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公开(公告)号：CN106571369A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610883927.3
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11556
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11556 , H01L27/11575
Abstract: 公开了半导体装置和非易失性存储装置。垂直NAND型存储装置包括在下面的基底上按交替的顺序布置的栅极间绝缘层和栅电极的垂直堆叠，所述基底包括在其中的单元阵列区和接触区。提供了至少一个NAND型沟道结构，所述NAND型沟道结构穿过栅极间绝缘层和栅电极的垂直堆叠垂直地延伸。栅电极中的在接触区的至少一部分上横向地延伸的一个第一栅电极的端部侧壁的垂直斜率不如在所述一个第一栅电极与基底之间延伸的多个第一栅电极的端部侧壁的垂直斜率陡峭。
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公开(公告)号：CN110931457B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201910396049.6
申请日：2019-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白石千
IPC: H01L23/538 , H10B41/35 , H10B41/27 , H10B43/27 , H10B43/35
Abstract: 一种半导体器件包括具有单元区域和与单元区域相邻的连接区域的衬底。下堆叠结构和上堆叠结构设置在衬底上。沟道结构设置为穿过上堆叠结构和下堆叠结构。多个下互连层中最上面的下互连层中包括的下延伸线部分和多个上互连层中最下面的上互连层中包括的上延伸线部分之间的距离小于多个下互连层中最上面的下互连层中包括的下栅电极部分与多个上互连层中最下面的上互连层中包括的上栅电极部分之间的距离。
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公开(公告)号：CN110085594B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910074254.0
申请日：2019-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：栅极堆叠结构，位于基体基底上，所述栅极堆叠结构包括在与基体基底的表面垂直的方向上堆叠并且彼此分隔开的栅电极；贯通区，贯穿栅极堆叠结构并且被栅极堆叠结构围绕；以及第一垂直通道结构和第二垂直通道结构，位于贯通区的两侧上并且贯穿栅极堆叠结构，其中，贯通区位于第一垂直通道结构和第二垂直通道结构之间。
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公开(公告)号：CN118678682A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311486060.4
申请日：2023-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白石千
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，在第一方向上的单元阵列区域和连接区域；以及堆叠结构，在第二方向上交替堆叠的电极层和电极间绝缘层，电极层包括交替堆叠的第一电极层和第二电极层，每个第一电极层包括第一连接部分以及第一前端和第一后端，第一连接部分在单元阵列区域中，第一前端和第一后端在连接区域中在第三方向上彼此间隔开，并且位于彼此相同的水平处，第一前端和第一后端连接到第一连接部分，第一前端具有朝向第一后端突出的第一突出部，并且第一前端的第一突出部与第二电极层不重叠。
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公开(公告)号：CN110970441B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910665689.2
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白石千
Abstract: 公开了一种垂直存储器装置，该垂直存储器装置可以包括基底上的栅电极、合并图案结构和单元接触塞。栅电极可以在与基底正交的第一方向上间隔开，并且可以沿平行于基底的第二方向延伸。合并图案结构可以沿第二方向延伸，同时合并每个水平的栅电极的端部。合并图案结构的边缘可以具有阶梯形状。合并图案结构可以包括电连接到栅电极的垫图案。单元接触塞可以延伸穿过合并图案结构并电连接到垫图案中的一个垫图案。单元接触塞可以与其它栅电极电绝缘。单元接触塞可以接触下面的导电材料。单元接触塞的上表面可以仅接触绝缘材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110634873B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910433308.8
申请日：2019-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了三维半导体存储器装置。所述装置可以包括半导体层和在半导体层上的电极结构。电极结构可以包括第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构包括第一电极部分和第一垫部分，第二电极结构包括第二电极部分和第二垫部分。第一电极部分和第二电极部分中的每个具有第一宽度，第一垫部分和第二垫部分中的每个具有第二宽度，第二宽度可以小于第一宽度。第一电极部分和第二电极部分可以彼此间隔开第一距离，第一垫部分和第二垫部分可以彼此间隔开第二距离，第二距离可以大于第一距离。
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公开(公告)号：CN110473874B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201910384252.1
申请日：2019-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白石千
Abstract: 一种半导体装置包括：具有第一区和第二区的衬底；栅电极，其在第一区中在垂直于衬底的第一方向上堆叠，并且在第二区中在垂直于第一方向的第二方向上延伸不同的长度；第一分离区，其在第一区和第二区中，穿过栅电极，在第二方向上延伸，并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此隔开；第二分离区，其位于第一分离区之间，穿过栅电极和在第二方向上延伸，第二分离区的一些部分在第二区中在第二方向上彼此隔开；以及绝缘区，其在第三方向上延伸，以将栅电极中的至少一个分离为在第二方向上彼此邻近的部分。
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公开(公告)号：CN110729298B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201910639765.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白石千
IPC: H10B41/27
Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，包括其上设置存储单元的单元区域和其上设置导电图案的连接区域，导电图案电连接到存储单元；第一字线堆叠，包括堆叠在单元区域中的衬底上并延伸到连接区域的多个第一字线；第二字线堆叠，包括堆叠在单元区域中的衬底上并延伸到连接区域的多个第二字线，第二字线堆叠与第一字线堆叠相邻；垂直沟道，设置在衬底的单元区域上，垂直沟道连接到衬底并分别与所述多个第一字线和所述多个第二字线联接；桥，将第一字线堆叠中的所述多个第一字线之一连接到第二字线堆叠的对应字线。
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公开(公告)号：CN110634874B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910525108.5
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：衬底；电极结构，包括顺序地堆叠在衬底上的栅电极；源极结构，在电极结构和衬底之间；垂直半导体图案，穿过电极结构和源极结构；数据存储图案，在垂直半导体图案的每个和电极结构之间；以及公共源极图案，在源极结构和衬底之间。公共源极图案具有比源极结构低的电阻率，并且通过源极结构连接到垂直半导体图案。
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公开(公告)号：CN115605025A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210790701.4
申请日：2022-07-05
Applicant: 三星电子株式会社(KR)
IPC: H10B41/35 , H10B41/41 , H10B41/50 , H10B41/27 , H10B43/35 , H10B43/40 , H10B43/50 , H10B43/27 , H01L23/522
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域、第二区域和第三区域；外围电路结构，在衬底上并且包括外围电路和连接到外围电路的多个布线层；公共源极板，在外围电路结构上并且在水平方向上延伸；第一区域和第二区域上的公共源极板上的栅极电极，在与衬底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开，该栅极电极在第二区域上具有阶梯形状；沟道结构，在第一方向上延伸通过第一区域上的栅极电极；第一导电导通孔，穿透第三区域上的公共源极板并且电连接到多个布线层；以及虚设绝缘柱，与第三区域上的第一导电导通孔相邻并且连接到公共源极板的上表面。
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