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公开(公告)号：CN101170110B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710154778.8
申请日：2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0821 , H01L27/0676 , H01L27/0808 , H01L27/0814 , H01L29/0804 , H01L29/73 , H01L29/868 , H01L29/93 , H01Q9/0407
Abstract: 提供了一种用于波段间和波段内频率调谐的半导体元件、以及具有该半导体元件的天线和频率调谐电路。该半导体元件包括：具有相同极性的第一和第二半导体；具有与所述第一和第二半导体的极性相反的极性并插入在所述第一和第二半导体之间的第三半导体；插入在所述第一和第三半导体之间的第一本征半导体；以及插入在所述第三和第二半导体之间的第二本征半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101828302A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880110594.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔国立大学校产学协力财团
IPC: H01P3/08
CPC classification number: H01P11/001 , H01P3/003 , H01P3/081 , Y10T29/49016
Abstract: 提供一种多层金属结构的波导及其制造方法。通过在衬底上应用多个金属层且分别在各个金属层之间形成多个绝缘层，可以通过经过在信号线和地线之间的宽区域均匀地分散电流来最小化导电损耗。
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公开(公告)号：CN100555499C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610146735.0
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H2057/006 , H01P1/127
Abstract: 提供一种向下类型微电子机械系统(MEMS)开关以及制造其的方法。向下类型MEMS开关包括：形成在基片中的第一和第二空腔；形成在第一和第二空腔的上部分的第一和第二激励器；形成在基片的上表面上并且不与第一和第二空腔重叠的第一和第二固定线；和与第一固定线和第二固定线相隔预定距离，但是当驱动第一激励器和第二激励器时能够接触第一固定线和第二固定线的接触垫。在制造RF信号线之后制造通过压电被向下激励的接触垫，从而该接触垫与RF信号线共享一层。
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公开(公告)号：CN101026053A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610146735.0
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01H1/0036 , H01H2057/006 , H01P1/127
Abstract: 提供一种向下类型微电子机械系统(MEMS)开关以及制造其的方法。向下类型MEMS开关包括：形成在基片中的第一和第二空腔；形成在第一和第二空腔的上部分的第一和第二激励器；形成在基片的上表面上并且不与第一和第二空腔重叠的第一和第二固定线；和与第一固定线和第二固定线相隔预定距离，但是当驱动第一激励器和第二激励器时能够接触第一固定线和第二固定线的接触垫。在制造RF信号线之后制造通过压电被向下激励的接触垫，从而该接触垫与RF信号线共享一层。
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公开(公告)号：CN101828302B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200880110594.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔国立大学校产学协力财团
CPC classification number: H01P11/001 , H01P3/003 , H01P3/081 , Y10T29/49016
Abstract: 本发明提供一种多层金属结构的波导及其制造方法。通过在衬底上应用多个金属层且分别在各个金属层之间形成多个绝缘层，可以通过经过在信号线和地线之间的宽区域均匀地分散电流来最小化导电损耗。
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公开(公告)号：CN101170110A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710154778.8
申请日：2007-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/0821 , H01L27/0676 , H01L27/0808 , H01L27/0814 , H01L29/0804 , H01L29/73 , H01L29/868 , H01L29/93 , H01Q9/0407
Abstract: 提供了一种用于波段间和波段内频率调谐的半导体元件、以及具有该半导体元件的天线和频率调谐电路。该半导体元件包括：具有相同极性的第一和第二半导体；具有与所述第一和第二半导体的极性相反的极性并插入在所述第一和第二半导体之间的第三半导体；插入在所述第一和第三半导体之间的第一本征半导体；以及插入在所述第三和第二半导体之间的第二本征半导体。
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