公开(公告)号：CN1306590C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410100189.8

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在鹤 ,  文永俊 ,  李敬雨 ,  黄晸郁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明披露一种采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法。该方法包括制备半导体衬底。层间绝缘层形成在半导体衬底上，预通孔是通过对层间绝缘层形成图案而形成的。牺牲通孔保护层形成在具有预通孔的半导体衬底上，以填充预通孔并覆盖层间绝缘层的上表面。牺牲金属氧化物层形成在牺牲通孔保护层上，对牺牲金属氧化物层形成图案，以形成具有开口的牺牲金属氧化物图案，该开口横过预通孔并暴露牺牲通孔保护层。使用牺牲金属氧化物图案作为蚀刻掩模，蚀刻牺牲通孔保护层和层间绝缘层，以形成位于层间绝缘层内的槽。

公开(公告)号：CN1624897A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410100189.8

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在鹤 ,  文永俊 ,  李敬雨 ,  黄晸郁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明披露一种采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法。该方法包括制备半导体衬底。层间绝缘层形成在半导体衬底上，预通孔是通过对层间绝缘层形成图案而形成的。牺牲通孔保护层形成在具有预通孔的半导体衬底上，以填充预通孔并覆盖层间绝缘层的上表面。牺牲金属氧化物层形成在牺牲通孔保护层上，对牺牲金属氧化物层形成图案，以形成具有开口的牺牲金属氧化物图案，该开口横过预通孔并暴露牺牲通孔保护层。使用牺牲金属氧化物图案作为蚀刻掩模，蚀刻牺牲通孔保护层和层间绝缘层，以形成位于层间绝缘层内的槽。

公开(公告)号：CN1469452A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03138696.2

申请日：2003-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光熙 ,  郑铉潭 ,  李敬雨 ,  李守根

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 一种在金属间介电层上构成图形的方法，包括a)在包含其上形成图形的下层电路的半导体基底上依次排放下层蚀刻阻止层、下层介电层、上层蚀刻阻止层和上层介电层，b)在上层介电层、上层蚀刻阻止层和下层介电层构成图形形成通孔，曝光下层电路上的下层蚀刻阻止层，c)用紫外线辐照通孔，d)在得到的包括通孔的半导体基底上形成光刻胶层，并在光刻胶层上构成图形，e)使用构成图形的光刻胶层作为蚀刻掩模构成图形上层介电层以形成上层介电层通孔周围的线路，和f)曝光下层线路的顶部。该方法容易除去光刻胶残余物，防止水引起的介电常数增加。