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公开(公告)号：CN1213306C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03138453.6
申请日：2003-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R21/00
CPC classification number: G01R21/00 , G01R1/06772
Abstract: 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器包括：最好用半导体形成的基底，如，硅，或电介质材料构成，固定在基底上的固定部件构成用于传输射频信号的信号线及地线，以及跨越信号线连接在地线间的桥体，其中桥体受到外驱动力的作用，外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。相应地，通过信号线与桥体之间的电容测量射频信号功率。射频功率传感器促进匹配，减少插入损耗，由于其基于传输线路所具有的特性阻抗，可以在非常宽频带中使用。根据对桥体所进行的设计还可对大功率进行测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1314063C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03154570.X
申请日：2003-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01P1/127 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006
Abstract: 一种微型开关，包括：形成在基底上的电介质层，该电介质层具有移动区；导电层，形成在移动区的预定部分上；电介质薄膜，形成在导电层上；第一和第二电导体，在电介质薄膜的上方的预定距离形成；一个或两个下电极，形成在移动区上；以及一个或两个上电极，在下电极上方的预定距离形成，当在上电极和下电极之间产生静电力时，两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动，并且使第一和第二电导体电容联接，以便使电流在第一和第二电导体之间流动。这种微型开关的通断率和隔离度高，结构简单，并且可以以非常简单的加工过程制造。
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公开(公告)号：CN1455261A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN03138453.6
申请日：2003-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R21/01
CPC classification number: G01R21/00 , G01R1/06772
Abstract: 应用电容测量射频信号功率的射频功率传感器包括：最好用半导体形成的基底，如硅，或电介质材料构成，固定在基底上的固定部件构成用于传输射频信号的信号线及地线，以及跨越信号线连接在地线间的桥体，其中桥体受到外驱动力的作用，外驱动力在桥体与信号线之间感应电容。相应地，通过信号线与桥体之间的电容测量射频信号功率。射频功率传感器促进匹配，减少插入损耗，由于其基于传输线路所具有的特性阻抗，可以在非常宽频带中使用。根据对桥体所进行的设计还可对大功率进行测量。
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公开(公告)号：CN100474773C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510124880.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/0571 , H03H9/706 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/4902 , Y10T29/49155
Abstract: 公开了一种超小型的、高性能的单片双工器。该单片双工器包括基片、形成在基片上表面第一区域中的发射端滤波器、形成在基片上表面第二区域中的接收端滤波器、结合在基片上表面的区域上以把发射端滤波器和接收端滤波器封装在密封状态中的封装基片、和移相器，该移相器形成在封装基片一个表面上并分别连接到发射端滤波器和接收端滤波器以拦截发射端滤波器和接收端滤波器之间的信号入流。
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公开(公告)号：CN1783712A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510124880.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/0571 , H03H9/706 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/4902 , Y10T29/49155
Abstract: 公开了一种超小型的、高性能的单片双工器。该单片双工器包括基片、形成在基片上表面第一区域中的发射端滤波器、形成在基片上表面第二区域中的接收端滤波器、结合在基片上表面的区域上以把发射端滤波器和接收端滤波器封装在密封状态中的封装基片、和移相器，该移相器形成在封装基片一个表面上并分别连接到发射端滤波器和接收端滤波器以拦截发射端滤波器和接收端滤波器之间的信号入流。
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公开(公告)号：CN1485873A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN03154570.X
申请日：2003-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01P1/127 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006
Abstract: 一种微型开关，包括：形成在基底上的电介质层，该电介质层具有移动区；导电层，形成在移动区的预定部分上；电介质薄膜，形成在导电层上；第一和第二电导体，在电介质薄膜的上方的预定距离形成；一个或两个下电极，形成在移动区上；以及一个或两个上电极，在下电极上方的预定距离形成，当在上电极和下电极之间产生静电力时，两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动，并且使第一和第二电导体电容联接，以便使电流在第一和第二电导体之间流动。这种微型开关的通断率和隔离度高，结构简单，并且可以以非常简单的加工过程制造。
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