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公开(公告)号：CN101170110B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710154778.8
申请日：2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0821 , H01L27/0676 , H01L27/0808 , H01L27/0814 , H01L29/0804 , H01L29/73 , H01L29/868 , H01L29/93 , H01Q9/0407
Abstract: 提供了一种用于波段间和波段内频率调谐的半导体元件、以及具有该半导体元件的天线和频率调谐电路。该半导体元件包括：具有相同极性的第一和第二半导体；具有与所述第一和第二半导体的极性相反的极性并插入在所述第一和第二半导体之间的第三半导体；插入在所述第一和第三半导体之间的第一本征半导体；以及插入在所述第三和第二半导体之间的第二本征半导体。
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公开(公告)号：CN100474773C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510124880.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/0571 , H03H9/706 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/4902 , Y10T29/49155
Abstract: 公开了一种超小型的、高性能的单片双工器。该单片双工器包括基片、形成在基片上表面第一区域中的发射端滤波器、形成在基片上表面第二区域中的接收端滤波器、结合在基片上表面的区域上以把发射端滤波器和接收端滤波器封装在密封状态中的封装基片、和移相器，该移相器形成在封装基片一个表面上并分别连接到发射端滤波器和接收端滤波器以拦截发射端滤波器和接收端滤波器之间的信号入流。
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公开(公告)号：CN100474770C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510120426.1
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03H9/54
CPC classification number: H03H9/0542 , H03H9/542 , H03H9/564 , H03H9/566
Abstract: 一种由薄膜体声谐振器形成的滤波器，其拓扑结构能够实现在与谐振器相同的衬底的上制造微调电感器。可以在单个芯片上，仅采用集成电路工艺制造整个滤波器。在示范性实施例中，一对分路谐振器中的每一个均具有一个连接至串联谐振器的电极，所述的两个分路谐振器的另一个电极相互连接。在所述公共电极和地电势之间连接所述微调电感器。在所述串联谐振器和地电势之间连接第三分路谐振器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101017839A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610165656.4
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/0542 , H03H9/173
Abstract: 本发明提供一种单片射频(RF)电路以及一种制造该单片RF电路的方法。单片RF电路包括基础基底、滤波部分和开关部分。所述滤波部分包括：第一支撑层和第二支撑层，形成在所述基础基底上；第一气隙，形成在所述第一支撑层和第二支撑层之间；第一电极，形成在所述第二支撑层和所述第一气隙上；第一压电层，形成在所述第一支撑层和第一电极上；第二电极，形成在所述第一压电层上。所述开关部分包括：第三支撑层，与所述第二支撑层相邻；第二气隙，形成在所述第二支撑层和第三支撑层之间；第一开关电极，形成在所述第二气隙和第三支撑层上；第二压电层，形成在所述第一开关电极上。
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公开(公告)号：CN1975956A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610136623.7
申请日：2006-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01H57/00 , H01L41/094 , H01L41/314 , H01L41/33
Abstract: 本发明涉及一种压电射频(RF)微机电系统(MEMS)装置及其制造方法，其中RF MEMS装置基于压电效应以低压向上驱动。所述压电RF MEMS装置包括：提供有RF输出信号线的上基板；设置于RF输出信号线下的压电致动器；和提供有空腔的下基板，从而压电致动器的一端固定到下基板且其另一端可移动且与上和下基板分开，其中压电致动器提供有在其上的RF输入信号线，且接触焊盘被提供以当压电致动器被向上驱动时将RF输出信号线与RF输入信号线连接。制造压电RF MEMS装置的方法包括：提供包括RF输出信号线的上基板；提供包括压电致动器的下基板，压电致动器具有对应于RF输出信号线的RF输入信号线；且组装上基板和下基板。
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公开(公告)号：CN1783712A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510124880.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/0571 , H03H9/706 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/4902 , Y10T29/49155
Abstract: 公开了一种超小型的、高性能的单片双工器。该单片双工器包括基片、形成在基片上表面第一区域中的发射端滤波器、形成在基片上表面第二区域中的接收端滤波器、结合在基片上表面的区域上以把发射端滤波器和接收端滤波器封装在密封状态中的封装基片、和移相器，该移相器形成在封装基片一个表面上并分别连接到发射端滤波器和接收端滤波器以拦截发射端滤波器和接收端滤波器之间的信号入流。
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公开(公告)号：CN1485873A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03154570.X
申请日：2003-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01P1/127 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006
Abstract: 一种微型开关，包括：形成在基底上的电介质层，该电介质层具有移动区；导电层，形成在移动区的预定部分上；电介质薄膜，形成在导电层上；第一和第二电导体，在电介质薄膜的上方的预定距离形成；一个或两个下电极，形成在移动区上；以及一个或两个上电极，在下电极上方的预定距离形成，当在上电极和下电极之间产生静电力时，两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动，并且使第一和第二电导体电容联接，以便使电流在第一和第二电导体之间流动。这种微型开关的通断率和隔离度高，结构简单，并且可以以非常简单的加工过程制造。
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公开(公告)号：CN1338793A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01124577.8
申请日：2001-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01P7/065
Abstract: 一种谐振器,包括有槽的下部基片;充满该槽的电介质;材料膜形成于该槽内壁上,用于防止下部基片和电解质之间的介电常数突然变化;上部基片与下部基片组合以形成空腔;导电薄膜形成于上部基片下表面上以对着电介质,还有与材料膜接触的狭槽,并使电介质露出;以及用于波导管的带状传输线,其形成于上部基片上表面上并与导电薄膜相连。通过使空腔充满电介质(或磁性材料),对应于给定谐振频率的空腔尺寸能减小。
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