公开(公告)号：CN112420110A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010836633.1

申请日：2020-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李侊祐 ,  金灿河 ,  李熙元

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/04 ,  G11C16/30

Abstract: 提供了一种能够最小化与读取扰动相关联的监视开销的非易失性存储器设备。该非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括第一单元串，该第一单元串包括串联连接的多个存储器单元，其中，多个存储器单元包括第一监视单元、第一存储器单元和第二存储器单元；以及行解码器，其当读取存储器单元当中的第一存储器单元时，向第一存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供第一监视电压，并且当读取第二存储器单元时，向第二存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供不同于第一监视电压的第二监视电压。

公开(公告)号：CN111009280A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910832232.6

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李觥祐 ,  金灿河 ,  李允井 ,  金志守 ,  卢承京 ,  李镇旭 ,  李熙元

IPC: G11C29/12

Abstract: 一种存储装置包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器块，每个存储器块包括连接到多条字线的多个存储器单元；以及控制器，其被配置为基于外部主机装置的请求对包括在所选存储器块中的连接到所选字线的存储器单元执行第一读取操作。控制器还被配置为在执行第一读取操作之后执行检查所选存储器块的存储器单元的可靠性的检查读取操作。在检查读取操作中，控制器还被配置为选择并执行实际检查和基于机器学习的检查中的一个。

公开(公告)号：CN109671462A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201810863665.3

申请日：2018-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  康淑恩 ,  金志秀 ,  卢承京 ,  李东起 ,  李允宑 ,  李镇旭 ,  李熙元 ,  张俊锡 ,  崔永夏

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/10 ,  G06K9/6223 ,  G06K9/6226 ,  G11C5/063 ,  G11C8/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004 ,  G11C16/26

Abstract: 一种包括控制器的存储设备的操作方法：从非易失性存储器接收读取数据；基于接收到的读取数据测量分别对应于非易失性存储器的多个存储单元块的多个阈值电压分布；基于所测量的多个阈值电压分布来测量多个存储单元块之间的分布变化；基于所测量的分布变化来动态地确定用于非易失性存储器的操作参数；以及向非易失性存储器发送操作命令、地址和与该地址相对应的至少一个操作参数。

公开(公告)号：CN108108810A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711191140.1

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金灿河 ,  吴玄教 ,  金玉河 ,  卢承京 ,  白种南 ,  李东起 ,  李镇旭 ,  李熙元

IPC: G06N3/063 ,  G06F12/02 ,  G11C16/34

Abstract: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问，并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。

公开(公告)号：CN107689236A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710637135.2

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东勋 ,  姜熙雄 ,  徐準浩 ,  李熙元

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/12

Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储单元阵列、电压产生器、页缓冲器电路、行解码器和控制电路。存储单元阵列包括对应于不同位线的多个垫。电压产生器产生施加到存储单元阵列的字线电压。页缓冲器电路通过位线耦接到存储单元阵列。行解码器通过字线耦接到存储单元阵列，并且行解码器将字线电压传送到存储单元阵列。控制电路基于命令和地址来控制电压产生器、行解码器和页缓冲器电路。控制电路根据多个垫中同时操作的垫的数量，选择不同电压之中的电压以施加到字线中的至少一个或位线中的至少一个。

公开(公告)号：CN107564562A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710521176.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李熙元 ,  高莎丽 ,  卢承京 ,  权成南

IPC: G11C8/14 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C16/3418 ,  G06F3/0679 ,  G11C7/04 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3422 ,  G11C16/3427 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495

Abstract: 存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备包括多个存储块，多个存储块中的每个包括存储单元。控制器在读取操作期间从自存储块中所选择的存储块的选择的存储单元读取数据。该选择的存储单元对应于被选择作为读取目标的字线和串选择线两者。控制器将读取计数增加对应于选择的存储块的选择的字线和串选择线的读取权重，并且如果读取计数达到阈值，则对选择的存储单元执行刷新操作。在选择的存储块中，根据串选择线和字线的位置分配两个或更多个读取权重。

公开(公告)号：CN102737719B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201210111593.X

申请日：2012-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文贵妍 ,  李熙元

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/02

CPC classification number: G06F3/0619 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/349 ,  G11C29/52

Abstract: 基于被分配给被选择存储空间的种子顺次产生随机序列数据，并且，将被选择存储空间的被请求访问的段之一与顺次产生的随机序列数据进行逻辑组合，以便传送被请求访问的段。顺次产生和逻辑组合被反复执行，直到剩余的被请求访问的段全部被传送为止。

公开(公告)号：CN101071641A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710128277.2

申请日：2007-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东求 ,  李熙元

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C2211/5642

Abstract: 在一个实施例中，非易失存储装置包括多个常规存储单元，以及至少一个与多个常规存储单元中的一个相关联的标记存储单元。常规页缓冲器被配置为存储从多个常规存储单元中的一个读取的数据。常规页缓冲器包括存储读取数据的主锁存器。控制电路被配置为在读取操作期间基于标记存储单元的状态选择性地改变存储在主锁存器中的数据。