一个电极连接。
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公开(公告)号：CN103594584A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310354117.5
申请日：2013-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和发光设备以及半导体发光器件的制造方法。该半导体发光器件包括第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层、第一内部电极、第二内部电极、绝缘部件以及第一焊盘电极和第二焊盘电极。有源层布置在第一导电半导体层的第一部分上，并且有源层上面布置有第二导电层。第一内部电极布置在第一导电半导体层的与第一部分分开的第二部分上。第二内部电极布置在第二导电半导体层上。绝缘部件分别布置在第二部分的一部分、第一内部电极以及第二内部电极上，而第一焊盘电极和第二焊盘电极布置在绝缘部件上并且分别与第一内部电极和第二内部电极中的相应一个电极连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393917A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810215207.5
申请日：2008-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/105 , H01L23/522 , H01L21/8234 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种半导体器件、采用其的电子产品及其制造方法。本发明提供了一种能够减小厚度的半导体器件、一种采用该器件的电子产品、以及一种制造该器件的方法。制造半导体器件的方法包括制备具有第一和第二有源区的半导体衬底。第一有源区中的第一晶体管包括第一栅极图案和第一杂质区。第二有源区中的第二晶体管包括第二栅极图案和第二杂质区。第一导电图案在第一晶体管上，其中第一导电图案的至少一部分被布置为与第二栅极图案的至少一部分和半导体衬底的上表面相距相同的距离。可以在形成第二晶体管的同时在第一晶体管上形成第一导电图案。
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公开(公告)号：CN1086078C
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN98103666.X
申请日：1998-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于多路时分双工系统中的发射机/接收机，具有独立的组合器和分配器，以便将发送信道与接收信道完全隔离。该发射机/接收机包括分别连到第一和第二收发信机的第一和第二环行器。在第一和第二环行器及天线之间形成发送信道，以便根据发送起动信号传送发送信号。在第一和第二环行器及天线之间形成接收信道，以便根据接收起动信号传送接收信号。开关控制电路在发送方式时产生发送起动信号，而在接收方式时产生接收起动信号。
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公开(公告)号：CN1083230C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN96123960.3
申请日：1996-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金容一
IPC: H04Q7/34
Abstract: 一种无线电通信设备的无线电特性评定装置包括：第一测量样品终端；第二被测样品终端；一个无线电模式转换机架，用于通过设定第一和第二终端之间的呼叫保持讲话状态，用于根据无线电特性衰减讲话路径的电平；一个控制终端设备，用于控制无线电模式转换机架的呼叫设定、发送与接收模式的转换和控制第二终端以便尝试呼叫，和用于管理在讲话状态下的无线电特性评定测试的结果；和发送与接收测试器，测量发送与接收无线电特性评定测试。
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公开(公告)号：CN1169644A
公开(公告)日：1998-01-07
申请号：CN97105505.X
申请日：1997-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金容一
IPC: H04Q7/20
Abstract: 移动通信系统接收器的接收信号强度探测电路包括:第一中频处理器,用来在第一中频段处理从空中传来的射频信号,从而产生第一中频信号;第二中频处理器,用来在第二中频段处理第一中频信号,从而产生第二中频信号;第一通道,它连接到第二中频处理器的输出端,用来为与第二中频信号强度相对应的电流提供流通路径;以及第二通道,它对所述第一中频信号的产生作出响应而为流过第一通道的电流提供附加的流通路径。
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公开(公告)号：CN109962060B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201811316171.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 提供了发光器件封装和显示设备，发光器件封装包括：单元阵列，包括第一、第二和第三发光器件，每个发光器件包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，该单元阵列具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；透光基板，包括分别与第一发光器件和第二发光器件相对应的第一波长转换部分和第二波长转换部分，并且接合到第一表面；共晶接合层，包括分别与第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件相对应的第一发光窗口、第二发光窗口和第三发光窗口，并且将透光基板和第一至第三发光器件彼此接合。
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