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公开(公告)号：CN117781198A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311520128.6
申请日：2023-11-15
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: F21K9/20 , F21V7/00 , F21V29/10 , F21V29/508 , F21V5/00 , F21V29/74 , F21V29/85 , F21V31/00 , F21Y113/10 , F21Y115/10 , F21W131/101
Abstract: 本发明涉及一种无荧光粉型金黄光LED平面隧道灯，包括金黄光LED光源、光源电路板、热界面层、密封圈、灯体、盖板、灯体安装支架、散热器、电源模块、反光纸、反光杯及平面玻璃，其中所述金黄光LED光源由黄光LED芯片和红光LED芯片直接合成，黄光LED芯片波长范围为550m~590nm，红光LED芯片的波长范围为610nm~650nm，提供一种穿透能力强、温和不晃眼的道路照明灯具，提高舒适度和安全性，减少出入隧道口强白光带来的驾驶隐患；采用光电分离安装方式，提高散热效率、电源利用效率及整灯的可靠性；采用反光杯和果冻胶的组合，发出的光均匀性更佳光质更优，截止了大角度光，有效降低了眩光的产生；出光面采用平面玻璃的形式，易于清洁灰尘方便维护，提高了光通量维持率。
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公开(公告)号：CN117772714A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410044008.1
申请日：2024-01-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法。所述清洁系统包括激光装置、清洁装置。其中，激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D1。激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔的内表面，实现对MOCVD反应腔的内腔表面的清洁。通过设置激光束的能量密度，可以确保MOCVD反应腔的清理效果又不会破坏MOCVD反应腔。清洁装置在清洁过程中持续吸收飞溅颗粒，防止飞溅颗粒扩散到其他区域。该清洁系统具有非接触、高效率、灵活性高等优点。
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公开(公告)号：CN117393662A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311379758.6
申请日：2023-10-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供一种电流阻挡层的制备方法、硅衬底垂直结构LED芯片。电流阻挡层的制备方法包括以下步骤：（1）清洗硅衬底外延片表面；（2）使用气相化学沉积仪在硅衬底外延片表面沉积二氧化硅；（3）在所述二氧化硅表面沉积氧化铝；（4）在所述氧化铝表面涂覆光刻胶，使用掩膜版曝光后显影并刻蚀二氧化硅和氧化铝至外延片表面露出，去除光刻胶，得到电流阻挡层。硅衬底垂直结构LED芯片自下而上为硅基板、保护粘结金属层、反射金属层、电流阻挡层、半导体发光层、N电极金属层。本发明的电流阻挡层可抑制N电极下方有源区发光，使电流扩散更均匀、提高芯片发光效率；避免现有工艺在制备电流阻挡层时产生的刻蚀损伤导致芯片良率和可靠性降低。
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公开(公告)号：CN119997703A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510157056.6
申请日：2025-02-13
Applicant: 南昌实验室 , 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/03 , H10H29/30 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：在衬底上生长具有透光性的外延层；在外延层上整面沉积半透明金属键合层；在驱动基板上制备金属键合单元和光刻对版标记，金属键合单元设于驱动基板的驱动电极的表面；键合半透明金属键合层和金属键合单元；去除衬底；根据光刻对版标记进行光刻，图案化处理外延层和半透明金属键合层，保留金属键合单元对应位置的外延层和半透明金属键合层，制备出单个的Micro‑LED像素单元，完成Micro‑LED发光模组的制备。本发明通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法，不仅可以实现非对准键合，而且半透明金属键合层不影响后续光刻对版，提高Micro‑LED发光模组制备的制备效率和良率。
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公开(公告)号：CN119959733A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510138159.8
申请日：2025-02-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种显示器老化测试装置及系统，包括老化底板，安装在老化底板上的FPGA信号板和/或MCU控制板、视频转接板、电源板和模组转接板；模组转接板与电源板、FPGA信号板和/或MCU控制板、视频转接板电性连接；模组转接板连接待老化测试的显示器，模组转接板将接收的信号以及电源传输至待老化测试的显示器；电源板配置顶部电源接口、底部电源接口和电压可调电源；顶部电源接口与底部电源接口电性连接，底部电源接口和电压可调电源电性连接；电源板的个数为n，n个电源板能通过层叠结构产生多路电源给模组转接板提供电源，n为正整数。电源板设计为层叠结构可以根据待老化测试的显示器的需要灵活的增加或减少电源板的数量，降低装置的成本。
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公开(公告)号：CN119789629A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411942329.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/816 , H10H20/00 , H10H20/812 , H10H20/824
Abstract: 本发明公开了单片多PN结RGB全彩LED，包括衬底、及通过一次外延形成于衬底之上的蓝光第一发光单元、绿光第二发光单元和红光第三发光单元，蓝光第一发光单元和绿光第二发光单元之间沿着生长方向依次设有第一阻挡层和第一隧道层，绿光第二发光单元和红光第三发光单元之间沿着生长方向依次设有第二阻挡层和第二隧道层，其中：第一阻挡层和第二阻挡层的材料为InyGa1‑yN。第一阻挡层和第二阻挡层阻挡了Mg原子向隧道层的扩散，减少了PN结杂质补偿效应，提高了PN结之间的隧穿效率。
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公开(公告)号：CN119560397A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411653929.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种判定GaN基材料掺杂碳元素形成高阻的非破坏性表征方法，涉及半导体器件技术领域，包括：通过光致发光设备获得参考GaN基外延片和目标GaN基外延片的光谱图；根据光谱图，确定参考GaN基外延片、目标GaN基外延片中GaN本征发光峰、黄带发光峰分别对应的第一参考PL强度、第二参考PL强度、第一目标PL强度和第二目标PL强度；第一目标PL强度≤第一参考PL强度的10％且第二目标PL强度≤第二参考PL强度的10％，判定目标GaN基外延片形成高阻。该表征方法简便快捷，减少了芯片制造的工序，加快生产和研发的反馈速度，减少了试错和制造成本，判定结果直观，无需复杂的数据处理，属于非破坏性测试。
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公开(公告)号：CN119468113A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411503887.6
申请日：2024-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: F21V7/04 , F21V7/05 , F21V5/04 , F21Y115/10
Abstract: 本申请实施例提供一种多基色LED的反射式灯具，所述反射式灯具包括：多基色LED光源；出光面盖板，位于所述反射式灯具底部；外壳，与所述出光面盖板形成容纳空间；支架，沿所述外壳纵向设置于所述容纳空间中，依次包括上端部、竖直部以及下端部，其中，所述上端部与所述外壳的中部连接，所述竖直部用于安装所述多基色LED光源，所述下端部至少包括第一反射结构；反光条，沿所述支架两侧对称设置于所述容纳空间中且所述反光条与所述支架之间具有空隙，所述反射条至少包括第二和第三反射结构；以及端盖，与所述外壳的开口端连接，至少用于封闭所述容纳空间。本申请实施例的反射式灯具具有高光效和高出光品质。
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公开(公告)号：CN117772714B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410044008.1
申请日：2024-01-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法。所述清洁系统包括激光装置、清洁装置。其中，激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D1。激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔的内表面，实现对MOCVD反应腔的内腔表面的清洁。通过设置激光束的能量密度，可以确保MOCVD反应腔的清理效果又不会破坏MOCVD反应腔。清洁装置在清洁过程中持续吸收飞溅颗粒，防止飞溅颗粒扩散到其他区域。该清洁系统具有非接触、高效率、灵活性高等优点。
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公开(公告)号：CN118782696A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410931016.8
申请日：2024-07-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请提供了一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法。所述方法包括：在硅衬底GaN基外延片上获得GaN阵列，在GaN阵列上制备金属凸点点阵，像素区以外制作四周环状金属，在金属凸点点阵的间隙，及四周环状金属以外的区域制备第一特种光刻胶层，制成硅衬底GaN基Micro LED芯片；在CMOS驱动基板上制备像素区金属凸点点阵，像素区以外的区域覆盖金属，在像素区金属凸点点阵的间隙制备第二特种光刻胶层；硅衬底GaN基Micro LED芯片与CMOS驱动基板对准键合；湿法去除芯片端的硅衬底；制备CMOS驱动基板的焊盘，制成Micro LED微显示模组。本发明采用湿法去除GaN基Micro LED芯片的硅衬底，保护CMOS驱动基板不受酸腐蚀液侵蚀，成本低，腐蚀速度快，可批量操作。
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