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公开(公告)号：CN116504898A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310079196.7
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了纳米棒发光二极管(LED)、显示装置及其制造方法。纳米棒LED包括第一类型半导体层、氮化物发光层和第二类型半导体层，第一类型半导体层包括主体和从主体连续提供的金字塔形结构，氮化物发光层提供在金字塔形结构上，第二类型半导体层提供在氮化物发光层中。
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公开(公告)号：CN116207122A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210897402.0
申请日：2022-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种显示装置、一种增强现实设备、和一种制造显示装置的方法，该显示装置包括：第一半导体层，具有彼此相反的第一表面和第二表面；从第一表面突出的多个间隔物以及在所述多个间隔物之间的多个开口区域；多个有源层，与所述多个开口区域相反地提供在第一半导体层的第二表面上；多个第二半导体层，与第一半导体层相反地分别提供在所述多个有源层上；分隔膜，提供在所述多个有源层当中的两个相邻的有源层之间和在所述多个第二半导体层当中的两个相邻的第二半导体层之间；以及多个颜色转换层，提供在所述多个开口区域中在第一半导体层的第一表面上。
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公开(公告)号：CN115621297A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210423574.4
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/778
Abstract: 一种高电子迁移率晶体管包括：沟道层；势垒层，在沟道层上并具有比沟道层的能带隙大的能带隙；在势垒层上的栅极结构；源电极和漏电极，在势垒层上彼此间隔开且栅极结构在其之间；场板，电连接到源电极并在栅极结构之上延伸；以及与势垒层和漏电极接触的场分散层。场分散层可以朝栅极结构延伸。
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公开(公告)号：CN115295043A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210409553.7
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/413 , G11C8/14 , G11C8/10 , G11C7/18 , G06F1/06
Abstract: 公开了静态随机存取存储器(SRAM)装置。根据本公开的示例实施例，所述SRAM装置的控制逻辑可包括与用于跟踪存储器单元阵列的列的数量和存储器单元阵列的行的数量的金属线连接的跟踪电路。通过跟踪电路，存储器单元阵列的字线的长度和存储器单元阵列的位线的长度可被跟踪。所述SRAM装置的控制逻辑可基于跟踪电路的一个或多个跟踪结果来生成针对存储器单元阵列的尺寸进行优化的控制脉冲。因此，可减少写入操作和读取操作所需的功率和时间。
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公开(公告)号：CN114496968A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110589669.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种半导体器件封装和/或制造该半导体器件封装的方法。该半导体器件封装可以包括：半导体器件，包括在半导体器件的上表面上的多个电极焊盘；引线框架，包括接合到所述多个电极焊盘的多个导电构件；以及模制件，在所述多个导电构件之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112993028A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
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公开(公告)号：CN107240355B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710196508.7
申请日：2017-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09F9/30
Abstract: 本公开涉及显示面板和多画面设备。一种多画面设备可以包括显示面板，该显示面板包括显示屏，该显示屏包括第一区域和邻近的第二区域。第一区域可以包括第一像素，第二区域可以包括第二像素。第一像素和第二像素具有不同的结构。显示面板可以显示横跨显示屏的第一区域和第二区域的单个图像。多画面设备可以包括互连的显示面板的阵列，该互连的显示面板的阵列被配置为基于每个给定的显示面板在所述给定的显示面板的第一和第二区域中显示单独的子图像而共同地显示图像。
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公开(公告)号：CN110034214A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811509616.6
申请日：2018-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；穿过第二导电半导体层和有源层的多个孔；沿着发光堆叠件的边缘延伸的沟槽，所述沟槽延伸穿过第二导电半导体层和有源层；以及位于所述多个孔内和沟槽内的反射金属层。
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公开(公告)号：CN110010734A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811521399.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。
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公开(公告)号：CN104636119A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410643221.0
申请日：2014-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/38
CPC classification number: G06F9/3887 , G06F7/06 , G06F7/76 , G06F9/30032 , H04L9/0618 , H04L2209/08
Abstract: 提供一种用于处理混编指令的方法和设备。以分层结构配置混编单元，每个混编单元通过对输入数据元素阵列执行混编来产生混编数据元素阵列。在包括上层混编单元和下层混编单元的分层结构中，从下层混编单元输出的混编数据元素阵列作为上层混编单元的输入数据元素阵列的一部分被输入到上层混编单元。
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