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发明公开
高电子迁移率晶体管审中-实审

公开(公告)号：CN115621297A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210423574.4

申请日：2022-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 , 全祐彻 , 金钟燮

IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/778

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管包括：沟道层；势垒层，在沟道层上并具有比沟道层的能带隙大的能带隙；在势垒层上的栅极结构；源电极和漏电极，在势垒层上彼此间隔开且栅极结构在其之间；场板，电连接到源电极并在栅极结构之上延伸；以及与势垒层和漏电极接触的场分散层。场分散层可以朝栅极结构延伸。

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